Cтраница 1
Полная проводимость за счет всех перечисленных процессов равна интегралу по всем возможным энергетическим состояниям. [1]
Схематическое изображение p - i - n структуры и распределение носителей заряда в ( - области. [2] |
Полная проводимость p - i - n структуры на СВЧ1 почти целиком определяется комплексной проводимостью / - области а о / ве, где а - удельная проводимость / - области; е - диэлектрическая проницаемость полупроводника. [3]
Полные проводимости, соответствующие колебательным режимам, можно разложить на вещественные и мнимые части. [4]
Полные проводимости в любом случае могут быть использованы только при допущении малости абсолютных величин концентраций. [5]
Полная проводимость плазмы определяется движением электронов и ионов. [6]
Полные проводимости изоляции фазных и нулевого проводов относительно земли и заземления нейтрали в комплексной форме равны. [7]
Мост для измерения ламповых емкостей Ю-1 пф.| Мост для измерения малых междуэлектродных емкостей ( 1СГ1 - 10 пф. [8] |
Полные проводимости четырехполюсника определяются при этом из коэффициента стоячей волны и положения узлов. Между измерительной линией я внешней точкой подключения электрода практически всегда имеются полные сопротивления, которые действуют как трансформатор. [9]
Полная проводимость прямой передачи фактически постоянна и имеет активный характер, начиная от постоянного тока и до частоты 20 Мгц. На частотах выше 50 Мгц действительная часть очень быстро падает, так что мнимая часть способствует поддержанию полной величины, как показано на рис. П-17. Возможной причиной падения действительной части на высоких частотах является время пролета носителей через область канала. [10]
Полная проводимость примесного полупроводника является суммой примесной и собственной проводимостей. При низких температурах примесная проводимость превышает собственную проводимость, при высоких температурах, когда все атомы примеси ионизованы, собственная проводимость полупроводника может превышать примесную проводимость. [11]
Эскиз размещения электродов ( / на поверхности образца из электроизоляционного материала ( 2 при измерении р5. [12] |
Полная проводимость твердого диэлектрика, соответствующая его сопротивлению RH. [13]
Полная проводимость твердого диэлектрика, соответствующая его сопротивлению изоляции, складывается из объемной и поверхностной проводимостей. [14]
Полная проводимость рассеяния Gy - gH, где Н - длина зоны рассеяния. [15]