Диэлектрическая проницаемость - слюда
Cтраница 1
Диэлектрическая проницаемость слюды мало зависит от температуры и не изменяется со временем. Однако стабильность емкости слюдяного конденсатора в сильной степени зависит от его конструкции и технологии и при невысоком уровне производства может оказаться неудовлетворительной. [2]
 |
Гибкость мусковита и флогопита. [3] |
При измерении tg6 и диэлектрической проницаемости слюды особенное внимание должно быть обращено на тщательность прилегания измерительных электродов к образцу, так как воздушные зазоры между электродами и образцом сильно искажают получаемые результаты. [4]
При измерении tg б и диэлектрической проницаемости слюды особенное внимание должно быть обращено на тщательность прилегания измерительных электродов к образцу, так как воздушные зазоры между электродами и образцом сильно искажают получаемые результаты. Величина диэлектрической проницаемости слюды лежит обычно в пределах 6 - 7 5; у мусковита она, как правило, несколько больше, чем у флогопита. Величина tg8 у мусковита, как правило, значительно меньше, чем у флогопита. Но у сильно пятнистого мусковита tg6 может быть больше, чем у хорошего флогопита. У чистого мусковита tg8 при 50 гц в направлении, перпендикулярном плоскости спайности, лежит в пределах от нескольких десятитысячных до нескольких тысячных долей единицы. С повышением частоты диэлектрическая проницаемость и tg8 слюды уменьшаются. [5]
Площадь каждой пластины конденсатора равна 25 сы Чему равна диэлектрическая проницаемость слюды. [6]
При измерении tg б и диэлектрической проницаемости слюды особенное внимание должно быть обращено на тщательность прилегания измерительных электродов к образцу, так как воздушные зазоры между электродами и образцом сильно искажают получаемые результаты. Величина диэлектрической проницаемости слюды лежит обычно в пределах 6 - 7 5; у мусковита она, как правило, несколько больше, чем у флогопита. Величина tg8 у мусковита, как правило, значительно меньше, чем у флогопита. Но у сильно пятнистого мусковита tg6 может быть больше, чем у хорошего флогопита. У чистого мусковита tg8 при 50 гц в направлении, перпендикулярном плоскости спайности, лежит в пределах от нескольких десятитысячных до нескольких тысячных долей единицы. С повышением частоты диэлектрическая проницаемость и tg8 слюды уменьшаются. [7]
 |
Иллюстрация ко вто-рому закону Кирхгофа. [8] |
Плоский конденсатор, диэлектриком которого служит слюда толщиной Змм, имеет емкость С0 0443 10 - 3 мкф. Чему равна диэлектрическая проницаемость слюды. [9]
Плоский конденсатор, диэлектриком которого служит слюда толщиной 3 мм, имеет емкость С 0 0443 Ю-3 мкф. Чему равна диэлектрическая проницаемость слюды. [10]
 |
Конденсаторы типа КСО. [11] |
Наихудшую стабильность имеют конденсаторы группы А, у которых обкладки выполнены из фольги. Изменение емкости конденсаторов группы А происходит за счет изменения площади обкладок, толщины и диэлектрической проницаемости слюды, а также за счет изменения величины воздушных зазоров между слюдой и обкладкой при изменении объема воздуха от нагрева. [12]
 |
Схема слюдяного кон денсатора. [13] |
Наихудшую стабильность имеют конденсаторы группы А, у которых обкладки выполнены из фольги. Изменение емкости конденсаторов группы А происходит за счет изменения площади обкладок, толщины и диэлектрической проницаемости слюды, а также за счет изменения величины воздушных зазоров между слюдой и обкладкой при изменении объема воздуха. [14]
Это объясняется степенью удаления влаги, адсорбированной образцами синтетической слюды ( имеющей трещины, сколы, царапины и недоснятия) из воздуха до помещения их в измерительную камеру. По мере удаления влаги из слюды кривые сближаются и значения р в интервале температур 400 - 600 С практически одинаковы. Температурная зависимость тангенса угла диэлектрических потерь и диэлектрической проницаемости слюды в вакууме и в воздушной среде ( рис. 3.12) показывает, что при 20 - 400 С их значения практически не меняются. Некоторый рост tg б и е наблюдается в интервале 400 - 600 С. Из рис. 3.12 видно, что Ещ, фторфлогопита при температуре 850 С составляет около 60 % электрической прочности этого материала, определенной при 20 С. [15]
Страницы: 1 2