Варактор

Cтраница 4

Показана связь динамических параметров варактора с параметрами, измеряемыми на малом сигнале. [46]

Показано, что у варакторов с удельным сопротивлением эпитак-сиалыюй пленки более 5 Ом см на частотах 3 - 9 Ггц наблюдается существенная частотная зависимость, проявляющаяся в уменьшении значений емкости и сопротивления диода и степени ее нелинейности. Качественно характер этой зависимости объясняется наличием емкости базы, которую надо учитывать, если время диэлектрической релаксации обьемного заряда ( 8 ре) сравнимо с периодом СВЧ колебаний. [47]

Предложена методика измерения добротности варакторов с учетом потерь в СВЧ камере. Получены простые аналитические выражения для расчета добротности диодов. [48]

Наиболее полезным материалом для варакторов является GaAs из-за высокой подвижности электронов, большой ширины запрещенной зоны и большой диэлектрической постоянной. Зависимость емкости ва-рактора от приложенного напряжения позволяет использовать их для инфракрасных усилителей, гармонических генераторов, частотных преобразователей, генераторов субгармоник, параметрических усилителей и микроволновых диодов. [49]

Элементы простейшей эквивалентной схемы варактора Rs и GO ( рис. 5.2) отражают процессы рассеяния мощности в варакторе и в цепи смещения из-за появления выпрямленного тока. [50]

Возможность умножения частоты на варакторе обусловлена нелинейной зависимостью емкости варактора С от напряжения на нем н малыми высокочастотными потерями варактора в области обратной проводимости. [51]

Частотные зависимости параметров кольцевого делителя на сосредоточенных П - звеньях ( - - - - - - - - и. [52]

СВЧ диоды различных типов: варакторы, туннельные диоды и др. Если же уровень мощности превышает 1 Вт, то пригодны только р - / - n - диоды, способные рассеять до 10 Вт средней мощности. [53]

Расположение различных слоев и боковое растекание линий переменного тока в системе МДП ( а, реактивных элементов ( б и простейшая эквивалентная схема ( в. [54]

При достаточно тонком окисле МДП варактор приближается по своим частотным свойствам к идеальному полупроводниковому ва-рактору с резким изменением значений С. Однако при больших сопротивлениях снижается частотный предел варикапов. Требования высоких К и V в значительной степени взаимоисключающие. Имеется, однако, весьма простая возможность уменьшить базовое сопротивление V путем нанесения эпитаксиального высокоомного слоя на низкоом-ную подложку кремния. Минимально возможная толщина такой пленки равна эффективному слою истощения Шоттки при максимальном поле. [55]

Холостой сигнал, возвращаясь на варактор, в свою очередь, усиливается и преобразуется им. Таким образом, во входной цепи и сигнальном контуре усилителя действуют два сигнала одинаковой частоты, отличающиеся лишь по направлению распространения. Это отличие используется для разделения входного и усиленного колебаний с помощью рециркуля-тора. [56]

Сг - Сд - емкость варактора, усредненная по первой гармонике. [57]

У множительные каскады с использованием варакторов ставятся на выходе передатчика, если нет транзисторов, которые могли бы на заданной сравнительно высокой частоте генерировать необходимую мощность Рн при удовлетворительном Кр. При построении структурной схемы передатчика с варакторными умножителями частоты прежде всего нужно выбрать транзистор, который сможет обеспечить мощность Р, Рн на пониженной частоте f / N с удовлетворительным Кр. Выбор этого транзистора определяет общую кратность умножения N, которую необходимо получить в умножителе. [58]

Заметим, что для характеристики варакторов, применяемых при обратных напряжениях смещения, удельное сопротивление полупроводника должно находиться из величины последовательного сопротивления диода, смещенного также в обратном направлении, так как величина последовательного сопротивления в прямом направлении ( которую легко найти путем измерения на постоянном токе или низкой частоте) не дает интересующего нас значения удельного сопротивления из-за влияния инжекции носителей заряда. [59]

В качестве материалов для изготовления варакторов применяют германий, кремний, арсенид галлия и антимония индия. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5