Процесс - аннигиляция
Cтраница 3
СРЛ во всех кварцевых стеклах и имеют одинаковый температурный ход, можно предполагать, что эта люминесценция возникает в процессе аннигиляции элементарных электронных возбуждений в сетке стекла. [31]
Оказалось, однако, что еще более вероятным процессом, который возникает при столкновении двух экситонов Френкеля, является так называемый процесс бимолекулярной аннигиляции экситонов. В отличие от автоионизации, этот процесс в основном имеет чисто молекулярную природу и не сопровождается образованием свободных электрона и дырки. [32]
При высоких температурах, когда газовые атомы и обычные точечные дефекты приобретают заметную диффузионную подвижность, происходят распад пересыщенного раствора и оживление процессов аннигиляции и ухода на стоки дефектов структуры. Известно, что естественными стоками для точечных дефектов являются свободные поверхности. [33]
Большая вероятность миграции триплетного возбуждения объясняет также факт отсутствия фосфоресценции в случае чистых кристаллов, так как излучение в значительной мере потушено процессами триплет-триплет-ной аннигиляции. Изотопическое замещение, однако, приводит к появлению слабых ловушек, что замедляет процессы миграции и аннигиляции и позволяет наблюдать фосфоресценцию. Это фактически и составляет основу метода Наймана и Робинсона и делает взаимодействие триплетных экситонов доступным для экспериментального исследования. [34]
Экспериментальные данные указывают на влияние природы химической связи, температуры, плотности, фазовых переходов, магнитного поля, различных примесей на протекание процесса аннигиляции и раскрывают картину взаимодействия позитронов с валентными электронами. [35]
Его правая часть описывает три основных процесса, контролирующих скорость накопления дислокаций с деформацией: размножение дислокаций на локальных препятствиях недислокационной природы; размножение дислокаций на дислокациях леса и процесс аннигиляции дислокаций. [36]
Полагают [36], что влияние ультразвуковых колебаний на химическую сторону процесса ( явление звукохимии) связано с образованием пузырьков, физико-механическое же воздействие, обусловливающее, в частности, интенсификацию процессов диспергирования, гомогенизации и массообмена, связано с процессом аннигиляции пузырьков. Согласно теоретическим исследованиям Я. И. Френкеля [24], ультразвуковая кавитация сопровождается возникновением местных электрических разрядов, которые, по - видимому, играют существенную роль в химическом действии ультразвука. [37]
Из сопоставления этих данных с кривыми термического высвечивания можно предположить, что первый, самый низкотемпературный пик термовысвечивания ( - 164, - 158 и - 156 С в кристаллах КС1, КВг и NaQ соответственно) в видимой области связан преимущественно с процессами аннигиляции l / i-центров. Это предположение подтверждается также следующим экспериментом. [38]
 |
Сечение двукратной иониза - СТаВЛЯеТ Три ПОЛНЫХ С6Ч - ции атомов гелия протонами ( сплош - НИЯ ВЗаиМОДеЙСТВИЯ. С РОСТОМ. [39] |
Протон и антипротон могут вместе образовывать антипротонный атом. Процесс аннигиляции таких атомов ( N TV-пар) происходит из состояний с высоким орбитальным моментом. Свойства протонов такой аннигиляции практически не изучены. [40]
 |
Схема сверхзвукового обтекания пластинки. рв - С pt. [41] |
Y KBai1 - тов ( как правило, двух), причем энергия пары переходит в энергию испущенных фотонов. На этом свойстве процесса аннигиляции основан один из методов получения монохроматич. [42]
Этот процесс обратен процессу аннигиляции электрон-позитронных пар. С участием физических фотонов этот эффект наблюдается впервые. [43]
Начальный подъем кривой ст-е связан с увеличением плотности дислокаций и началом формирования ячеистой структуры. Спад напряжения вызван процессом аннигиляции дислокаций. [45]
Страницы: 1 2 3 4