Производство - полупроводниковый кремний
Cтраница 1
Производство полупроводникового кремния связано с использованием и получением огневэрывопожароопасных и токсичных веществ, электроэнергии и др. Поэтому необходимо знать некоторые характеристики исходных, промежуточных и конечных продуктов, а также общие правила безопасности при работе с электроустановками и оборудованием. [1]
Технологические операции производства полупроводникового кремния связаны с извлечением его из различных соединений, очисткой от сопутствующих примесей и формированием необходимых свойств. На этом пути атомы кремния вступают в различные химические реакции, оказываются то в газовой, то в жидкой среде и, наконец, в составе чистейших твердых кристаллов. На каждом этапе технологической цепи происходят процессы, связанные с взаимодействием атомов и молекул, образование различных соединений, отделение сопутствующих атомов от агрегатного кремния и далее определенное легирование конечного продукта. Кроме того, конечный продукт должен соответствовать конкретным требованиям к совершенству структуры, наличию либо отсутствию определенных дефектов в атомном строении твердого кремния. На каждом этапе происходит процесс, который подлежит строгому контролю и требует глубокого понимания его механизма. Этот механизм определяется двумя факторами: кинетической энергией поступательного движения молекул ( атомов) и потенциальной энергией их взаимодействия. [2]
 |
Химический состав кристаллического кремния. [3] |
Высшие сорта кристаллического кремния служат исходным сырьем для производства полупроводникового кремния. [4]
После дополнительной очистки такой Тетрахлорсилан может быть также использован для производства полупроводникового кремния. [5]
Задача определения примесей углерода и газов имеет большое значение в технологии производства полупроводникового кремния. [6]
 |
Схема электролизера для получения водорода. [7] |
Несмотря на высокую энергоемкость этого процесса, он широко применяется в системе газоснабжения производства полупроводникового кремния, так как при этом получается весьма чистый продукт. [8]
Содержатся сведения об основных свойствах, а также методах синтеза и очистки материалов, применяемых в производстве полупроводникового кремния. Изложены основы химии процессов очистки и восстановления; детально описано аппаратурное оформление. Значительное внимание уделено вопросам автоматизации, экономики и техники безопасности процесса. [9]
Стали, содержащие молибден, склонны к пассивации как в окислительных и восстановительных средах, так и в средах, содержащих хлор-ионы, характерных для производства полупроводникового кремния. [10]
В большом количестве выпускаются NaCIO и Са ( С1О) 2 как дезинфицирующие и отбеливающие средства для бумажной пульпы и текстильных волокон; А1С1з, используемый как катализатор; SiCU, SiHCla - вещества, необходимые для производства полупроводникового кремния; ССЦ - как растворитель масел, смол и жиров. [11]
Различие в температурах возгонки ZrCU 330 С и кипения SiCl4 ( 58 С) позволяет в первых конденсаторах, в которых поддерживают температуру 150 - 180 С, сконденсировать хлорид циркония, а в следующих конденсаторах, охлаждаемых водой или солевым раствором, имеющим температуру - 10 С - жидкий хлорид кремния. Последний находит применение в производстве различных кремнийорганических соединений, а также может служить исходным сырьем для производства полупроводникового кремния. [12]
 |
Начальные части диаграммы состояния. в - fc0 1. б - fc0 1.| Равновесие между кристаллом, расплавом и паром в системах. [13] |
Штриховые линии показывают состояние, в котором система отклоняется от равновесия. Это состояние называют метастабильным равновесием и оно, как правило, связано с процессом образования либо твердого тела из жидкости и пара, либо жидкости из пара при пониженной температуре. Эти важные в производстве полупроводникового кремния процессы являются и наиболее сложными для понимания и сознательного управления ими. [14]
Страницы: 1