Процент - выход
Cтраница 4
Качество и процент выхода годных интегральных полупроводников микросхем в значительной мере зависят от совершенства методов изоляции элементов и самих ИМС друг от друга. [46]
Для прогнозирования процента выхода годных ИМС с учетом разновидностей неисправностей ( отказов) и разных законов распределения используют следующие математические модели. [47]
Для увеличения процента выхода годных ИМС, удовлетворяющих заданным требованиям, проектируемая микросхема должна обладать низкой чувствительностью к разбросам параметров элементов. Это особенно важно для линейных ИМС, так как в большинстве случаев они представляют собой прецизионные устройства, чувствительность которых к разбросу параметров может послужить причиной заметного отклонения их характеристик от заданных требований и, соответственно, резкого спада процента зыхода годных ИМС. С этой точки зрения наибольший интерес представляют так называемые самонастраивающиеся ИМС, в которых путем подбора параметров и структуры ИМС удается уменьшить или компенсировать в отдельных узлах отклонение характеристик, обусловленное разбросом параметров. [48]
 |
Схема эжектора. [49] |
Для увеличения процента выхода керна при гидроударном бурении коронками малых диаметров ( 76 и 59 мм) в трещиноватых и разрушенных породах применяется эжектор. Он устанавливается между гидроударником и колонковой трубой. [50]
Экспоненциальная зависимость процента выхода годных кристаллов от их площади обусловлена в основном наличием случайно распределенных дефектов в оксидных пленках, выполняющих роль защитных масок при проведении таких распространенных технологических процессов, как диффузия и ионное легирование. [51]
Страницы: 1 2 3 4