Максимальное прохождение
Cтраница 2
Интенсивность спектров комбинационного рассеяния зависит от интенсивности возбуждающего излучения. Поэтому важно, чтобы это рассеяние по возможности меньше ослаблялось нагревательным устройством, в котором помещается исследуемый образец. Основная трудность при конструировании высокотемпературной установки связана с достижением компромисса между необходимостью создания зоны постоянной температуры и обеспечением максимального прохождения света к образцу. [16]
 |
Схемы объемного электрооптического модулятора поперечного ( а и. [17] |
Простейшим устройством оптической памяти является оптический затвор с электрической индексацией. Начальная поляризация падающего света параллельна большой или малой оси оптической индикатрисы. Анализатор установлен в положение угасания. Изменение направления поляризации вдоль оси с при приложении электрического поля в поперечном направлении приводит к повороту оптической индикатрисы в плоскости ас на угол, соответствующий максимальному прохождению света через анализатор. [18]
Картины конфигурационных контуров обнаруживают максимальное прохождение при условиях брэг-говского отражения предпочтительно для второй блоховской волны. При увеличении ускоряющего напряжения ( около 250 кэВ для отражения 111 Аи или 600 кэВ для Си) возрастающая сила других отражений увеличивает значение других блоховских волн. Максимальную интенсивность прошедшего излучения можно найти для симметричной ориентации, когда падающий пучок параллелен плоскостям решетки с малыми индексами. Тогда два пучка - h с уменьшенными ошибками возбуждения комбинируются и в результате сильнее взаимодействуют с падающим пучком, чем мог бы каждый из них в отдельности; таким образом, получается максимальное прохождение для толстых кристаллов. Для напряжений порядка ме-гавольт ориентация, отвечающая максимальному взаимодействию и максимальному прохождению, может привести к любой из большого числа возможностей при изменении относительных структурных амплитуд и ошибок возбуждения. [19]
Картины конфигурационных контуров обнаруживают максимальное прохождение при условиях брэг-говского отражения предпочтительно для второй блоховской волны. При увеличении ускоряющего напряжения ( около 250 кэВ для отражения 111 Аи или 600 кэВ для Си) возрастающая сила других отражений увеличивает значение других блоховских волн. Максимальную интенсивность прошедшего излучения можно найти для симметричной ориентации, когда падающий пучок параллелен плоскостям решетки с малыми индексами. Тогда два пучка - h с уменьшенными ошибками возбуждения комбинируются и в результате сильнее взаимодействуют с падающим пучком, чем мог бы каждый из них в отдельности; таким образом, получается максимальное прохождение для толстых кристаллов. Для напряжений порядка ме-гавольт ориентация, отвечающая максимальному взаимодействию и максимальному прохождению, может привести к любой из большого числа возможностей при изменении относительных структурных амплитуд и ошибок возбуждения. [20]
Страницы: 1 2