Эффективная диэлектрическая проницаемость
Cтраница 1
Эффективная диэлектрическая проницаемость, описанная в § 3 2, является мощным инструментом при решении задач, связанных с одномерной совокупностью электродов на поверхности пьезоэлектрического полупространства. В случае временной зависимости вида exp ( jtof) поверхностный потенциал ф ( хг) и плотность зарядов a ( xt) связаны между собой эффективной диэлектрической проницаемостью. Чтобы получить решение, следует добавить соответствующие граничные условия. [1]
Эффективную диэлектрическую проницаемость слоистой системы определяют обычным способом как отношение плотности заряда к потенциалу в плоскости преобразователя. Как и раньше, двумя ключевыми параметрами являются скорости ПАВ в случае неметаллизированной поверхности и в случае, когда в этой плоскости расположен сплошной проводящий слой. Разность скоростей является мерой электромеханической связи. [2]
Понятие эффективной диэлектрической проницаемости позволяет исследовать возбуждение любых акустических волн. Так, наряду с возбуждением рэлеевских волн эффективная диэлектрическая проницаемость описывает возбуждение волн Гуляева - Блюштейна, псевдоповерхностных и объемных волн. Многие свойства этих волн в рассматриваемом материале можно фактически вывести, анализируя эффективную диэлектрическую проницаемость. Следует, однако, отметить, что диэлектрическая проницаемость никак не отражает существование волн, не связанных пьезоэлектрически с поверхностью. Конечно, такие волны в пьезоэлектриках нельзя возбудить поверхностными электродами. Тем не менее они могут существовать в реальных устройствах из-за преобразования мод на неоднородностях, например на краю подложки. [3]
Отличие эффективной диэлектрической проницаемости от ее среднего значения тесно связано с учетом рассеяния электромагнитного поля на флуктуациях диэлектрической проницаемости. Для излагаемой теории важную роль играет условие статистического равновесия. В результате дело сводится просто к учету изменения средних значений параметров среды за счет взаимодействия с длинноволновым равновесным флуктуационным электромагнитным полем. Аномальный рост ван-дер-ваальсовых поправок к диэлектрической проницаемости означает неприменимость результатов излагаемой теории в данных условиях. Эти результаты, вообще говоря, неприменимы вблизи точек таких фазовых переходов в среде, при которых имеют место сильные длинноволновые флуктуации ее электрических или магнитных характеристик. [4]
Определяем эффективную диэлектрическую проницаемость по-лоскового волновода по формуле. [5]
Рассмотрим теперь эффективную диэлектрическую проницаемость пьезоэлектрического полупространства. Материал, излагаемый далее, более всего соответствует работе Милсома. [6]
 |
Щелочной гидролиз некоторых замещенных этилбензоатов в смеси диоксана и воды при 25 С. [7] |
Следовательно, эффективная диэлектрическая проницаемость в среднем составляет всего около одной десятой от макроскопического ее значения. Начальное отрицательное значение производной для пара-аминоэтил-бензоата согласуется с уравнением ( 9.23 б) и означает, что электростатические силы, по-видимому, действуют через бензольное кольцо, а не через растворитель. [8]
Де - эффективная диэлектрическая проницаемость, определяемая диэлектрической проницаемостью растворителя D и диэлектрической проницаемостью диссоциирующего вещества и зависящая от того, в какой степени силовые линии между протоном и отрицательным зарядом проходят через растворитель и растворенную кислоту. [9]
 |
Щелочной гидролиз некоторых замещенных этилбензоатов в смеси диоксана и воды при 25 С. [10] |
Следовательно, эффективная диэлектрическая проницаемость в среднем составляет всего около одной десятой от макроскопического ее значения. Начальное отрицательное значение производной для пара-аминоэтил-бензоата согласуется с уравнением ( 9.23 б) и означает, что электростатические силы, по-видимому, действуют через бензольное кольцо, а не через растворитель. [11]
Итак, эффективная диэлектрическая проницаемость определяет электрические свойства границы раздела между вакуумом и пьезоэлектрическим полупространством. [12]
При расчетах эффективной диэлектрической проницаемости и волнового сопротивления СЩЛ часто используется модель линии с электрическими и магнитными стенками ( рис. 1.10, д, е); это позволяет с известной степенью точности представить СЩЛ в виде прямоугольного волновода и решать задачу в прямоугольных координатах. Волноводные модели, изображенные на рис. 1.10, д, е, предполагают распространение волны без потерь в продольном направлении СЩЛ. [13]
Выражение для эффективной диэлектрической проницаемости (2.34) получено в предположении, что плоскость, которую занимает электронная система, помещена в однородную среду. В действительности кар-ина более сложная. Электроны, образующие инверсионный слой в полупроводнике, лежат между слоем диэлектрика, граничащим с металлическим затвором, и слоем пространственного заряда, граничащим с объемом полупроводника. В непосредственной близости от системы электронов на поверхности жидкого гелия обычно тоже имеются металлические электроды. Существование проводящих границ изменяет дисперсионное соотношение для плазмона. [14]
Здесь для эффективной диэлектрической проницаемости гидратационной воды взято значение 10, а расстояние т от центра иона до центра водного диполя приравнено кристаллографическому ионному радиусу плюс 0 7 А. [15]
Страницы: 1 2 3 4