Альфен

Cтраница 4

Одна из полученных ими кривых поглощения показана на фиг. Эффект де Хааса - ван Альфена, наблюдавшийся в металлах1), также обусловлен превращением непрерывного спектра энергии свободных электронов в полосатый спектр вследствие квантования энергии в сильном магнитном поле. [46]

В НК в силу ряда особенностей - малого количества дефектов малых размеров ( и в связи с этим малых вихревых токов), возможностью точной ориентировки образца - удается наблюдать даже слабые диамагнитные эффекты. К ним относится эффект де Гааза-ван Альфена ( см. гл. VI) - периодическое изменение магнитной восприимчивости с изменением напряженности магнитного поля, наблюдающееся только при низких температурах, когда оно не маскируется другими, более сильными магнитными эффектами. [47]

В последние несколько лет для определения поверхности Ферми стали использоваться магнитоакустические явления, в частности геометрический резонанс 1), Такие измерения особенно полезны потому, что они дают значение k / для данного направления в k - пространстве, тогда как другими методами этот параметр непосредственно определить нельзя. Вместе с эффектом де Гааза - ван Альфена эти эффекты могут быть использованы для построения поверхности Ферми. Магнитоакустические методы используют тот факт, что при возмущении решетки звуковой волной происходит деформация зоны Бриллюэна, а также поверхности Ферми. Поэтому изменяется также и распределение заполненных электронных состояний. Однако, когда решетка возвращается обратно в невозмущенное состояние, электроны могут прийти в равновесие с этим состоянием только в результате столкновений. Если время релаксации велико ( длина свободного пробега I сравнима с длиной звуковой волны), то электроны не успевают прийти в равновесие раньше, чем произойдет следующее смещение решетки в данной точке. Таким образом, электроны смещаются относительно ионов решетки, нарушается зарядовая нейтральность и возникают градиенты электрического поля. [48]

Такие измерения особенно полезны потому, что они дают значение k / для данного направления в k - пространстве, тогда как другими методами этот параметр непосредственно определить нельзя. Вместе с эффектом де Гааза - ван Альфена эти эффекты могут быть использованы для построения поверхности Ферми. Магнитоакустические методы используют тот факт, что при возмущении решетки звуковой волной происходит деформация зоны Бриллюэна, а также поверхности Ферми. Поэтому изменяется также и распределение заполненных электронных состояний. Однако, когда решетка возвращается обратно в невозмущенное состояние, электроны могут прийти в равновесие с этим состоянием только в результате столкновений. Если время релаксации велико ( длина свободного пробега / сравнима с длиной звуковой волны), то электроны не успевают прийти в равновесие раньше, чем произойдет следующее смещение решетки в данной точке. Таким образом, электроны смещаются относительно ионов решетки, нарушается зарядовая нейтральность и возникают градиенты электрического поля. [49]

Зависимость R кристаллов. [50]

В полях до 500 гс R изменяется особенно быстро, причем здесь наблюдается смена знака R и при 298 К. При 4 2 К обнаруживаются осцилляции R типа де Хааза-ван Альфена. [51]

Эту площадь можно непосредственно измерить в эффекте де Газа - ван Альфена. [52]

Изложенная в § § 84, 85 теория гальваномагнитных явлений имела квазиклассический характер в том смысле, что кванто-вость проявлялась только в виде функции распределения электронов, дискретность же уровней энергии в магнитном поле не учитывалась. Этот эффект аналогичен осцилляциям магнитного момента ( эффект де Гааза - ван Альфена), но его теория сложнее ввиду кинетического, а не термодинамического характера явления. Мы рассмотрим ее в рамках модели невзаимодействующих электронов, оставляя в стороне вопрос ( по-видимому, еще не исследованный) о влиянии ферми-жидкостных эффектов. [53]

Кривые, иллюстрирующие участие фононов в туннельном эффекте ( по данным Холла. [54]

Исследование вольтамперной характеристики туннельного диода в сильных магнитных полях [67] позволяет определять эффективную массу носителей заряда. Такое определение основано на известном эффекте де - Хааса - ван - Альфена. [55]

Страницы: 1 2 3 4