Cтраница 1
Комплексные проводимости таких сочленений определяются, как и в случае задачи о торцевом сочленении П - и прямоугольного волноводов. В качестве функции, аппроксимирующей распределение электрического поля в месте стыка, бралась основная функция отверстия, конфигурация которого представляет собой поперечное сечение П - волновода. [1]
Комплексная проводимость и комплексное сопротивление взаимно обратны. [2]
Комплексная проводимость аналогично комплексному сопротивлению не зависит от начальных фаз тока и напряжения. [3]
Комплексная проводимость и комплексное сопротивление взаимно обратны. [4]
Комплексная проводимость аналогично комплексному сопротивлению не зависит от начальных фаз тока и напряжения. [5]
Комплексная проводимость равна 0 2 - Д 2 сим. [6]
Комплексная проводимость состоит из вещественной части - активной проводимости и мнимой - реактивной. Индуктивная проводимость является мнимой отрицательной, а емкостная - мнимой положительной. [7]
Комплексная проводимость аналогично комплексному сопротивлению не зависит от начальных фаз тока и напряжения. [8]
Комплексная проводимость равна 0 2 - / 0 2 сим. [9]
Комплексная проводимость равна 0 2 - / 0 2 См. [10]
Комплексная проводимость состоит из вещественной части - активной проводимости и мнимой - реактивной. Индуктивная проводимость является мнимой отрицательной, а емкостная - мнимой положительной. [11]
Комплексные проводимости У-параметров учитывают как резне-тивные, так и емкостные составляющие проводимостей областей биполярной транзисторной структуры. На некоторых практических моделях или эквивалентных схемах показываются не комплексные проводимости У -: лементов, а отдельно резистивные или емкостные элементы. Только в этом случае устанавливается однозначная зависимость между токами и напряжениями на входе и выходе транзистора. [12]
Комплексные проводимости Уи, У Угь J 22 можно определить экспериментально, если применить режим короткого замыкания на входе и выходе транзистора. [13]
Дополнительная входная комплексная проводимость ДУВХ, как уже упоминалось, является также причиной искажения формы резонансной кривой колебательного контура, включенного на входе усилительного каскада. В правильно спроектированном усилителе эти искажения должны быть достаточно малы. [14]
Измеряется комплексная проводимость в - или сименсах. [15]