Диэлектрическая проницаемость - вещество
Cтраница 1
Диэлектрическая проницаемость вещества ( е) определяется отношением емкости электрического конденсатора, заполненного Этим веществом, к емкости того же конденсатора в вакууме при некоторой частоте внешнего поля. [1]
 |
Изменение диэлектрической постоянной влажности и сухого угля в зависимости от содержания углерода. [2] |
Диэлектрическая проницаемость вещества выражается отношением силы взаимодействия электрических зарядов в вакууме к силе взаимодействия их в данном диэлектрике или полупроводнике. [3]
Диэлектрические проницаемости вещества слоев равны е, 4е0, s2 2е0, их толщины d 2 мм, d2 - 3 мм. Напряжение между обкладками равно и 200 В. [4]
Диэлектрическая проницаемость вещества ( е) определяется отношением емкости электрического конденсатора, заполненного Этим веществом, к емкости того же конденсатора в вакууме при некоторой частоте внешнего поля. [5]
Диэлектрическая проницаемость вещества ( е) определяется отношением емкости электрического конденсатора, заполненного этим веществом, к емкости того же конденсатора в вакууме при некоторой частоте внешнего поля. [6]
Диэлектрическая проницаемость вещества связана не только с постоянным дипольным моментом молекулы, но и с ее деформацией под действием поля. [7]
Диэлектрическая проницаемость вещества ( е) определяется отношением емкости электрического конденсатора, заполненного диэлектриком, к емкости того же конденсатора в вакууме. [8]
Диэлектрические проницаемости вещества изоляции двух неискажающих кабельных линий одинакового исполнения связаны соотношением 8i e2, Как соотносятся величины Zj и Z2 и 2 Pi и Рг ai и а2 этих линий. [9]
Диэлектрическую проницаемость вещества можно измерить, определяя отношение емкостей конденсатора с веществом и без него. Электрическая аппаратура состоит из конденсатора, емкость которого подлежит определению, соединенного параллельно с калиброванным переменным конденсатором в резонансном контуре; определение проводят путем настройки переменного конденсатора Так, чтобы поддерживалась резонансная частота. Это достигается при условии, что сумма емкостей двух конденсаторов является постоянной. [10]
Если диэлектрическая проницаемость изолирующего вещества конденсатора зависит от напряженности электрического поля, то и емкость конденсатора зависит от напряжения на нем. Зависимость заряда q такого конденсатора от напряжения и нелинейная. [11]
Если диэлектрическая проницаемость изолирующего вещества конденсатора зависит от напряженности электрического поля, то и емкость конденсатора зависит от напряжения на нем. Зависимость заряда q такого конденсатора от напряжения и нелинейная. [12]
Если диэлектрическая проницаемость изолирующего вещества конденсатора зависит от напряженности электрического поля, то и емкость конденсатора зависит от напряжения на нем. Зависимость заряда g такого конденсатора от напряжения и нелинейная. [13]
 |
Электрическое поле заряженного проводящего шара в двух веществах. а - вещество с диэлектрической проницаемостью Е. б - вещество с прони - i цаемостью 2в. [14] |
Следовательно, диэлектрическая проницаемость вещества определяет его способность поляризоваться в электрическом, поле. [15]
Страницы: 1 2 3 4