Процесс - запись - информация
Cтраница 1
Процесс записи информации в файл также имеет свои особенности. [1]
 |
Матричная схема на фррритовых сердечниках. [2] |
Процесс записи информации заключается в следующем. [3]
Процесс записи информации начинается со стирания или установки нуля в ячейке памяти. Вначале в ячейку памяти по выбранным при дешифрации адреса шинам xi и yt заносятся нули полутоками отрицательной полярности. Затем по этим же шинам подаются положительные полутоки записи. Окончательный выбор сердечника для записи в него 1 и 0 зависит от обмотки запрета, по которой из соответствующего разряда RGC и при наличии импульса Запрет приходит сигнал запрещения записи 1 в тех сердечниках, где должны быть нули. Режим записи на этом заканчивается. [4]
Процесс записи информации осуществляется при воз-действии сигнала на носитель, изменяющем состояние этого носителя. Обратный процесс - считывание ин-формации - состоит в изменении параметров считывающего сигнала или в его генерации под действием носителя. [5]
 |
Схема следящего устройства ЦНИИМЭ. о - блок-схема. б - принципиальная схема блока управления. [6] |
Процесс записи информации на сброску последующих сортиментов аналогичен вышеописанному. [7]
Рассмотрим процесс записи информации в динамический регистр. Cj в цепи затвора транзистора М2 заряжена и поддерживает этот транзистор в отрытом состоянии. [8]
Кроме того, в процессе записи информации могут одновременно выполняться операции сложения и бычитания. [9]
Из изложенного выше краткого анализа процессов записи информации в щелочно-галоидных кристаллах следует, что фотоперенос заряда является одним из наиболее существенных механизмов, лежащих в основе большинства реакций. По-видимому, это относится не только к фотохромным кристаллам, но и к неорганическим материалам вообще ( см. гл. [10]
 |
Тиристорные симметричные ЭП на одноэмиттерных ( а и. [11] |
В схеме на рис. 6.12 6 наиболее инерционным оказывается процесс записи информации. Важной о: обенностью этого процесса является зависимость зап от ари, которая имеет экстремальный характер. [12]
Фазовый переход, стимулированный электромагнитным излучением, лежит в основе процесса записи информации на стеклообразных полупроводниках ряда систем: Се - Те, Ge - As - Те, Се - Те - Sb - S и др. Большая часть составов этих систем содержит в своей основе эвтектический сплав Се15Те85, который может находиться как в стеклообразном, так и в кристаллическом состоянии. [14]
Это обстоятельство заставляет в ряде случаев сомневаться в целесообразности описания процессов записи информации в терминах изменения показателя преломления, поскольку разложение интенсивности записывающего света или электрического поля объемного заряда по пространственным частотам происходит в фиксированной системе координат, а описание через показатели преломления требует локальной системы координат, которая изменяется как от точки к точке, так и от изображения к изображению. В этом случае понятие собственных мод и соответственно характерных показателей преломления для кристалла в целом теряет смысл. Для того чтобы найти пространственное двумерное распределение амплитуды света на выходе Л01и требуется более общий подход. В случае тонких пластинок эта проблема решена в общем виде. [15]
Страницы: 1 2 3