Дальнейшее проникновение
Cтраница 1
Дальнейшее проникновение в мир малых объектов стало возможным после изобретения электронных микроокопов, лучшие из которых дают полезное увеличение до 200 тыс. раз. Это позволяет наблюдать и изучать объекты примерно в 100 раз более мелкие, чем при наблюдении в световых микроскопах. [1]
Дальнейшее проникновение в механизм радиолиза углеводородов возможно путем сравнения действительно наблюдаемых выходов продуктов с вычисленными выходами тех продуктов, образование которых ожидается на основе сообщенных выходов радикалов. [2]
Дальнейшее проникновение в детальный ферментативный механизм гидроксилирования зависит от понимания способа активации кислорода и выяснения функции НАДФ. Эти вопросы стали более понятны после открытия ряда окисляющих ферментов, которые переносят кислород непосредственно на субстрат. [3]
Дальнейшее проникновение в механизм радиолиза углеводородов возможно путем сравнения действительно наблюдаемых выходов продуктов с вычисленными выходами тех продуктов, образование которых ожидается на основе сообщенных выходов радикалов. [4]
Дальнейшее проникновение растворителя внутрь пачек может вызвать их распад на отдельные макромолекулы. [5]
 |
Распределение напряжений по емкостной цепи обмотки с заземленным концом. [6] |
Процесс дальнейшего проникновения волны в обмотку трансформатора удобнее рассмотреть, считая, что волна имеет прямоугольную форму, показанную пунктиром на рис. 14 - 1 внизу. В этом случае напряжение Um в начале обмотки, появляющееся в течение времени / ф 0, в дальнейшем не изменяется и через некоторое время все точки обмотки приобретают определенное установившееся напряжение. Такое распределение напряжений называют конечным. [7]
 |
Распределение напряжений по емкостной цепи обмотки с заземленным концом. [8] |
Процесс дальнейшего проникновения волны в обмотку трансформатора удобнее рассмотреть, считая, что волна имеет прямоугольную форму, показанную пунктиром на рис. 14 - 1 внизу. Такое распределение напряжений называют конечным. [9]
Давление набухания ограничивает дальнейшее проникновение растворителя в ионообменник и зависит от тех же факторов, что и набухание. [11]
Это поле препятствует дальнейшему проникновению носителей заряда - электронов и дырок из одного полупроводника в другой. [12]
Существенно расширились возможности для дальнейшего проникновения различных областей знания друг в друга. [13]
Прочная пленка окисла препятствует дальнейшему проникновению кислорода в глубь твердой фазы. [14]
Прочная пленка оксида препятствует дальнейшему проникновению кислорода в глубь твердой фазы. [15]
Страницы: 1 2 3 4