Cтраница 1
![]() |
Влияние электропроводности поровой жидкости Хр на электропроводность диафрагмы х ( концентрация КС1 менялась от 5 - 10 - 5 до 2 - 10 - 3 N. Размер зерен 9 л. Т 20. [1] |
Низкочастотная диэлектрическая проницаемость несколько уменьшается с повышением концентрации, причем наиболее резкие изменения имеются при низких концентрациях. Проводимость смеси значительно превосходит расчетную при низкой концентрации, что связано с поверхностной проводимостью. При повышении концентрации КС1 теоретические и измеренные значения и совпадают. [2]
Исследована аномальная низкочастотная диэлектрическая проницаемость увлажняемого кварцевого порошка в зависимости от степени влажности. [3]
![]() |
Блок-схема прибора для измерения диэлектрической проницаемости в низкочастотных полях. [4] |
Что касается методики измерений низкочастотной диэлектрической проницаемости е у, то она не нова. [5]
В работе [9] обнаружена зависимость низкочастотной диэлектрической проницаемости от pil. Эти факты говорят о том, что одна только модель постоянных диполей недостаточна для объяснения данных о низкочастотной дисперсии диэлектрической проницаемости. Кроме того, количественная интерпретация данных о низкочастотной диэлектрической проницаемости па основе представления о диполыюй ориентации сильно осложняется, так как существующие теории не учитывают экранирования макродиполей диффузной атмосферой, образованной свободными зарядами проводящей среды. Этот фактор в случае, когда дебаевский радиус экранирования меньше характерных линейных размеров диполя, должен значительно уменьшать величину диэлектрического инкремента, обусловленного ориентацией постоянных диполей. [6]
В работах [18-21] показано, что гигантские значения низкочастотной диэлектрической проницаемости водных суспензий могут быть объяснены на основе имеющихся представлений о строении диффузной обкладки двойного электрического слоя по Гун - Чепмену, если учесть возникающий при поляризации двойного слоя во внешнем электрическом поле перепад концентрации электролита за его пределами. Согласно теории [20], низкочастотный предел диэлектрической проницаемости сильно зависит от заряда частиц суспензии, а время низкочастотной диэлектрической релаксации - от линейного размера частиц, что позволяет по измерениям низкочастотной дисперсии диэлектрической проницаемости судить об этих характеристиках. Результаты работ [ 1U, 20 ] относятся к суспензии сферических частиц и согласуются с экспериментальными данными для соответствующей системы, но на их основе нельзя интерпретировать данные о диэлектрической проницаемости растворов полиэлектролитов с линейным строением макроионов. Для интерпретации данных о диэлектрической проницаемости растворов полиэлектролитов при таких экспериментальных ситуациях, когда макромолекулу можно считать жесткой палочкой, в настоящей работе развита теория поляризации двойного слоя и диэлектрической проницаемости суспензии палочкообразных частиц. [7]
Установлено, что поверхностная поляризация дает вклад в общую низкочастотную диэлектрическую проницаемость системы. Этот вклад ис-чезающе мал лишь при высоких частотах и больших размерах зерен. [8]
Измеренные в диапазоне 102 - 10В гц высокие значения низкочастотной диэлектрической проницаемости водных суспензий не могут быть объяснены на основе теорий диэлектрической проницаемости смеси, не учитывающих поверхностные свойства. [9]
Поляризация диффузной части двойного электрического слоя сопровождается еще одним очень важным явлением, определяющим гигантские значения низкочастотной диэлектрической проницаемости суспензии. Поскольку тангенциальные потоки переносят в основном ионы одного знака ( противоионы), то и подпитывающие их потоки из объема электролита также должны нести в основном ионы того же знака. Для компенсации объемного потока ионов, которые в меньшей степени переносятся поверхностными потоками, должен возникнуть диффузионный поток в объеме электролита, а значит, и перепад концентрации электролита за пределами двойного электрического слоя. Смешанные диффузионно-электрические объемные потоки могут переносить ионы обоих знаков в произвольном соотношении, что обеспечивает возможность баланса поверхностных и и объемных потоков при любой величине равновесного заряда частицы. [10]
Размешивание почти не изменяет электрических свойств суспензий. Наиболее характерной деталью является прямолинейная зависимость низкочастотной диэлектрической проницаемости ъп от концентрации включений, при этом кп возрастает с ростом Р гораздо сильнее, чем это следовало бы ожидать из теории смесей. [11]
Наибольший интерес представляет исследование связи диэлектрической проницаемости со скачком потенциала i в двойном слое. Данные опытов, приведенные на рис. 4 и 5, с достаточной ясностью показывают, что аномальная низкочастотная диэлектрическая проницаемость исследуемой системы, а также, по-видимому, многих дисперсных систем связана с наличием двойного слоя на поверхности раздела. [12]
В работе [15] эта модель модифицирована введением частотно-независимой поверхностной проводимости, обусловленной увеличением у поверхности частицы ( в пределах двойного электрического слоя) концентрации носителей заряда. Как показано в работе [16], эта модель объясняет диэлектрические свойства суспензий на высоких частотах, не объясняя бо; ь-ших значений низкочастотной диэлектрической проницаемости. [13]
В работе [9] обнаружена зависимость низкочастотной диэлектрической проницаемости от pil. Эти факты говорят о том, что одна только модель постоянных диполей недостаточна для объяснения данных о низкочастотной дисперсии диэлектрической проницаемости. Кроме того, количественная интерпретация данных о низкочастотной диэлектрической проницаемости па основе представления о диполыюй ориентации сильно осложняется, так как существующие теории не учитывают экранирования макродиполей диффузной атмосферой, образованной свободными зарядами проводящей среды. Этот фактор в случае, когда дебаевский радиус экранирования меньше характерных линейных размеров диполя, должен значительно уменьшать величину диэлектрического инкремента, обусловленного ориентацией постоянных диполей. [14]
Для кристаллических структур типа алмаза приведена диэлектрическая проницаемость в области низких частот. Для кристаллов со структурой цинковой обманки представлены значения низкочастотной и высокочастотной диэлектрической проницаемости. Для структуры типа вюрцита первые две величины характеризуют низкочастотную диэлектрическую проницаемость для электрического поля, поляризованного вдоль осей а и с. Следующие две величины соответствуют высокочастотной диэлектрической проницаемости. [15]