Cтраница 1
Аномальное прохождение рентгеновских лучей через кристалл, впервые полученное Боррманом [39, 40], является на первый взгляд удивительным явлением: пропускание излучения толстым совершенным кристаллом может очень сильно возрасти, когда кристалл повернут в точное положение, соответствующее сильному брэгговскому отражению. [1]
Аномальное прохождение рентгеновских лучей в толстом поглощающем кристалле имеет важное принципиальное и практическое значение. [2]
Обращаясь к трехволновому случаю, замечаем, что сопоставление расстояний от La указывает на усиление эффекта аномального прохождения рентгеновских лучей в поглощающем кристалле. [3]
Не-Ne - лазера Область искажений на рис. 7.6, б представляет собой два полукруга, в которых отсутствует эффект аномального прохождения рентгеновских лучей. Между полукругами заметна узкая полоска, где эффект Бормана сохраняется. На топограммах оптические повреждения локализованы в основном в области светового пятна. В случае рефлекса ( 006) наблюдается также хвост искажений в с-направлении от светового пятна. [4]
В [111] впервые на беэдислокационных кристаллах Ge исследовано влияние дефектов закалки на электропроводность, время жизни неосновных носителей тока и эффект аномального прохождения рентгеновских лучей. Анализ опытных данных, проведенный в [111], показал, что ос-новные изменения электрических свойств и степень структурного совершенства кристаллов Ge, подвергавшихся высокотемпературной обработке в достаточно чистых условиях ( с применением геттерирующих покрытий), обусловлены дефектами структуры типа вакансий. Для более детальных заключений необходимо было бы располагать сведениями о том, являются ли эти вакансии одиночными, дивакансиями или же представляют собой какие-то объединения ( комплексы) с примесными атомами. [5]
Для уточнения данных о типах структурных дефектов, их плотности и распределении в объеме сконденсированного слоя нами [6, 8] использовалось несколько взаимно дополняющих друг друга методик: избирательное травление, просвечивающая электронная микроскопия и аномальное прохождение рентгеновских лучей. [6]
В методе Ланга ( образцом служит тонкий кристалл с pi J 1, где ц - линейный коэффициент поглощения; t - толщина кристалла) и в методе Бормаиа ( образец - толстый кристалл с t да 10 - - 30) информация относится ко всему объему кристалла, освещаемому рентгеновскими лучами. Метод Бормана основан па эффекте аномального прохождения рентгеновских лучей ( эффект Бормана), заключающемся в том, что при выводе достаточно совершенного кристалла в отражающее положение поглощение рентгеновских лучей кристаллом резко уменьшается. Наиболее последовательное рассмотрение механизма формирования изображений дефектов на топограм-мах дается в рамках динамической теории рассеяния рентгеновских лучей. [7]
На рис. 2 демонстрируется группа дислокаций, генерированных единичным дислокационным источником в монокристалле GaSb. Интересно отметить, что интенсивность аномального прохождения рентгеновских лучей в области локального скопления дислокаций и четкость изображения отдельных дислокаций в скоплении зависят от направления вектора дифракции. Неоднородность аномального прохождения в отражении ( 220) ( см. рис. 1, б) характерна также для участка А-большой плотности скопления дислокаций вблизи периферии кристалла. [8]
Эти результаты можно объяснить, если учесть приводившиеся нами данные о влиянии чистоты поверхности подложки на струк - ТУРУ растущего слоя. Окисный слой на поверхности кристалла не выявляется методом аномального прохождения рентгеновских лучей. Переходный слой становится видимым вследствие сильного поглощения, обусловленного полями напряжений дислокаций, которые возникают при обрастании островков окисла. Заметим, что не все дислокации, образующиеся в переходном слое, прорастают в пленку. [9]
Результаты экспериментов показали, что в кристаллах, выращенных из-под слоя флюса толщиной 10 мм, наблюдаются сильные упругие напряжения. Эти напряжения часто приводят к полному исчезновению эффекта аномального прохождения рентгеновских лучей в отдельных участках образца. Кроме того, в кристаллах отмечается существенная неоднородность в распределении примесей в осевом и радиальном направлениях. На рис. 1 четко виден осевой примесный столб в центре образца, связанный с эффектом грани. Плотность дислокаций в этих слитках, как правило, велика. Видно, что они выстраиваются по полосам скольжения. [10]
Его характерной чертой является различие в знаке, что приводит к усилению поглощения одного поля и существенному ослаблению поглощения другого поля. Другими словами, при рассеянии рентгеновских лучей в поглощающем кристалле возникает аномальное поглощение одного поля и аномальное прохождение рентгеновских лучей другого поля. При достаточной толщине t кристаллической пластинки проходящая и дифрагированная волны в вакууме будут формироваться только за счет одного из полей в кристалле. [11]