Диэлектрическая проницаемость - сегнетоэлектрик
Cтраница 1
Диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика растет с увеличением приложенного напряжения только до температуры Кюри. В области температур, превышающих температуру Кюри, зависимость диэлектрической проницаемости от температуры и другие сегнетоэлект-рические свойства сегнетоэлектриков исчезают; они превращаются в обычные диэлектрики. [1]
Диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков имеет высокие значения ( порядка нескольких тысяч), она зависит от величины приложенного электрического поля. [2]
Диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков очень высока ( - 104), в то время как у большинства обычных диэлектриков диэлектрическая проницаемость составляет несколько единиц. [3]
Диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков, измеряемая в слабых полях, зависит от частоты. С повышением частоты е может понизиться в области, где частота поля близка к частоте резонансных колебаний испытуемого образца. [4]
 |
Зависимость диэлектрической проницаемости льда от температуры при различных частотах.| Зависимость диэлектрической проницаемости метатитаната бария от температуры. [5] |
Диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков велика и имеет резко выраженную зависимость от напряженности поля и от температуры. [6]
 |
Схематическое изображение петли гистерезиса сегнетоэлектриче-ского материала, OD - остаточная поляризация. [7] |
Измерение диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков показало, что она непостоянна и в некоторых интервалах температур достигает больших величин. [8]
При этом диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков достигает огромных значений по сравнению с обычными диэлектриками. [9]
Так как диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика уменьшается при увеличении абсолютной величины напряжения, подводимого к конденсатору, то емкость конденсатора также уменьшается, а его емкостное сопротивление ( см.) Хс увеличивается ( рис., Б), вследствие чего уменьшается ток i. BX вблизи рабочей точки ( рис., Г) будет аналогична характеристике электронной лампы в усилительном режиме. [10]
 |
Схематическое изображение петли гистерезиса сегнетоэлектриче-ского материала, OD - остаточная поляризация. [11] |
Оказывается, что диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков зависит еще и от напряженности электрического поля в них. [12]
С увеличением напряженности электрического поля диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика уменьшается, а следовательно, уменьшается и емкость конденсатора. U заряд Q сначала растет почти пропорционально U, а затем все медленнее и медленнее. Емкость С при этом соответственно уменьшается. [13]
С увеличением напряженности электрического пиля диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика уменьшается, а следовательно, уменьшается и емкость конденсатора. [14]
В табл. 15 приведены значения диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков. [15]
Страницы: 1 2