Аналогичный проскок - электрон
Cтраница 1
 |
Зависимость энергии 4 / - и Scf-электронов от заряда ядра Z. [1] |
Аналогичный проскок электрона с внешнего s - на d - подуровень предыдущего слоя происходит и в атомах аналогов меди - серебра и золота. Это явление связано с повышенной энергетической устойчивостью электронных структур, отвечающих полностью занятым энергетическим подуровням ( см. разд. Переход электрона в атоме меди с подуровня 4s на подуровень 3d ( и аналогичные переходы в атомах серебра и золота) приводит к образованию целиком заполненного d - подуровня и поэтому оказывается энергетически выгодным. [2]
 |
Схема последовательности заполнения электронных энергетических подуровней в атоме.| Зависимость энергии 4 / - и Sd-электронов от заряда ядра. [3] |
Следует иметь в виду, что последняя схема ( как и сами правила Клечковского) не отражает частных особенностей электронной структуры атомов некоторых элементов. Аналогичный проскок электрона с внешнего s - на d - подуро-вень предыдущего слоя происходит и в атомах аналогов меди - серебра и золота. [4]
 |
Схема последовательности заполнения электронных энергети - ческих подуровней в атоме.| Зависимость энергии 4 / - и 5й - эле. ггронсв от заряда ядра. [5] |
Следует иметь в виду, что последняя схема ( как и сами правила Клечковского) не отражает частных особенностей электронной структуры атомов некоторых элементов. Аналогичный проскок электрона с внешнего s - на d - подуро-вень предыдущего слоя происходит и в атомах аналогов меди - серебра и золота. Переход электрона в атоме меди с подуровня 4s на подуровень 3d ( и аналогичные переходы в атомах серебра и золота) приводит к образованию целиком заполненного d - подуровня и поэтому оказывается энергетически выгодным. [6]
 |
Схема последовательности заполнения электронных энергети -. ческих подуровней в атоме.| Зависимость энергии 4 / - и Sd-электронов от заряда ядра. [7] |
Следует иметь в виду, что последняя схема ( как и сами правила Клечковского) не отражает частных особенностей электронной структуры атомов некоторых элементов. Аналогичный проскок электрона с внешнего s - на rf - подуро-вень предыдущего слоя происходит и в атомах аналогов меди - серебра и золота. Переход электрона в атоме меди с подуровня 45 на подуровень 3d ( и аналогичные переходы в атомах серебра и золота) приводит к образованию целиком заполненного d - подуровня и поэтому оказывается энергетически выгодным. [8]
 |
Схема последовательности заполнения электронных энергетических подуровней в атоме.| Зависимость энергии 4 / - и 5 - э.. е. чтронов от заряда ядра. [9] |
Следует иметь в виду, что последняя схема ( как и сами правила Клечковского) не отражает частных особенностей электронной структуры атомов некоторых элементов. Аналогичный проскок электрона с внешнего s - на rf - подуро-вень предыдущего слоя происходит и в атомах аналогов меди - серебра и золота. Переход электрона в атоме меди с подуровня 4s на подуровень 3d ( и аналогичные переходы в атомах серебра и золота) приводит к образованию целиком заполненного d - подуровня и поэтому оказывается энергетически выгодным. [10]
 |
Схема последовательности заполнения электронных энергетических подуровней в атоме.| Зависимость энергии 4 / - а Sd-электрошов от заряда ядра Z. [11] |
Следует иметь в виду, что последняя схема ( как и сами правила Клечковского) не отражает частных особенностей электронной структуры атомов некоторых элементов. Аналогичный проскок электрона с внешнего s - на rf - подуровень предыдущего слоя происходит и в атомах аналогов меди - серебра и золота. Переход электрона в атоме меди с подуровня 4s на подуровень 3d ( и аналогичные переходы в атомах серебра и золота) приводит к образованию целиком заполненного d - подуровня и поэтому оказывается энергетически выгодным. [12]
 |
Зависимость энергии 4 / - и Sd-электронов от наряда ядра Z. [13] |
Следует иметь в виду, что последняя схема ( как и сами правила Клечков-ского) не отражает частных особенностей электронной структуры атомов некоторых элементов. Аналогичный проскок электрона с внешнего s - на d - подуровнь предыдущего слоя происходит и в атомах аналогов меди - серебра и золота. Это явление связано с повышенной энергетической устойчивостью электронных структур, отвечающ:::; гс. Переход электрона в атоме меди с подуровня 4s на подуровень 3d ( и аналогичные переходы в атомах серебра и золота) приводит к образованию целиком заполненного d - подуровня и поэтому оказывается энергетически выгодным. [14]
 |
Зависимость энергия 4 / - и З - от заряда ядра. [15] |
Страницы: 1 2