Критический заряд

Cтраница 3

Эквивалентная схема ПО структуры с РОУЭ ( см. рис. 11.41) позволяет построить ее переходную характеристику в виде наложения токов вспомогательной и основной структур Ief и 1аъ, как изображено на рис. 11.45. При достаточно больших токах / G кривая тока вспомогательной структуры характеризуется задержкой, равной собственной задержке no-pi - n2 - p2 структуры tef. Задержка включения основной структуры складывается из времени накопления критического заряда в ее р-базе t b и ее собственного времени задержки tab. В связи с тем что различие в токах / GO основной и вспомогательной структур, если не принимать специальных мер, как правило, незначительное, то tf очень мало и форма нарастания тока ПО структуры с РОУЭ практически не отличается от формы тока ПО структуры с ОУЭ. [31]

Уменьшение анодного напряжения при значениях, заметно меньших U ( BO) CT, сопровождается незначительным ростом критического и уменьшением вносимого зарядов. Несмотря на уменьшение разности между QBHOC и QKP накопление критического заряда легко обеспечивается за счет сокращения времени нарастания напряжения и уменьшения доли вносимого заряда, рекомбинирующе-го за это время. [32]

Резко снижается помехоустойчивость тиристоров при возрастании температуры. В частности, с ростом температуры от 20 до 100 С значение критического заряда тиристоров ( практически независимо от типа) снижается более чем в 10 раз. [33]

OTlh) 3 ( рис. 2 - 7, б) для различных структур критический заряд дкр был принят одинаковым, равным 1 мкк. OTjh) ] J98, 100 ] показывают, что при длительности, спада тока t T ( t), равной десяти т: , время выключения уменьшается по сравнению со стационарным в 1 4 - 1 8 раза, а при t 100тlh - в 3 - 7 раз. [34]

Несимметрия электрического поля изоляционных конструкций на расстояниях от высоковольтных электродов, соответствующих длине стримерной зоны, приводит к различию стримерной зоны вблизи различных точек поверхности электрода: наибольшая ее длина соответствует поверхности высоковольтного электрода, обращенной в сторону земли или второго электрода с зарядом противоположного знака. Применение электродов, вся поверхность которых удовлетворяет условию равенства длины стримерной зоны, позволяет существенно увеличить критический заряд, соответствующий 50 % - ному разрядному напряжению, при относительно небольшом увеличении эквивалентной емкости. Это приводит к значительному увеличению разрядных напряжений. [35]

Встречно-параллельное включение тиристоров.| Структура симистора при выключении. [36]

При изменении полярности напряжения запирающий ток / может протекать через / - область. Если заряд дырок, накопленный в р2 - базе при протекании этого тока, будет превышать критический заряд, необходимый для отпирания р - пгр2 - пг структуры, последняя перейдет в открытое состояние и через прибор потечет ток, определяемый обратным напряжением и сопротивлением нагрузки. Например, при синусоидальной форме напряжения на основных электродах при заданном значении тока через прибор существует критическая частота / кр, определяемая параметрами структуры, при превышении которой имеет место отпирание прибора в обратном направлении без подачи управляющего импульса. [37]

Предполагается, что из h вычтена часть, соответствующая перенормировке массы электрона и радиационной поправке к энергии - йГ - электрона. Нетрудно убедиться, что учет радиационных поправок ( лэмбовский сдвиг и поправка к кулоновскому взаимодействию) сводится к небольшому изменению критического заряда. [38]

Это имеет место в случае измерения tg при высоких скоростях нарастания повторно прикладываемого импульса напряжения и объясняется следующим образом. При высоких скоростях нарастания анодного напряжения заряд, накапливаемый в базах тиристора под воздействием емкостного тока коллекторного перехода, близок к критическому заряду включения и разность QKp - Quau мала. С ростом температуры критический заряд включения тиристора уменьшается. Чем выше температура, тем меньше разность QKp - QHaK и тем быстрее эта разность уменьшается с ростом температуры. [39]

Причиной постоянных неисправностей в ИС ОЗУ являются отказы ИС, а случайных - изменение содержимого ОЗУ из-за флуктуации питающего напряжения, кратковременных помех, воздействия сс-частиц. Влияние а-частиц стало проявляться в связи с тем, что с ростом интеграции динамических ОЗУ емкость элемента ЗУ уменьшается, что сопровождается снижением критического заряда, способного изменить состояния конденсатора ячейки ЗУ. [40]

Для того чтобы какой-либо участок тиристора перешел из закрытого состояния в открытое, необходимо, чтобы в базовых слоях тиристора на этом участке накопился критический заряд включения. Очевидно, что чем больше плотность критического заряда включения тиристора, тем больший промежуток времени требуется при прочих равных условиях, чтобы в невключенном участке тиристора накопился критический заряд. [41]

При углах встречи капли с зеркалом от 10 до 45 ее слияние с пленкой происходит во всех случаях, когда нормальная составляющая скорости к зеркалу превышает некоторую критическую величину, зависящую от размеров капель. Существует некоторое критическое значение заряда, обусловливающее слияние капель с пленкой воды при меньших скоростях соударения. Величина этого критического заряда пропорциональна радиусу капель. При зарядах, близких к критическим, между каплей и пленкой происходит образование перемычки, которая не образуется в их отсутствие. Условия образования перемычки определяются разностью потенциалов, свойствами воздушной прослойки между каплями и поверхностным натяжением. Он обнаружил, что потери воды через перемычку в первом приближении пропорциональны величине зарядов. Сходные результаты были получены при соударении капли с неподвижной каплей, выжимаемой из вертикально установленного капилляра. [42]

При q qKp, поскольку возникшая деформация продолжает увеличиваться - капля неустойчива. Процесс кончается расщеплением неустойчивой капли на две или большее количество) более мелких устойчивых капель. С уменьшением размеров капли критический заряд qk уменьшается пропорционально корню квадратному из ее объема, в то время как заряд капли q уменьшается в среднем пропорционально объему; поэтому при достаточно малых размерах капли условия устойчивости начинают выполняться. [43]

Сущность всех перечисленных способов выключения тиристоров заключается в следующем. При работе в открытом состоянии в базовых слоях тиристора накапливается большой избыточный заряд неравновесных носителей. Этот заряд существенно превышает критический заряд включения, и тиристор не может мгновенно перейти из открытого состояния в закрытое. Все перечисленные способы выключения как раз и способствуют уменьшению избыточного заряда неравновесных носителей в базах тиристора. При этом время, необходимое для уменьшения накопленного заряда неравновесных носителей до значения, не превышающего критический заряд включения, определяет длительность переходного процесса выключения тиристора. [44]

Заряды капель при верхнем диске, заряженном положительно. [45]

Страницы: 1 2 3 4