Процесс - имплантация
Cтраница 1
Процесс имплантации, который имеет место при плазменной обработке, - это один из наиболее эффективных методов поверхностной модификации полимерных материалов. Плазма активирует молекулы газа, в частности, кислорода и азота. [1]
После окончания процесса имплантации пластины подвергают отжигу при температуре 500 - 600 С. Такой отжиг имеет целью снизить дефектность кристаллической решетки. [2]
Они не допускают рассеивания ионов, дают резкий край имплантируемых участков и легко удаляются после проведения процесса имплантации. [3]
Приемное устройство предназначено для ориентации, закрепления, нагревания, охлаждения обрабатываемых изделий, конструкция его обеспечивает удобную замену их в процессе имплантации. [4]
 |
Эффект сквозного канала ( кремний, направление. [5] |
В процессе имплантации ионов их энергия переходит в колебания атомов кремния. [6]
При этом важно найти способы обновления действующей аксиоматики, не требующие одномоментной ломки сложившихся на компьютерном рынке отношений. Необходимо, чтобы процесс имплантации новой модели в сложившуюся вычислительную среду происходил без реакций отторжения. [7]
 |
Время до начала образования следов ржавчины при разном содержании COj. [8] |
Таким образом, для получения лучшей коррозионной стойкости желательно, чтобы поверхность была запассирована уже в начальный момент коррозии. Этому способствует возможность получения различных профилей распределения имплантанта в матрице варьированием режимов процесса имплантации. [9]
Метод имеет ряд преимуществ. Он обеспечивает возможность введения любой легирующей добавки в любой металл, точного регулирования толщины легированного слоя, строгой дозировки добавки и контроля ее чистоты, использования унифицированного оборудования для создания ионных пучков и автоматизации процесса имплантации. К достоинствам относится низкая рабочая температура процесса. К недостаткам метода следует отнести сложность и высокую стоимость оборудования для проведения ионной имплантации, а также сравнительно малую толщину легированного слоя, не превышающую 1 мкм. Однако преимущества метода в большинстве случаев искупают недостатки, и метод ионной имплантации все чаще используется для модификации поверхностных слоев металла для улучшения их физико-химических свойств, в частности для повышения коррозионной стойкости. [10]
Скармливание крысам линии Вистар ДОФ в дозе 340 мг / кг в течение 3 месяцев до спаривания не повлияло на численность потомства. Однократное или трехкратное воздействие ДОФ на 3, 6 и 9 день беременности нарушает процесс имплантации. Введение мышам 400 мг / кг и более в те же сроки приводит к уменьшению массы тела самок и к увеличению частоты резорбций плодов. У плодов обнаружены аномалии развития. [11]
Ионная имплантация тантала в железе приводит к получению слоя поверхностного сплава, который представляет собой метастабильный твердый раствор тантала в железе и обладает повышенной по сравнению с железом коррозионной стойкостью. Причем с увеличением дозы имплантации тантала выше 5 104 ион / см2 при энергии пучка 20 кэВ уровень коррозионной стойкости не повышается. Существование дозы насыщения свидетельствует о распылении ионов тантала, имеющего высший атомный номер, в процессе имплантации с относительно высокой энергией. [12]
Требуемых свойств глобальной интегрируемости можно достичь только в едином, математически однородном, легко программируемом и высокоорганизованном поле компьютерной информации. Его основа должна быть зафиксирована на уровне аксиом новой универсальной модели изначально распределенных вычислений. На смену классической парадигмы изолированного компьютера должна прийти парадигма единого, математически однородного поля компьютерной информации. При этом важно найти способы обновления действующей аксиоматики, не требующие одномоментной ломки сложившихся на компьютерном рынке отношений. Необходимо, чтобы процесс имплантации новой модели в сложившуюся вычислительную среду происходил без реакций отторжения. [13]
Недавно Чеппелом [16] предложен усовершенствованный многопереходный солнечный элемент с канавками V-образной формы. Все единичные элементы такого многопереходного солнечного элемента формируют одновременно на одной пластине кремния с помощью химического травления. На рис. 8.2 представлено схематическое изображение солнечного элемента, который состоит из нескольких единичных элементов р - i - п - типа, соединенных последовательно. При этом внедрение атомов легирующих примесей осуществляют под таким углом, что AZ - и р - области формируются одновременно. Полученную структуру подвергают термообработке, необходимой для перевода внедренных примесных атомов в электроактивное состояние и для устранения дефектов, образовавшихся в процессе имплантации. Металлический слой, осаждаемый вакуумным испарением, соединяет единичные элементы электрически последовательно. [14]
Страницы: 1