Обратимая проницаемость
Cтраница 1
Обратимая проницаемость максимальна, когда материал размагничен и подмагничивающее поле Н0 отсутствует; при возрастании поля Н0 она уменьшается. Важно отметить, что величина ц 0бр меньше статической и дифференциальной магнитных проницаемостей. [1]
Обратимая проницаемость ферритов зависит от напряженности как переменного, так и постоянного подмагничивающего поля по некоторому нелинейному закону. При заданном значении напряженности переменного поля увеличение постоянного поля приводит к спаду проницаемости; этот спад для ферритов постоянен в широком диапазоне частот, что позволяет эффективно использовать ферриты для перестройки частоты контуров. [2]
 |
Изменение обратимой проницаемости в зависимости от напряженности поля. Феррит.| Температурная зависимость. [3] |
Изменение обратимой проницаемости и тангенса угла потерь с изменением напряженности переменного поля наиболее резко проявляется при малых значениях напряженности постоянного поля. [4]
 |
Обратимая проницаемость феррита 1000НМЗ ( сплошная линия и цепей с зазором ( пунктирные линии при заз / / 0 0007 ( кривая / 0 005 ( кривая 2 и 0 01 ( кривая 3. [5] |
Дезакко-модацию обратимой проницаемости ограничивают в технических требованиях к материалу либо величиной ее в процентах, либо так называемым временем восстановления, которое необходимо для того, чтобы после падения тока смещения до нуля в конце каждого цикла контур вернулся в исходное ( или близкое ему) состояние резонанса. [6]
Температурный коэффициент обратимой проницаемости на различных частных циклах отличается от значения ТКЦобр - может иметь также иной знак. [7]
Коэффициент возврата или обратимая проницаемость будут в дальнейшем использованы при расчетах. [8]
АН до нуля, называется обратимой проницаемостью цг. [9]
 |
Кривая намагничивании пермендюра с содержанием 1 8 % ванадия. [10] |
Кроме большой индукции насыщения пермендюр обладает значительной обратимой проницаемостью, что делает его особенно ценным в качестве материала для мембран телефона. Пермендюр имеет высокую магнитострикцию. [11]
 |
Зависимость обратимой проницаемости от напряженности поля для петли гистерезиса. [12] |
На рис. 1 - 15 показана зависимость обратимой проницаемости на петле гистерезиса от напряженности поля. Стрелками показан ход кривой из размагниченного состояния. [13]
Кроме большого значения индукции насыщения пермендюр обладает значительной обратимой проницаемостью, что делает его особенно ценным в качестве материала для телефонных мембран. [14]
Кроме большого значения индукции насыщения пермендюр обладает значительной обратимой проницаемостью, что делает его особенно ценным в качестве материала для телефонных мембран. [15]
Страницы: 1 2 3