Cтраница 1
Варшня скла - це складний високотемпературний процес, протя-гом якого в. [1]
Застосування варшня на розчинних ( амошевш i натр. [2]
В табл. 3.6 приведены параметры аппроксимации Варшни (3.5) для некоторых полупроводниковых кристаллов. [3]
В первом издании Справочника и в работе Варшни [4073] для rpbp рекомендуется более низкое значение ( 1 98 А), согласующееся в пределах точности оценок с принятым. [4]
Оценка ге ( 1пО) по методу Варшни приводит к значению 1 84 А. Графическая экстраполяция с использованием значений длин связей А1 - О, Ga-О, In-О в молекулах А12О [1], Ga2O и 1п2О [154] и межъядерных расстояний молекул А1О [168, 195], GaO [167] приводит к ге ( 1п - О) 1 90 А. [5]
Следует, однако, отметить что уравнение (1.10) и аналогичное уравнение для AG ( u) обычно недостаточно точно описывают значения G ( v) и AG ( u), получаемые при анализе спектров молекул. Функция Морзе, как правило, передает только общий вид зависимости потенциальной энергии молекулы от величины расстояния между ядрами ее атомов. В действительности эта зависимость имеет более сложный характер и до настоящего времени не удалось, несмотря на многочисленные попытки, найти такую потенциальную функцию, которая была бы достаточно удовлетворительной для всех случаев. Анализ различных функций потенциальной энергии двухатомных молекул дан в статье Варшни [4072] ( см. также [141], стр. Тем не менее из экспериментальных данных, а также на основании предположения, что потенциальная энергия молекулы может быть представлена потенциальной функцией ангармонического осциллятора, известно, что энергия колебательных состояний в общем виде удовлетворительно аппроксимируется степенной функцией (1.4) ( см. [151], стр. Обычно в тех случаях когда применение уравнения ( I. [6]