Прохождение

Cтраница 1

Прохождение через замкнутые контакты длительных токов перегрузки или токов к. Другой причиной сваривания может явиться самопроизвольное размыкание контактов под действием рассмотренных выше усилий отброса, ударных сотрясений и вибрации контактов в процессе их включения. В этом случае материал контактов плавится под действием коротких дуг ( см. гл. Кроме того, существуют определенные условия в процессе длительной работы контактов в замкнутом состоянии, когда может произойти холодное сваривание. [1]

Прохождение через вещество частиц высокой энергии вызывает его ионизацию. На этом явлении базируется один из основных способов детектирования излучения, например в счетчиках Гейгера. Излучение высокой энергии может быть использовано для исследования процессов генерации свободных зарядов. Это целесообразно по следующим причинам. В генерации носителей обоих знаков весьма существенны реакции, происходящие на поверхности вещества ( см. гл. Вследствие этого в приповерхностных областях образца инжекционные явления и процессы собственной генерации накладываются друг на друга, и разделение этих процессов весьма затруднено. Однако использование для возбуждения вещества сильнопоглощаемого света, как правило, ограничивает возможности исследования именно приповерхностной областью. Применение возбуждения рентгеновским излучением или частицами высокой энергии позволяет избавиться от поверхностных эффектов. В этих условиях возбуждение происходит в объеме, и дырки и электроны образуются в равных количествах. [2]

Прохождение сквозь стенки указанных сооружений газопроводов с давлением более 0 6 МПа ( 6 кгс / см2) не допускается. [3]

Прохождение этого тока наблюдается даже в том случае, если раствор совершенно не содержит восстанавливающихся веществ. Для придания отрицательного потенциала необходимо сообщить ртутной капле некоторое количество электричества, причем на ее поверхности возникает двойной электрический слой. [4]

Прохождение через вторую катионито-анионитовую установку может обеспечить дальнейшее уменьшение содержания примесей в воде. Однако такое устройство может оказаться очень громоздким и дорогим, а поэтому в случаях, когда требуется сверхчистая вода с электрическим сопротивлением 10 ком - м и выше, обычно используют деионизаторы со смешанным слоем. Если полистирольную катионообменную смолу с активной сульфогруппой тщательно смешать с анионооб-менной смолой типа четвертичного аммониевого основания, то вода, проходящая через слой такой смеси ионообменных смол, обрабатывается, как при прохождении нескольких катионито-анионитовых установок, и содержание ионов в ней снижается до минимума. Аппаратура, действующая по этому принципу, обычно употребляется при получении особо чистой воды в производстве электронного оборудования и чистых хи-микалиев, воды для питания котлов высокого давления, воды для ядерных реакторов ив ряде других случаев. [5]

Прохождение через детектор бинарной смеси будет записано в виде пика, площадь которого пропорциональна концентрации компонента в анализируемой смеси. Выводы термисторов закреплены пайкой припоем ПСР 2 5 в стеклянных изоляторах штуцера. [6]

Прохождение по вторичным ребрам не регистрируется, это как бы не шоссейные дороги, а объезды. [7]

Прохождение студентами этих дисциплин учтено при составлении программы курса Теоретические основы органической химии. Но так как данная книга может интересовать широкий круг научных работников и аспирантов ряда специальностей, для облегчения понимания отдельных излагаемых вопросов в нее включены некоторые краткие сведения из указанных курсов. [8]

Распределение амплитуды эрмитова пучка с / 12 после прохождения гауссовой диафрагмы с w0 2w. a - центр диафрагмы на оси, б - смещен на 2w. [9]

Прохождение пучков с комплексными р и w через системы с любыми волновыми матрицами ( включая комплексные) продолжает описываться формулами (1.25), ( Ы9), (1.20), которые хотя и использовались нами ранее только при действительных р и w, однако носят самый общий характер. Отсюда сразу следует вывод, что структура немногих перечисленных выше пучков с действительными распределениями на сферических опорных поверхностях является самовоспроизводящейся в системах не только с действительными, но и с комплексными матрицами. Остальные пучки таким свойством не обладают. [10]

Фототранзистор. а - структура фототранзистора. б - схема включения. [11]

Прохождение через р-п переход тока в прямом направлении сопровождается, как мы знаем, инжекцией неосновных носителей: электронов в р-область и дырок в n - область. [12]

Прохождение через полупроводниковый диод больших токов, как правило, сопровождается повышением уровня инжекции, по крайней мере в некоторых частях базы диода. [13]

Прохождение через детектор бинарной смеси будет записано в виде пика, площадь которого пропорциональна концент рации компонента в анализируемой смеси. Выводы термисторов закреплены пайкой припоем ПОР 2 5 в стеклянных изоляторах штуцера. [14]

Прохождение через электрод тока неизбежно приведет к изменению условий на электроде в связи с протеканием реакции, скорость которой пропорциональна силе тока, а это в свою очередь скажется на величине потенциала. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5