Контактная проволочка
Cтраница 3
Следовательно, только при этом направлении движения электронов преодолевание объемного отрицательного заряда в слое р облегчено. Разноименные ветви характеристики помещены в одном и том же квадранте; А - при минус контактная проволочка со стороны светящегося слоя - плюс кристалл; Б - при плюс контактная проволочка со стороны светящегося слоя-минус кристалл. [31]
Выпрямительное действие происходит в обратную сторону по сравнению с I ( ср. Ярко флуоресцирует значительная поверхность кристалла, выходящая иногда далеко за пределы места касания с контактной проволочкой. [32]
Вследствие того что при свечении II активный электронный процесс выходит далеко за пределы площади соприкосновения кристалла с контактной проволочкой ( как указывалось в § 2, свечение II распространяется по поверхности в несколько квадратных миллиметров вдоль активной грани кристалла), при наблюдениях могут быть применены зонды. [33]
Следовательно, только при этом направлении движения электронов преодолевание объемного отрицательного заряда в слое р облегчено. Разноименные ветви характеристики помещены в одном и том же квадранте; А - при минус контактная проволочка со стороны светящегося слоя - плюс кристалл; Б - при плюс контактная проволочка со стороны светящегося слоя-минус кристалл. [34]
 |
Распределение плотности вероятности для сопротивления потерь гп. [35] |
Разработанные диоды имеют сравнительно малую собственную индуктивность, LKopn - ( 3 0 3) 1СН0 гн. При этом для всех групп диодов условие потенциальной устойчивости ( 3) выполняется с большим запасом. Малый разброс в значениях индуктивности обусловлен отсутствием в конструкции диода контактной проволочки и определяется в основном допусками на размеры деталей корпуса. [36]
Таким путем получаются так называемые плоскостные диоды и триоды. Кроме того, существуют еще точечные диоды и триоды, в которых используются точечные контакты между тонкими металлическими проволоками и кристаллом германия. Кристалл германия имеет один тип проводимости, а на его поверхности в местах соприкосновения с контактными проволочками образуются участки с другим типом проводимости. [37]
Внутри камеры размещены три криптоновые лампы мощностью 100 Вт каждая и блок терморегулятора. Через крышку камеры в нее вставляется контактный термометр, являющийся датчиком терморегулятора, обеспечивающего постоянство температуры сушки внутри камеры. Установка заданной температуры сушки производится на контактном термометре. Для этого необходимо отвернуть на 1 5 - 2 оборота винт в головке контактного термометра и вращением головки установить заданную температуру: грубо - по металлическому контакту на верхней шкале термометра, точно - по краю контактной проволочки на нижней шкале термометра. Для увеличения температуры сушки головку следует вращать по часовой стрелке, для уменьшения - в обратную сторону. [38]
 |
Явления в р-га-переходе. [39] |
В приборах с точечным контактом также используются свойства р-гс-перехода. В этом случае основная масса кристалла, применяемого в этих приборах, обладает проводимостью одного типа, а небольшие участки на поверхности кристалла - проводимостью другого типа. Последняя создается благодаря наличию примесей в кристалле полупроводника. Такие участки имеют диаметр порядка десятков микрон. Размеры острия контактной проволочки, находящейся на участке, должны быть меньше размеров самого участка, и поэтому электрическая цепь в приборе замыкается только через р-я-переход. [40]
Однако такие диоды не были механически устойчивыми, их характеристики были трудно воспроизводимы. Технология точечных диодов была усовершенствована введением формовки. Пропуская импульсы тока значительной величины через точечный контакт, удалось получать диоды более устойчивые, с более воспроизводимыми электрическими характеристиками. Исследования показали, что в процессе формовки под контактной проволочкой образуется полусферический р-п переход ( рис. IV. Было также замечено, что существенное влияние на результаты формовки оказывает состав материала контактной пружинки. [41]
Образование под контактом слоя с противоположной проводимостью может быть связано с несколькими причинами. В большинстве случаев образование р-области у полупроводника л-типа связано с нарушением структуры кристаллической решетки на поверхности как за счет чисто механических дефектов, так и за счет образования оксидных пленок. В результате на поверхности скапливаются избыточные электроны, которые оттесняют близлежащие электроны в глубь кристалла. Этот процесс способствует образованию в непосредственной близости под контактом слоя, обедненного электронами. Такой переход обладает плохими вентильными характеристиками, и для придания ему ярко выраженных выпрямляющих свойств контакт подвергают электрической формовке импульсами тока в несколько ампер и продолжительностью 0 1 - 0 4 сек. В течение действия импульса острие проволочки сильно разогревается и из него в полупроводник начинает диффундировать медь, которая всегда имеется в небольших количествах в материале контактной проволочки. Медь, являющаяся акцептором для германия, способствует образованию стабильного р-п перехода, обладающего хорошими выпрямляющими свойствами. Контакт при таком способе изготовления принимает полусферическую форму и имеет очень малую площадь, порядка - 10 - 4 - Ю - всмг. [42]
Страницы: 1 2 3