Прогрев - образец
Cтраница 1
Прогрев образца в водороде при 800 и связанное с этим образование определенного числа кислородных вакансий приводит к некоторому увеличению хемосорбции водорода по сравнению со ст. тр. Однако при этом большая часть хемосорбированных молекул удерживается прочно и необратимо и удаляется при более высоких температурах. [1]
Прогрев образцов всегда приводит к быстрой ликвидации нестабильных продуктов радиолиза. [2]
Прогрев образцов в камере спектрометра позволяет очистить поверхность металлов от окислов, ионная бомбардировка ( ионы Аг) снимает поверхностный слой вместе с находящимися в нем примесями. [3]
Прогрев образцов всегда приводит к быстрой ликвидации нестабильных продуктов радиолиза. [4]
 |
Влияние промежуточного прогрева на содержание водорода в стали. [5] |
Прогрев образцов с ( блестящим покрытием толщиной 3 и 4 л / с приводит к снижению водорода в стали до 0 22 и 0 3 еж3 / 100 г, а при толщине 10 мк - увеличению по сравнению с исходным содержанием водорода - Из приведенных данных видно, что образцы с блестящим покрытием толщиной 10 мк, прошедшие операцию промежуточного разводо-рожчкания, содержат столько же водорода, сколько и образцы с покрытием 3 и 4 мк после прогрева. Этот эффект особенно значителен, если учесть, что после обычного прогрева образцов с блестящим покрытием в 10 мк наблюдается не снижение, а увеличение содержания водорода в стали. Поскольку прО Грев образцов с матовым осадком резко снижает количество водорода в стали независимо от толщины покрытия, то, естественно, что в последнем случае отпадает необходимость производить промежуточное разводороживаиие. [6]
Прогрев образца на такую глубину с температурой слоя ( 1 - 1.5) - ШК фактически означает перевод вещества с глубины прогрева в канал. [7]
Прогрев образцов при 100 С-в течение 1 ч приводит к заметному увеличению степени отверждения смолы. Повторный цикл прогрева при 100 С в течение 1 ч практически не изменяет степень отверждения смолы. [8]
Прогрев образцов перед испытанием при повышенной температуре не должен вызывать необратимых изменений их свойств. [9]
Прогрев образцов полупроводника в вакууме при температуре, большей 500 К, приводит к изменению скорости поверхностной рекомбинации. Это связано с тем, что поверхностный потенциал становится более отрицательным. При этом уменьшается концентрация поверхностных центров акцепторного тина или растет концентрация поверхностных центров донорного типа, или одновременно изменяются значения концентрации и тех и других. Длительность прогрева изменяет характер зависимости скорости поверхностной рекомбинации от поверхностного потенциала ( рис. 9.27), что обусловлено изменением системы поверхностных ловушек рекомбинации. [11]
 |
Корректировочная кривая 85 для учета запаздывания по времени при испытаниях на вискозиметре Муни. [12] |
Поскольку прогрев образцов указанных размеров занимает значительный промежуток времени ( зависит от состава смеси и ее тепло-физических характеристик), то получается некоторое запаздывание во времени. [13]
 |
Схема сборки образца для определения прокаливаемости по методу. [14] |
После прогрева образцов печь охлаждают по заданной программе с помощью электронного устройства. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5