Cтраница 1
Термокомпенсирующие прокладки изготовляют в виде дисков, которые подвергают тщательной шлифовке для более плотного прилегания их к поверности полупроводникового монокристалла. Это способствует уменьшению толщины слоя припоя и механических напряжений в полупроводниковом элементе. [1]
В настоящее время ведутся работы по изготовлению термокомпенсирующих прокладок из сплавов вольфрама и керамики на основе окиси бериллия. [2]
Наиболее часто при изготовлении силовых полупроводниковых приборов используют термокомпенсирующие прокладки, имеющие близкий с полупроводником температурный коэффициент линейного расширения. Материал прокладки должен обладать высокой теплопроводностью, хорошо смачиваться электродным материалом или припоем, не вносить загрязняющих примесей в полупроводник при сплавлении и хорошо обрабатываться. Для кремния и германия термокомпенсирующие прокладки изготовляют из молибдена и вольфрама. В силовых кремниевых вентилях и тиристорах обычно используют вольфрамовые термокомпенсирующие прокладки, так как их температурные коэффициенты линейного расширения более близки; кроме того, вольфрам обладает лучшей теплопроводностью по сравнению с молибденом. [3]
Из уравнения (6.1) видно, что эффективность теплоотвода зависит от теплопроводности материала термокомпенсирующих прокладок, контактов, корпуса и охладителя, разности температур полупроводникового элемента и поверхности охладителя, величины теплопроводящей поверхности и конструкции корпуса прибора и охладителя. [4]
Это обусловлено высокой скоростью травления молибдена в тех травителях, которые применяются для обработки полупроводникового элемента. Металлизация поверхности термокомпенсирующих прокладок позволяет снизить температуру пайки или сплавления. [5]
Растрескивание кристалла чаще всего является следствием разницы в температурных коэффициентах линейного расширения полупроводника и электродного материала. Такой вид отказов характерен для мощных транзисторов, и, чтобы не допустить этих дефектов, применяют, например, термокомпенсирующие прокладки. [6]
Растрескивание кристалла чаще всего является следствием разницы в температурных коэффициентах линейного расширения полупроводника и электродного материала. Такой вид отказов характерен для мощных транзисторов, и, чтобы не допустить эти дефекты, применяют, например, термокомпенсирующие прокладки. [7]
Растрескивание кристалла чаще всего является следствием разницы в температурных коэффициентах линейного расширения полупроводника и электродного материала. Такой вид - отказов характерен для мощных транзисторов, и, чтобы не допустить этих дефектов, применяют, например, термокомпенсирующие прокладки. [8]
Наиболее часто при изготовлении силовых полупроводниковых приборов используют термокомпенсирующие прокладки, имеющие близкий с полупроводником температурный коэффициент линейного расширения. Материал прокладки должен обладать высокой теплопроводностью, хорошо смачиваться электродным материалом или припоем, не вносить загрязняющих примесей в полупроводник при сплавлении и хорошо обрабатываться. Для кремния и германия термокомпенсирующие прокладки изготовляют из молибдена и вольфрама. В силовых кремниевых вентилях и тиристорах обычно используют вольфрамовые термокомпенсирующие прокладки, так как их температурные коэффициенты линейного расширения более близки; кроме того, вольфрам обладает лучшей теплопроводностью по сравнению с молибденом. [9]
Наиболее часто при изготовлении силовых полупроводниковых приборов используют термокомпенсирующие прокладки, имеющие близкий с полупроводником температурный коэффициент линейного расширения. Материал прокладки должен обладать высокой теплопроводностью, хорошо смачиваться электродным материалом или припоем, не вносить загрязняющих примесей в полупроводник при сплавлении и хорошо обрабатываться. Для кремния и германия термокомпенсирующие прокладки изготовляют из молибдена и вольфрама. В силовых кремниевых вентилях и тиристорах обычно используют вольфрамовые термокомпенсирующие прокладки, так как их температурные коэффициенты линейного расширения более близки; кроме того, вольфрам обладает лучшей теплопроводностью по сравнению с молибденом. [10]
Важными параметрами прижимных контактов являются величины теплового и электрического сопротивлений контактных соединений и их стабильность во времени, а также способность взаимного перемещения контактных поверхностей. Сточки зрения улучшения параметров прижимных контактов сжимающее усилие должно быть возможно большим. Но значительные усилия вызывают текучесть металлов и могут привести к разрушению прибора. Поэтому прижимной контакт соединения термокомпенсирующая прокладка - основание сочетают со сплавными или жидкометаллическими контактами между полупроводниковым монокристаллом и термоком-пенсирующими прокладками. [11]