Проектирование - транзисторный усилитель
Cтраница 1
Проектирование транзисторных усилителей отличается от проектирования ламповых рядом особенностей. Эти особенности в основном обусловлены тем, что в отличие от лампового триода или пентода полупроводниковый триод характеризуется малым входным сопротивлением, значительной внутренней обратной связью и зависимостью режима работы транзистора и его параметров от температуры. [1]
Проектирование транзисторных усилителей измерительных устройств обычно начинают с расчета оконечного каскада, а затем вычисляют требуемый коэффициент усиления предварительного усилителя. [2]
При проектировании транзисторных усилителей постоянного тока ( УПТ) не удается непосредственно использовать хорошо разработанную методику расчета усилителей звуковых частот. Это объясняется особенностями УПТ, главной из которых является значительная зависимость параметров транзисторов от температуры, приводящая к большому дрейфу нуля усилителей. [3]
Расчет и проектирование транзисторных усилителей имеют ряд особенностей по сравнению с расчетом и проектированием ламповых усилителей. В частности, в схемах на полупроводниковых триодах обязательно должна предусматриваться температурная стабилизация режима их работы. [4]
Примем за основное направление проектирования СВЧ транзисторных усилителей параметрический синтез, согласно которому исходя из заданных требований выбирают тип транзистора и структуру входной и выходной согласующих цепей. В связи с этим сначала рассмотрим некоторые типовые схемы СВЧ транзисторных усилителей и сформулируем требования, предъявляемые к используемым в них согласующим цепям. Классификация схем возможна по трем основным признакам. Первый определяется схемой включения транзистора. Третий признак связан со структурой самой согласующей цепи и способом реализации с ее помощью функций согласования и коррекции. [5]
В седьмой главе излагаются основы проектирования транзисторных усилителей с заданной стабильностью. [6]
В книге изложены вопросы теории и проектирования транзисторных усилителей, рассмотрены методы стабилизации качественных показателей усилителей малой и большой мощностей при изменении напряжения источника питания, температуры окружающей среды и параметров транзисторов. Анализируются многочисленные варианты практических схем усилителей и дается их сравнительная оценка. [7]
Весь материал книги излагается применительно к проектированию транзисторных усилителей с обратной связью. [8]
Книга предназначена для инженеров, занимающихся проектированием высококачественных транзисторных усилителей ( в частности, аппаратуры дальней связи), а также для студентов вузов связи. [9]
Для получения наиболее экономичных решений при проектировании транзисторных усилителей требуется обеспечить согласованный выбор рабочих режимов на постоянном и переменном токе. [10]
Приведенные выше формулы могут также быть использованы при проектировании транзисторных усилителей мощности, если параметры генераторных ламга заместить соответствующими параметрами полупроводниковых приборов. Прежде всего это относится к полевым ( МОП) транзисторам, параметры которых аналогия ны параметрам пентодов. Для биполярных транзисторов целесообразно ввести единую систему параметров ( ЕСП): 5 A22a / 2i3 Dfil2, Rgghn / S. Тогда при расчетах коэффициента усиления можно иополвзоаать без изменений приведенные выше формулы. [11]
 |
Схема питания двухкаскадного усилителя. [12] |
Приведенный выше анализ режимов и температурной стабилизации отдельного каскада используется при проектировании транзисторных усилителей с трансформаторной и емкостной межкаскадными связями. В качестве усилителей переменного тока такие схемы являются наиболее простыми с точки зрения реализации необходимых режимов. [13]
Использование приведенных аналитических выражений и результатов сравнительного анализа схем позволяет в каждом отдельном случае проектирования транзисторных усилителей применить те или иные цепи обратных связей, стабилизирующих режимы работы транзисторов. [14]
Кроме того, трансформатор изолирует нагрузку от постоянной составляющей выходного тока транзистора, что также оказывается полезным с конструктивной точки зрения. При проектировании транзисторных усилителей мощности весьма существенным параметром является мощность, рассеиваемая транзистором. Для ее расчета исследуют процесс отвода тепла с помощью электрической модели. [15]
Страницы: 1 2