Процесс - диффузия - носитель
Cтраница 1
Процесс диффузии носителей одного знака сопровождается в однородно легированных полупроводниках диффузией носителей заряда другого знака. Предположим, что часть дырок ушла из данного объема полупроводника. В результате нарушилась электро-нейтралыюсть этого объема, образовался пространственный заряд и возникло электрическое поле. Поле вызовет появление потока электронов, которые полностью восстановят электронейтральность в образце, причем произойдет это практически мгновенно. [1]
 |
Расчетные зависимости изменения напряжения на базе. [2] |
Скорость установления напряжения, как это видно из построенных с помощью соотношения ( 8) зависимостей рис. 6 а, б, определяется как скоростью расширения проводящего канала, так и характеристиками процесса диффузии носителей. [3]
В одних НС инерционность вызвана тепловыми процессами, в других-процессами накопления энергии в электрическом и ( или) магнитном полях, в третьих-процессами ионизации и деиониза-ции ( которые также протекают не мгновенно), в четвертых-инерционностью процессов диффузии носителей тока и емкостью, обусловленной объемными зарядами. Но чаще всего инерционность есть следствие нескольких взаимно связанных друг с другом процессов. [4]
В одних НС инерционность вызвана тепловыми процессами, в других - процессами накопления энергии в электрическом и ( или) магнитном полях, в-третьих - процессами ионизации и деионизации ( которые также протекают не мгновенно), в-четвертых - инерционностью процессов диффузии носителей тока и емкостью, обусловленной объемными зарядами. Но чаще всего инерционность есть следствие нескольких взаимно связанных друг с другом процессов. [5]
В одних НС инерционность вызвана тепловыми процессами, в других - процессами накопления энергии в электрическом и ( или) магнитном полях, в-третьих - процессами ионизации и деионизации ( которые также протекают не мгновенно), в четвертых - инерционностью процессов диффузии носителей тока и емкостью, обусловленной объемными зарядами. Но чаще всего инерционность есть следствие нескольких взаимно связанных друг с другом процессов. [6]
В одних HP инерционность вызвана тепловыми процессами, в других - процессами накопления энергии в электрическом и ( или) магнитном полях, в третьих - процессами ионизации и деиониза-ции ( которые также протекают не мгновенно), в четвертых - инерционностью процессов диффузии носителей тока и емкостью, обусловленной объемными зарядами. Но чаще всего инерционность есть следствие нескольких взаимно связанных друг с другом процессов. [7]
В одних НС инерционность вызвана тепловыми процессами, в других - процессами накопления энергии в электрическом и ( или) магнитном полях, в третьих - процессами ионизации и деионизации ( которые также протекают не мгновенно), в четвертых - инерционностью процессов диффузии носителей тока и емкостью, обусловленной объемными зарядами. Но чаще всего инерционность есть следствие нескольких взаимно связанных друг с другом процессов. [8]
 |
Принципиальная схема измерительной установки. [9] |
Характеристикой процесса диффузии является не диффузионная длина, а дебаевская длина экранирования. При концентрациях носителей заряда, характерных для таких материалов, как германий и кремний, дебаевская длина экранирования весьма мала ( 10 - 6 - 10 - 4 см), и, следовательно, процессы диффузии носителей заряда при их неоднородной генерации можно не учитывать. [10]
Тем не менее применительно к технически чистым углеводородным топливам расчетная оценка возможной электризации в ряде случаев существенно расходится с результатами непосредственных прямых измерений. Причин такого несоответствия достаточно много: неучет природы носителей заряда в жидкости и изменения электропроводности жидкости в процессе ее электризации; неучет состояния твердой фазы, с которой жидкость взаимодействует; упрощение картины пространственного распределения носителей заряда по сечению трубы; пренебрежение влиянием турбулентных пульсаций на проводимость жидкости; упрощение процессов диффузии носителей зарядов и окислительно-восстановительных процессов на стенке трубы и др. Здесь следует отметить еще и относительность наших знаний о самих технически чистых нефтепродуктах, которые, как правило, представляют собой сложные многокомпонентные системы, состоящие из индивидуальных углеводородов, содержащих химические примеси, воду, газы, механические примеси и микроорганизмы. Точную качественную и количественную характеристику такой композиции составить невозможно, как невозможно и учесть влияние всех названных здесь факторов на процесс электризации в его математической модели. Для этих целей мы располагаем лишь некоторыми интегральными характеристиками жидкостей, такими, как электропроводность, диэлектрическая проницаемость, плотность, вязкость и т.п. В этой связи упрощенная математическая модель электризации жидкостей Козмана и Гэвиса, качественно достаточно хорошо отражающая процесс накопления зарядов в жидкости, может быть использована как основа расчетной методики прогнозирования уровня электризации нефтепродуктов в технологическом оборудовании при условии ее уточнения по мере расширения наших представлений о физике явления, а также посредством введения корректирующих коэффициентов, полученных непосредственно из эксперимента на натуре. [11]
Из выражения ( 4 - 89) следует, что при т) 1 время дрейфа меньше времени диффузии. Однако выполнять это неравенство довольно трудно. Для сохранения высоких значений коэффициента инжекции ( например, не менее 0 99) необходимо выполнить условие Нл ( 0) С 0 01 N - л.ъ. Концентрация акцепторов в области эмиттера N я. Тогда из равенства ( 4 - 86) следует, что величину 2т ] трудно обеспечить более 6 - 7 для германия и 10 - И для кремния. Коэффициент поля реальных транзисторов не превышает 1 5 - 4 0, поэтому процесс диффузии носителей заряда в них играет заметную роль. При оценке высокочастотных свойств дрейфовых транзисторов следует пользоваться результирующим временем пролета носителей через базу, определяемым суммарной скоростью их и диффузионного и дрейфового движений. Меньшая толщина базы дрейфового транзистора обеспечивает дополнительное увеличение диапазона рабочих частот. [12]
Страницы: 1