Наибольший заряд

Cтраница 1

Наибольший заряд будет у альбумина, ибо он при этих условиях наиболее удален от своего изоэлектриче-ского пункта. [1]

Зависимость тока. переноса от заряжающего напряжения при различных наборах потенциалов на пластинах ( а и конфигурация каплеобразования и заряжающей системы ( в. частотакап-леобразования fK 21 4 кГц. Хк 0 546 мм. Laf 2 3 мм. /, 1 5 мм. Х 0 7 мм. - Y 1 мм. Z if h / 2. А3 0 4 мм. rf. 74 мкм 1 2 - заряжающие пластины. 3 -на пластину / подан потенциал, пластина 2 заземлена. 4 - на пластину 2 подан потенциал, пластина / заземлена. 5 - на пластину / подан потенциал, пластина 2 отсутствует. 6 - на пластину / подан потенциал, пластина 2 обесточена. 7 - на пластины подан общий потенциал. 8 - сумма токов для случаев 3, 4. [2]

Наибольший заряд капля получает при предельном приближении точки отрыва к пластине. Однако при этом возрастает чувствительность к юстировке. Поэтому данный методприменим при печати незаряженными каплями. При печати заряженными каплями с линейным управлением струю следует размещать по оси симметрии. Несовпадающие потенциалы на пластинах применимы при печати спутниками, когда совмещаются электризация и отклонение. [3]

Структура транзистора изготовления коллектора И диода, с переходом Шоттки шунтирующего переход коллектор. [4]

Наибольший заряд неосновных носителей накапливается в диоде у трех последних схем включения, поэтому для этих схем наблюдается наибольшее время восстановления обратного сопротивления. [5]

Какой наибольший заряд может иметь простой катион титана в водном растворе. [6]

Какой наибольший заряд протечет по цепи, состоящей из термопары медь - платина и некоторого резистора, при поглощении горячим контактом 4 185 Дж теплоты. [7]

Каким наибольшим зарядом может обладать в растворе простой катион ванадия. [8]

Для структуры на рис 7.20 наибольший заряд неосновных неравновесных носителей ( дырок) накапливается в высокоомном эмиттер-ном слое 2 вследствие инжекции дырок из базовой области в режиме насыщения переключательного транзистора. Режим предельного быстродействия, в котором достигается наименьшая средняя задержка ( граница участков / и / / на рис. 7.27), представляет наибольший практический интерес, так как он применяется в большинстве цифровых устройств. Низкое быстродействие ЛЭ со структурой, показанной на рис. 7.20, является его главным недостатком. [9]

При втором подходе емкость определяется как наибольший заряд, который размещен на А так, что потенциал не больше единицы нигде на А. [10]

При делокализации положительного заряда в алифатической цепи наибольшие заряды создаются по концам сопряженной системы. [11]

Дол ять эта подо в такт с колебаниями точно в моменты наибольшего заряда и полного разряда и в фазе с ними: уменьшать в моменты полного заряда и увеличивать в моменты полного разряда. [12]

При одинаковом лигандном окружении наибольшая величина IQDq соответствует комплексам центральных ионов с наибольшими зарядами. [13]

При одинаковом лигандном окружении наибольшая величина 10D7 соответствует комплексам центральных ионов с наибольшими зарядами. [14]

При одинаковом лигандном окружении наибольшая величина IQDq соответствует комплексам центральных ионов с наибольшими зарядами. [15]

Страницы: 1 2 3