Зародыш - растута
Cтраница 2
При tK 150 - 300 С плотность зародышей серебра на NaCI убывает с утолщением слоя, что, вероятно, связано с коалесцен-цией. Льюис и Кемпбелл [19] считают, что при обычных условиях конденсации серебра образующиеся вначале зародыши растут слишком быстро, так что плотность насыщения не достигается. [16]
Осадки таких соединений состоят из плохо сформировавшихся небольших кристаллов и зачастую аморфны. Малорастворимые соединения с высоким поверхностным натяжением, напротив, обладают высокой относительной растворимостью; их зародыши растут, и в результате образуются хорошо сформировавшиеся, большие кристаллы. Примером соединения с небольшим поверхно-стным натяжением служит хлорид серебра, соединения с большим поверхностным натяжением - сульфат бария. [17]
Детальное исследование, однако, показывает, что в сегнетоэлектриках ( в отличие от ферромагнетиков) зародыши растут только впереди, а боковое движение является лишь кажущимся: возникший на границе зародыш, прорастая вперед, создает видимость бокового движения стенки. [18]
При пластинчатом росте по схеме Сирса также рассматривается дислокационный механизм. Согласно этому механизму пластинки содержат двухмерные дислокации, так что торцовые поверхности вследствие уменьшения работы образования зародышей растут значительно быстрее, чем свободные от дислокаций боковые поверхности. Участие дислокаций в механизме роста не является бесспорным, так как наблюдались и такие особые формы кристаллов, у которых нельзя было обнаружить дислокаций. [19]
 |
Схема изменения формы островков в процессе их коалесценции. [20] |
Если наблюдать за подложкой, подвергнутой бомбардировке атомами конденсата, в электронном микроскопе, первым доказательством конденсации является внезапное появление зародышей примерно одинакового размера. Наименьшие зародыши, которые можно заметить, имеют размер от 20 до 30 А. Зародыши растут в трех измерениях, но рост в направлениях, параллельных подложке, происходит быстрее, чем по нормали к ней. Это, по-видимому, объясняется тем, что рост происходит, в основном, за счет поверхностной диффузии адсорбированных атомов по подложке, а не за счет прямого соударения с атомами в паровой фазе. Для Ag или Аи, конденсирующихся на подложку MoS2 при Т 400 С, концентрация первоначальных зародышей составляет 5 - 1010см - 2, а минимальная диффузионная длина - 500 А. [21]
 |
Образование зародышей окисла на поверхности меди при изменении времени и давления кислорода ( по Бекару и Грен-лунду. [22] |
Затем окисел, продолжающий образовываться, собирается в определенных центрах кристаллизации, среднее число которых в данном кристаллографическом направлении соответствует при определенных значениях температуры и давления равновесной величине, определяющейся скоростью поверхностной диффузии металла и кислорода. Образующиеся таким образом зародыши растут в боковом направлении до тех пор, пока не заполнят всю поверхность. [23]
Процесс кристаллизации начинается с возникновения зародышей кристаллов. Такими зародышами могут быть либо мельчайшие скопления атомов металла, либо нерастворившиеся частицы посторонних примесей. В процессе кристаллизации зародыши растут за счет уменьшения количества жидкого металл а и продвигаются навстречу друг другу. В определенный момент роста они начинают соприкасаться друг с другом, препятствовать взаимному росту и поэтому к концу затвердевания приобретают случайную внешнюю форму ( фиг. Такие кристаллы с неправильной формой принято называть зернами. Их наблюдают в изломе металла или при рассмотрении строения металла с помощью микроскопа. [24]
Пределы применимости и возможности теорий непосредственно вытекают из указанных ранее гипотез. Гипотезы, связанные с ростом зародышей, имеют относительно широкую область применимости. Необходимо просто предположить, что зародыши растут гомотетично и их размеры увеличиваются со временем линейно. В противном случае возможность проведения расчетов при условии, что определено соотношение между фиктивным объемом зародышей vgf ( t, 9) и их возрастом, не существенна с практической точки зрения ввиду трудности экспериментального определения выражения vgf ( t, 9), когда форма зародышей и скорость их роста изменяются. Именно по этой причине, как указано в начале главы, исключены из рассмотрения некоторые реакции, в которых роль лимитирующей стадии играют диффузионные процессы. [25]
Фрэнк [26], изучая макроскопические кристаллы, показал, что если на плотноупакованной поверхности выступают винтовые дислокации, то такие кристаллы растут быстрее совершенных кристаллов. Происхождение подобных дислокаций еще не выяснено. В некоторых зародышах они появляются совершенно случайно, после чего эти зародыши растут быстрее, чем зародыши без дислокаций; не исключено также возникновение дислокаций на стадиях, значительно более поздних, чем процесс образования зародышей. [26]
Сферолиты возникают в результате трехмерного роста, когда кристаллизация идет так быстро, что линейный или двумерный зародыш ( КВЦ или КСЦ) не успевает превратиться в фибриллярный или ламелярный кристалл. Конечно, быстро - понятие относительное и для каждого полимера надо принимать во внимание все факторы, влияющие на скорость кристаллизации и не всегда просто сводимые к положению 7СТ и Тпл на шкале температур. Обычно, однако, при медленной нуклеации ( например, при глубоком охлаждении разбавленного раствора) растут пластинчатые кристаллы, а при быстрой нуклеации и образовании складчатых, но мультимолекулярных зародышей растут сферолиты. [27]
Скорость реакции с молибдатом быстро уменьшается до 0 1 в период между 3 75 и 4 75 сут. Вероятно, на этой стадии начинается образование зародышей коллоидных частиц. Олиго-меры растворяются, а кремнезем осаждается на этих зародышах. Зародыши растут по размеру, а концентрация мономера, находящегося в суспензии в равновесном состоянии, понижается. [28]
Страницы: 1 2