Распространенный вариант

Cтраница 2

Довольно распространенным вариантом использования статистического метода в планировании является построение задач на основе учета фактора времени. В этом случае искомая ( прогнозируемая) величина выступает в значении функции времени. [16]

Другой широко распространенный вариант включения ОУ реализуется в виде неинвертирующего усилителя, принципиальная схема которого приведена на рис. 3.47. Входной сигнал здесь поступает на неинвертирующий вход ОУ, а на инвертирующий подается сигнал обратной связи. Нетрудно показать, что в инвертирующем усилителе на ОУ имеет место последовательная ООС по напряжению. [17]

Другой весьма распространенный вариант схемы генератора изображен на рис. 10.38. Необходимый для генерации баланс фаз здесь обеспечивается двумя ступенями усиления на сопротивлениях. Назначение же вспомогательной цепи Ci, / ч, С2, г2 заключается в том, чтобы обеспечивать выполнение фазового баланса по возможности в узкой области частот. Емкость Cg на выходе второй лампы выбирается большой, чтобы при частоте генерации сопротивление конденсатора Cg было очень малым по сравнению с Rg и цепочка Cg Rg не создавала заметного сдвига фазы. [18]

Самым распространенным вариантом является устройство входов в венткамеры с площадок лестничных клеток, а для приточных венткамер, кроме того, из коридоров бытовых и вспомогательных помещений. [19]

Наиболее широко распространенным вариантом является схема с одним ходом движения теплоносителя в межтрубном пространстве и с четным числом ходов труб. Подобные обозначения используются и в последующих разделах Справочника. [20]

Самыми распространенными вариантами структуры сборников и выпусков единых и ведомственных норм и расценок являются сборники, содержащие вводную часть, разделы, главы и параграфы, а также сборники, содержащие вводную часть, разделы, главы, технические части к каждому разделу или главе, параграфы. [21]

В менее распространенном варианте метода пик включается в треугольник. [22]

Один из распространенных вариантов, не требующих применения сложных метрологических средств, представлен на рис. 4.8, а, 6, из которого видно, что У отверстий следует измерять малый диаметр, а у валов - большой диаметр. [23]

Один из распространенных вариантов производства селена и теллура заключается в переводе Se и Те в состояние Э 4 и последующем восстановлении с помощью SOj. Процесс ведут в концентрированном растворе IICI; при восстановлении выделяется сначала элементный селен, затем, после сального разбавления раствора, теллур. [24]

Одним из широко распространенных вариантов распределительной хроматографии является бумажная хроматография. Ее применяют для анализа смесей многих фенолов, различающихся строением и изомерным составом. Метод весьма удобен для анализа фенольных стоков. Подвижной фазой могут служить циклогексан, этилацетат, толуол или ксилолы. Разделенные на бумаге фенолы идентифицируют колориметрически. Согласно некоторым методикам, фенолы предварительно переводят в бром-производные [77] 1 или. [25]

Один из широко распространенных вариантов каскодной схемы ( ОЭ - ОБ) приведен на рис. 17.7. В данной схеме входное напряжение подается на участок база - эмиттер транзистора VT1, включенного по схеме с ОЭ. Выход - ное напряжение снимается с участка коллектор - база транзистора. Каскодная вариант составного транзистора. [26]

Одним из достаточно распространенных вариантов замкнутых схем охлаждения является испарительное охлаждение доменных печей и других агрегатов черной и цветной металлургии. [27]

Принципиальная схема линейного последовательного компенсационного стабилизатора постоянного напряжения. [28]

Один из распространенных вариантов транзисторной схемы последовательного линейного компенсационного стабилизатора постоянного напряжения изображен на рис. 7.15. В этой схеме транзистор Т1 является регулирующим, а на транзисторе ТЗ собран усилитель постоянного тока. [29]

В наиболее широко распространенных вариантах периодической системы водород помещен в главной подгруппе I группы ( в скобках), а в главной подгруппе VII группы - без скобок. Этим условно выражено гораздо большее сходство водорода с галогенами, чем со щелочными металлами, в атомах которых так же, как и в атомах водорода, во внешнем уровне один s - электрон. До устойчивой оболочки благородного газа как в атомах водорода, так и в атомах галогенов не хватает одно го электрона. Присоединяя недостающий электрон, атомы этих элементов превращаются в отрицательно заряженные ионы Н - и Г - соответственно в гидридах и галидах. [30]

Страницы: 1 2 3 4