Вариант - диаграмма
Cтраница 2
В работе [1] приведен вариант диаграммы состояния D-Та ( рис. 183) в интервале температур - 40 - 100 С. Исследование выполнено методом термического анализа. В системе существуют два соединения: фаза с, образующаяся конгруэнтно при температуре 65 С и при температуре - 15 С распадающаяся по эвтектоидной реакции с ( D) TaD ( p), и соединение TaD ( p), кристаллизующееся по перитектоидной реакции при температуре 60 С. Указано также, что при температурах 70 и 65 С конгруэнтно образуются еще два соединения: фазы Сиу; состав этих фаз не установлен. [16]
На рис. 193 представлен гипотетический вариант диаграммы состояния системы La-Dy, предполагающий образование непрерывных ряде. [17]
В литературе известны два варианта диаграммы состояния системы Т1 - Те. По данным работы [39], соединение Т13Теа имеет область гомогенности шириной-5 ат. [18]
В литературе известны два варианта диаграммы состояния системы Т1 - Те. По данным работы [39], соединение Т13Те2 имеет область гомогенности шириной-5 ат. [19]
В литературе существуют два варианта диаграммы соиояния системы Ga-Pu [ I, 2J, построенной методами дифференциального термического и рентгенофазового анализа. Различия между ними в основном касаются области высокого содержания Ga. [20]
В отличие от ранее опубликованного варианта диаграммы состояния Rh-Zr [3-8], настоящая диаграмма характеризуется более сложным строением средней части. В системе подтверждено существование пяти промежуточных фаз. Соединения Zr3Rh5 и Zr2Rh образуются по перитектическим реакциям при температурах 1790 и 1175 С ( 1150 С [8] соответственно. Соединение Zr3Rh4 ( Zr42Rh58 [8]) образуется конгруэнтно в твердом состоянии при температуре 1660 С. Область гомогенности ZrRh простирается от 50 до 61 % ( ат. [21]
Некоторые важные различия между вариантами диаграмм [1, 2] сводятся к следующему: твердый раствор s с образованием 6-фазы распадается по перитек-тоидной реакции [1] или по эвтектоидной [2]; различны положение на диаграмме, формулы и области гомогенности богатой Pu промежуточной фазы и PuZr2; различны многие концентрации и температуры критических точек. [22]
На этом последнем рисунке два варианта диаграммы Т, v соответствуют различным наклонам кривой DF вправо или влево от тройной точки, но эта кривая всегда должна быть направлена к более высоким давлениям. [23]
 |
Электронные уровни в условиях равновесия на границе полупроводник - раствор электролита. [24] |
На рис. 1.13 приводится несколько вариантов диаграмм распределения энергетических зон на границе полупроводник - раствор в зависимости от стандартного окислительного потенциала редокс-системы и типа полупроводника. [25]
 |
Кристаллическая структура соединений системы Со-Ga. [26] |
Все три известных в литературе варианта диаграммы состояния рассматриваемой системы отличаются между собой в основном по ширине области гомогенности эквиатомного соединения. [27]
 |
Нонвариантные реакции в системе Со-Си. [28] |
В работе [ X ] приведен вариант диаграммы состояния с образованием б-фазы в системе. В более поздних и детальных исследованиях [1-3], проведенных на сплавах более высокой чистоты, ее существование не подтверждено. [29]
 |
Часть поверхности ликвидус диаграммы Fe-С - S с. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5