Cтраница 1
![]() |
Два точечных заряда в однородном диэлектрике. [1] |
Произведение диэлектрической проницаемости е, иногда называемой относительной диэлектрической проницаемостью, и электрической постоянной во, обозначают буквой еа и называют абсолютной диэлектрической проницаемостью. [2]
Произведение диэлектрической проницаемости е и электрической постоянной ЕО обозначают е и называют абсолютной диэлектрической проницаемостью. [3]
Произведение диэлектрической проницаемости е и электрической постоянной во обозначают еа и называют абсолютной диэлектрической проницаемостью. [4]
В этом выражении С sC0 - емкость конденсатора, равная произведению диэлектрической проницаемости е диэлектрика в зазоре между обкладками на емкость С0 того же конденсатора в отсутствие диэлектрика. [5]
Таким образом, постоянная времени саморазрядки зависит только от физических свойств диэлектрика, разделяющего обкладки, и пропорциональна произведению диэлектрической проницаемости и удельного сопротивления. Эта зависимость справедлива для конденсатора любой формы. [6]
Таким образом, подобно тому как разность потенциалов между любыми двумя точками определяется разностью значений потенциальных функций в этих двух точках, так и полный поток индукции, проходящий сквозь линию, соединяющую две произвольные точки в поле, равен произведению диэлектрической проницаемости е на разность значений функции потока в этих двух точках. [7]
Так называемый тангенс угла диэлектрических потерь tg б представляет собой весьма полезный безразмерный параметр, являющийся мерой отношения диссипированной электрической работы к запасенной энергии в периодически изменяющемся электрическом поле. Произведение диэлектрической проницаемости на тангенс угла потерь прямо пропорционально энергии, потерянной в диэлектрике, например в высоковольтном кабеле. [8]
ПМ, за исключением углепластиков, имеют такие электротехнические характеристики ( табл. 2.9), что по отношению к ним во время сборки нельзя применить резистивный нагрев. Величину произведения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь ПМ учитывают при оценке возможности их сварки ( см. раздел 6) или отверждения клея при высокочастотном нагреве. [10]
![]() |
Зависимость дифракционной эффективности модулятора ПРИЗ с ЭОП от пространственной частоты. [11] |
Анализ показывает, что такая чувствительность близка к теоретическому пределу для ПВМС, в которых для модуляции считывающего света используется электрооптический эффект в кристаллах. Предельная чувствительность таких модуляторов, оцениваемая для пространственных частот, соответствующих разрешающей способности ПВМС, зависит только от произведения диэлектрической проницаемости электрооптического кристалла на его полуволновое напряжение. Хотя каждый из этих параметров в отдельности может значительно изменяться от кристалла к кристаллу, их произведение для подавляющего большинства кристаллов остается в пределах порядка величины. В такой ситуации решением проблемы увеличения чувствительности электрооптических ПВМС может быть применение усилителя яркости записываемых изображений. [12]
Как указывалось в разд. Согласно закону Кулона, сила притяжения двух ионов с зарядами Z e и Z e пропорциональна произведению их зарядов и обратно пропорциональна произведению диэлектрической проницаемости на квадрат расстояния между ними. Закон Больцмана характеризует тенденцию теплового движения к противодействию электрическому притяжению. Если два иона находятся на близком расстоянии друг от друга, то тепловая энергия их может оказаться меньше энергии взаимного притяжения, и они могут существовать как ионная пара. Если же ионы расположены далеко друг от друга, то тепловая энергия может оказаться больше электростатического притяжения, и ионная пара не выдержит столкновения с молекулами растворителя, достаточно протяженными, так что их можно рассматривать как совокупность отдельных частиц с точки зрения участия в химических реакциях. На каком-то критическом промежуточном расстоянии силы электрического притяжения и теплового движения уравновешивают друг друга. [13]