Cтраница 1
Произведение напряженности поля ( при его вертикальной поляризации) на действующую высоту антенны представляет собой эдс эквивалентного генератора, питающего вход приемника. Действующая высота может колебаться от половины почти до полной геометрической высоты - в зависимости от длины волны и размеров горизонтальной части антенны. [1]
![]() |
Конструкция СВЧ полоскового резонатора для модуляции излучения. [2] |
В LiTaO3 произведение напряженности поля на расстояние на уровне половины волны составляет всего 2700 в. Кроме того, разрушения в этом кристалле при мощностях излучения, достижимых в газовых ОКГ ( Не-Ne), невелики. [3]
![]() |
Сгущение линий электрической индукции однородным диэлектрическим шаром, помещенным в однородном. [4] |
Поэтому электрическая индукция D, равная произведению напряженности поля на диэлектрическую постоянную, в диэлектрических телах оказывается увеличенной в сравнении с величиной, которую индукция имела бы в том же месте поля в отсутствие здесь диэлектрика. Таким образом, в отличие от однородной диэлектрической среды, которая не влияет на распределение линий индукции, неоднородная диэлектрическая среда вызывает перераспределение линий индукции. Линии электрической индукции в отличие от силовых линий не прерываются на границе двух диэлектриков. Это существенно облегчает исследование поля в неоднородной диэлектрической среде. Тем не менее построение полной картины поля при наличии в поле диэлектрических тел несимметричной формы является сложной задачей. Деформация поля, вызываемая диэлектрическими телами, заключается, как было пояснено выше, во-первых, в уменьшении напряженности поля в этих телах, а отчасти и около них, и, во-вторых, в сгущении линий индукции в диэлектрических телах. [5]
![]() |
К закону полного.| К определению напряженности поля катушки, намотанной па кольцо. [6] |
Путем опытов и расчетов установлено, что произведение напряженности поля Н в точках контура на длину этого контура / равно току /, пронизывающему поверхность, ограниченную данным контуром. [7]
![]() |
К подсчету работы перемагничения. [8] |
Таким образом, плотность магнитной энергии определяется произведением напряженности поля Н и магнитной индукции В. [9]
![]() |
Система из дпух одинакпчых вертикальных вибраторов над землей. [10] |
Результирующая напряженность поля Е может быть представлена в виде произведения напряженности поля одиночного излучателя ва множитель решетки. [11]
Теперь попытаемся вычислить силу притяжения между обкладками плоского конденсатора как произведение напряженности поля, создаваемого одной из обкладок, на заряд, сосредоточенный на другой. [12]
Парамагнитное вещество втягивается в магнитное поле с силой, пропорциональной произведению напряженности поля на его градиент. Вообще парамагнетизм обусловлен присутствием в веществе ионов, атомов или молекул, имеющих неспаренные электроны. Каждая из этих частиц обладает определенным магнитным моментом, существующим в отсутствие внешнего магнитного поля. Диамагнитное вещество выталкивается из магнитного поля. Всякое вещество в какой-то мере обладает этим свойством. Диамагнетизм обусловлен небольшими индуцированными магнитными моментами, которые возникают в веществе, помещенном в магнитное поле, и не возникают в отсутствие внешнего магнитного поля. Такие индуцированные моменты направлены противоположно внешнему полю и поэтому приводят к выталкиванию вещества из магнитного поля. Наконец, существуют более сложные виды магнетизма, например ферромагнетизм и антиферромагнетизм, а также и некоторые другие, которые здесь рассмотрены не будут. [13]
При эквивалентной замене (V.42) предполагается, что влияние диэлектрика на замедление волны пропорционально произведению напряженности поля на площадь, занимаемую диэлектриком. При этом предполагается также, что напряженность электрического поля до и после введения диэлектрика мало изменяется и в первом приближении остается неизменной. При замене по формуле (V.42) диэлектрическая постоянная реального образца и эквивалентной системы одинаковы. Искомым является размер эквивалентной трубки. Так как поле меняется по частоте, то размеры эквивалентного диэлектрика также зависят от частоты. [14]