Cтраница 1
![]() |
Параметры полупроводниковых варисторов на основе селена.| Устройство фоторезистора и схема его включения. [1] |
Селеновые варисторы имеют высокое значение коэффициента нелинейности ( 5 - 8), высокую перегрузочную способность, небольшую стоимость. [2]
![]() |
Зависимость коэффициента стабилизации мо -. товой схемы от параметров используемых элементов. [3] |
Для повышения коэффициента стабилизации, коэффициента полезного действия и выходной мощности стабилизатора используют компенсационные схемы. В этих схемах полупроводниковые резисторы используются, как правило, в качестве опорных элементов. Селеновые варисторы обладают настолько высоким коэффициентом нелинейности, что могут быть использованы в компенсационных стабилизаторах вместо кремниевых стабилитронов. [4]
Эффективное ограничение перенапряжений достигается с помощью полупроводниковых варисторов. Для защиты полупроводниковых диодов варистор включают параллельно диоду. При возникновении перегрузки по напряжению сопротивление варистора уменьшается и избыточная мощность поглощается варистором. Для обеспечения эффективной защиты диодов от пробоя необходимо применять варисторы с высоким коэффициентом нелинейности. Хорошие результаты дает применение селеновых варисторов. При выборе варистора для цепей защиты следует учитывать, что рассеиваемая на нем мощность не должна превышать допустимого значения. [5]