Cтраница 3
![]() |
Зависимость емкости ( а и tg б ( б от напряженности поля при 50 Гц и 20 С для образцов варикондов, не облученных и облученных электронами с энергией 1 14 мэВ при потоке 1013 эл / ( см2 - с. [31] |
По конструкции вариконды делятся на дисковые, пленочные ( в том числе и тонкопленочные) и другие, более сложные формы. [32]
Нелинейные конденсаторы ( вариконды) находят все возрастающее применение. Так, например, они употребляются вместо вакуумных ламп в так называемых диэлектрических усилителях, коэффициент усиления которых по мощности может достигать 106 на один каскад. [33]
Во-вторых, это вариконды - нелинейные конденсаторы на основе сегнетоэлектриков, у которых с ростом напряженности электрического поля в диэлектрике меняется ( и весьма существенно) диэлектрическая постоянная, а следовательно, и емкость. [34]
Указанные в таблице вариконды могут работать в условиях повышенной до 98 % влажности воздуха. [35]
По конструктивному оформлению вариконды ВК-2 и ВК-4 подобны друг другу, из материала ВК-2 изготовляется 9 видов варикондов, а из ВК-4 - семь. [36]
Такие конденсаторы называют варикондами. [37]
Такие конденсаторы называются варикондами. [38]
Наличие потерь в варикондах является вредным побочным эффектом. Чем выше качество сегнетодиэлектрика, тем уже петля гистерезиса и меньше потери в нем. [39]
Наличие потерь в варикондах является вредным побочным эффектом. Чем выше качество сегиетодиэлектрика, тем уже петля гистерезиса и меньше потери в нем. Для облегчения исследования свойств электрических цепей, содержащих вариконды, гистерезисом и потерями обычно пренебрегают и зависимость q f ( и) принимают в виде пунктирной кривой рис. 9.6. Абсциссы ее равны полусумме абсцисс восходящей и нисходящей ветвей предельной гистерезисной петли. Лишь при исследовании схем, в основе действия которых лежит явление гистерезиса, например при анализе работы некоторых запоминающих и счетных устройств, гистерезис необходимо учитывать. [40]
Наличие потерь в варикондах является вредным побочным эффектом. Чем выше качество сегнетодиэлектрика, тем уже петля гистерезиса и меньше потери в нем. [41]
Наличие потерь в варикондах является вредным побочным эффектом. Чем выше качество сегнетодиэлектрика, тем уже петля гистерезиса и меньше потери в нем. Абсциссы ее равны полусумме абсцисс восходящей и нисходящей ветвей предельной гистерезисной петли. Лишь при исследовании схем, в основе действия которых лежит явление гистерезиса, например, при анализе работы некоторых запоминающих и счетных устройств, гистерезис необходимо учитывать. [42]
Наличие потерь в варикондах является вредным побочным эффектом. Чем выше качество сегнетодиэлектрика, тем уже петля гистереза и меньше потери в нем. Для облегчения исследования свойств электрических цепей, содержащих вариконды, гистерезисом и потерями обычно пренебрегают и зависимость q / () принимают в виде пунктирной кривой на рис. 15.6. Абсциссы ее равны полусумме абсцисс восходящей и нисходящей ветвей предельной гистерезисной петли. Однако при исследовании схем, в основе действия которых лежит явление гистерезиса, например при анализе работы некоторых запоминающих и счетных устройств, гистерезис необходимо учитывать. [43]
![]() |
Зависимость ег титаната бария от температуры при различной напряженности электрического поля [ 32J.| Зависимость ъг титаната бария от напряженности электрического поля при температуре 22 С. [44] |
На основе сегнетокерамики созданы вариконды - нелинейные диэлектрические конденсаторы, емкость которых резко изменяется при изменении воздействующих на них переменных и постоянных электрических напряжений. E / Bmin, где е - - диэлектрическая проницаемость в переменном поле при отсутствии смещающего постоянного поля, 6mm - диэлектрическая проницаемость при том же переменном поле и значительном смещающем постоянном поле, когда в уже практически не зависит от смещающего поля. [45]