Cтраница 3
Следует подчеркнуть, что понятие о степени окисления является формальным и обычнчэ не дает представления об истинном заряде рассматриваемого атома в соединении. Во многих случаях степень окисления не равна и валентности данного элемента. Например, для углерода в метане СЬЦ, метиловом спирте СН3ОН, формальдегиде СН2О, муравьиной кислоте НСООН и диоксиде углерода СО2 степени окисления углерода составляют соответственно - 4, - 2, О, - J-2 и - f - 4, в то время к-ак валентность углерода во всех этих соединениях равна четырем. [31]
Следует подчеркнуть, что понятие о степени окисления является формальным и обычно не дает представления об истинном заряде рассматриваемого атома в соединении. Во многих случаях степень окисления не равна и валентности данного элемента. НСООН и диоксиде углерода СО2 степени окисления углерода составляют соответственно - 4, - 2, 0, - f - 2 и 4, в то время как валентность углерода во всех зтих-соединениях равна четырем. [32]
Следует подчеркнуть, что понятие о степени окисления является формальным и обычно не дает представления об истинном заряде рассматриваемого атома в соединении. Во многих случаях степень окисления не равна и валентности данного элемента. Например, для углерода в метане СН4, метиловом спирте СН3ОН, формальдегиде СН2О, муравьиной кислоте НСООН и двуокиси углерода СО2 степени окисления углерода равны соответственно - 4, - 2, О, 2 и 4, в то время как валентность углерода во всех этих соединениях равна четырем. [33]
Следует подчеркнуть, что понятие о степени окисления является формальным и обычно не дает представления об истинном заряде рассматриваемого атома в соединении. Во многих случаях степень окисления не равна и валентности данного элемента. Например, для углерода в метане СН4, метиловом спирте СН3ОН, формальдегиде СН2О, муравьиной кислоте НСООН и двуокиси углерода С02 степени окисления углерода равны соответственно - 4, - 2, 0, 2 и 4, в то время как валентность углерода во всех этих соединениях равна четырем. [34]
Если твердый диэлектрик произвольной формы является идеальным изолятором и на его поверхность не внесен никакой заряд, то истинный заряд на ней равен нулю, каковы бы ни были действующие на нее электрические силы. [35]
Электрическое поле и магнитная индукция суть средние значения электрического и магнитного поля в вакууме, микроскопически определенного с учетом действия истинных зарядов среды внутри нее. [36]
Для поля, остающегося в веществе после прохождения частицы, мы имеем, конечно, D 0, так как с макроскопической точки зрения истинных зарядов в нем не существует. Диэлектрическая постоянная вещества должна исчезать для рассматриваемых частот колеОаний, что, согласно ( 36), будет выполнено для ш ал где ША определено формулой ( 15) и представляет собой, как то явствует из раздела 4, собственную частоту вещества. Следует добавить, что, поскольку приходится иметь дело с возбуждением осцилляторов, собственная частота которых соответствует з О, можно заключить, что поглощаемая ими энергия не зависит от эффектов запаздывания. Действительно, как хорошо известно, эта энергия зависит от резонансной компоненты возбуждающего поля, для которой фазовая скорость света с / / s бесконечна. [37]
В рамках квазихимического метода описания дефектных кристаллов, используемого в данной книге, основные черты дефектной структуры кристаллов определяются целочисленными значениями эффективных зарядов дефектов, которые могут существенно отличаться от зарядов ионов, а истинные заряды ионов не играют существенной роли. Поэтому излагаемая здесь теория в значительной степени применима и к соединениям с промежуточным характером связи, а в некоторых случаях даже к кристаллам, связь в которых б иже к ковалентной, нежели к ионной. В этих случаях критерием применимости теории являются не заряды ионов, а эффективные заряды доминирующих атомных дефектов, определяемые энергетическим спектром электронов в кристалле. [38]
Различают истинный ( реальный), эффективный и формальный заряд. Истинный заряд ионизированного или поляризованного атома определяется его электростатическим воздействием на пробный точечный заряд ( например, на электрон или протон), расположенный за пределами электронной оболочки данного атома. Истинный заряд может быть определен для элементарных частиц и для простых ионов в газовой фазе. В большинстве случаев определение истинного заряда затруднительно, так как всякое взаимодействие с окружающими частицами изменяет его. [39]
При рассмотрении атома гелия мы указывали, что вследствие экранирующего влияния орбит друг на друга истинные волновые функции гораздо менее сконцентрированы около ядер, чем можно было бы ожидать на основании водородоподобных волновых функций, выведенных при пренебрежении всеми отталкиваниями электронов. Заменив истинный заряд ядра Z в экспоненциальном члене водородоподобных орбит на эффективный заряд ядра ( Z - s), можно получить менее сконцентрированную около ядра орбиту, и таким путем мы должны получить лучшее представление истинной волновой функции. Постоянная s называется постоянной экранирования, и ее значение должно меняться при переходе от одной орбиты к другой. [40]
![]() |
Зависимость максимальной положительной степени окисления от порядкового номера элемента. [41] |
Несмотря на широкое применение в химии понятия степени окисления, оно является сугубо формальным. В настоящее время экспериментально определяемые истинные заряды атомов в соединениях не имеют ничего общего со степенями окисления этих элементов. [42]
![]() |
Двойной электрический слой ( а и электрокинетический. [43] |
При движении частицы относительно жидкости, в которой она находится, непрочно связанные противоионы диффузного слоя отстают, а вместе с частицей передвигаются только противоионы близко прилегающего адсорбционного ( плотного) слоя. Разность между абсолютными значениями истинного заряда клетки и количеством противоионов адсорбционного слоя представляет собой видимый заряд движущейся частицы - ее электрокинетический или дзета-потенциал. [44]
Известно, что в неорганических соединениях характер химической связи изменяется в широких пределах - от полностью ко-валентной до чисто ионной. В большинстве случаев трудно указать истинный заряд основных частей решетки и целесообразно использовать введенную Крегером и Винком [117] концепцию эффективного заряда. [45]