Производство - диод
Cтраница 1
Производство диодов с точечным контактом в настоящее время налажено хорошо. Необходимая чистота в полупроводниках достигается выращиванием монокристаллов и очищением зон. Высокая плотность носителей, необходимая для получения малого сопротивления в прямом направлении, достигается, например, в кремнии р-типа присадкой бора в количестве 50 - 200 частей на миллион; сопротивление пробоя улучшается благодаря добавлению около 0 1 % алюминия или бериллия. Пластинки, отрезанные от монокристалла, шлифуют, полируют и обрабатывают термически, например, помещая их в воздухе с температурой 900 С; оксидный слой на отшлифованной поверхности удаляется травлением в плавиковой кислоте. Нешлифованная обратная поверхность покрывается металлической пленкой, осаждаемой гальванически или путем распыления, для обеспечения хорошего контакта и для облегчения пайки опоры. Затем пластинки разрезают на квадраты с размерами, зависящими от рабочей частоты. Контактная пружина может быть сделана из фосфористой бронзы, но обычно применяется вольфрам. Провод диаметром 0 025 мм методом точечной сварки прикрепляется к никелевому опорному стержню и изгибается с нужной конфигурацией в виде буквы S в шаблоне. Гладкое конусообразное острие достигается благодаря срезу проволоки под соответствующим углом или с помощью электролитического процесса. При окончательной сборке устанавливается надлежащее контактное давление и на осциллографе проверяется вольтамперная характеристика; эта характеристика затем регулируется путем обработки контакта, заключающейся для кремния р-типа в механическом постукивании, а для германия гс-типа и арсенида галия / г-типа в подаче электрических импульсов. [1]
Так как при производстве диодов Ганна обоих типов применяются процессы фотолитографии, то поверхность эпитаксиалышх структур должна быть зеркально гладкой и не содержать неровностей более 0 3 мкм. [2]
 |
График зависимости сопротивления селенового диода от приложенного напряжения. [3] |
Селен, применяемый при производстве диодов, по своим химическим свойствам близок к сере. Он имеет свинцово-серый цвет и кристаллическое строение. [4]
Необходимо отметить, что с самого начала разработок и производства диодов сложились две системы их условных обозначений, которые с определенными изменениями действуют и в настоящее время. Одна система распространяется на диоды малой мощности, применяемые ( в основном) в различных цепях радиоэлектронной аппаратуры, другая - на силовые диоды, средний ток которых превышает 10 А, используемые в мощных преобразователях электроэнергии. [5]
 |
Схема для измерения параметров прямой ветви вольт-амперной характеристики диодов.| Схема для проверки диодов в диапазоне частот. [6] |
В соответствии с табл. 3 эти параметры также контролируются при производстве диодов. [7]
В соответствии с табл. 2 зти параметры также контролируются при производстве диодов. [8]
Существуют различные методы создания р - n - переходов при производстве диодов. Мы лишь кратко остановимся на них, не вдаваясь в рассмотрение важных технологических деталей. В настоящее время для изготовления диодов с большой площадью перехода неизменно используют монокристаллы. Среди наиболее распространенных методов получения р - n - переходов важнейшим является метод вытягивания р - п-пере-хода из расплава. Предположим, что вначале выращивается монокристалл n - типа. Перед началом процесса вытягивания кристалла в расплав вводится необходимая концентрация доноров. На определенной стадии процесса выращивания в расплав вводится несколько кусочков вещества, содержащего акцепторные примеси, и процесс роста кристалла продолжается. Трудности получения однородного распределения концентрации некоторых примесей в кремнии связаны с их быстрым испарением в процессе роста кристалла из расплава. Полученные таким образом р - / г-переходы бывают очень тонкими и обладают характеристиками идеального р - п-перехода. Для визуального выявления участков, содержащих р - п-переход, можно пользоваться некоторыми травителями, которые по-разному воздействуют на материал с проводимостью п - и р-типа. [9]
Однако диффузия и концентрационное переохлаждение могут доставлять неприятности при высоких концентрациях активаторов ( например, при производстве диодов по методу Есаки [27]) и при выращивании инкон-груэнтно плавящихся окислов неорганических материалов и других соединений, у которых максимальная температура плавления не соответствует нужной стехиометрии и у которых кристалл и расплав сильно различаются по составу. Перемешивание расплава уменьшает толщину диффузионного слоя, снижая вероятность возникновения зоны концентрационного переохлаждения. Но как показал Хэрл [28], концентрационное переохлаждение возможно даже в перемешиваемых расплавах. При k0 1 концентрация примеси или активатора перед кристаллической поверхностью возрастает по мере роста и достигает стационарного уровня CQ. Развивая представления Бартона и др. [24], рассматривавших зависимость & эфф от скорости перемешивания, Хэрл [28] вывел уравнение, связывающее возникновение концентрационного переохлаждения со скоростью перемешивания. [10]
В конце 50 - х годов в СССР возникла полупроводниковая промышленность: были проведены разработки и создано производство диодов и транзисторов. [11]
При производстве высокочастотных ( ВЧ) и сверхвысокочастотных ( СВЧ) диодов, так же как и при производстве диодов выпрямительных, измеряется величина максимального обратного напряжения при заданном значении обратного тока. Кроме того, измеряется величина прямого падения напряжения при заданном прямом токе. Эти параметры являются классификационными. [12]
Номенклатура полупроводниковых материалов очень широкая, однако только немногие из них удовлетворяют всем указанным требованиям, в связи с чем в производстве диодов и транзисторов нашли пока широкое применение лишь германий кремний и арсенид галлия. [13]
Совершенно новые возможности открывают такие типы диодов, как параметрический диод и кремниевый стабилитрон, появление которых стало возможным прежде всего с развитием производства монокристаллических диодов, преимущественно на основе кремния. [14]
 |
Функции К ( гОПт и УСс ( гСс. [15] |
Страницы: 1 2