Процесс - ионизация - примесь
Cтраница 1
Процессы ионизации примеси будут описаны с помощью квазихимических уравнений, в которые входят условные обозначения природы, местоположения и зарядности атомов примеси. Применение этих уравнений позволяет уточнить условия, при которых может проявиться электрическая активность примесей, введенных в кристалл полупроводникового материала. Никогда не имеют дело с материалами, содержащими только один вид ионизирующегося дефекта; в любом кристалле, очищенном практически ДСР возможного предела, всегда содержатся как остаточные примес, так и термически равновесные точечные дефекты ( все атомные. Поэтому в кристалла полупроводников устанавливаются сложные взаимодействия между всеми заряженными дефектами и носителями зарядов. [1]
Естественно, что процесс ионизации примесей начнет заметно проявляться при значительно более низких температурах, чем те значения температуры, при которых развивается процесс тепловой генерации пар зарядов - в собственном полупроводнике. [2]
Из условия существования этого решения [ D ] 2 / Ci видно, что оно реализуется при достаточно высоких концентрациях доноров или при достаточно низких температурах, при которых энергия тепловых флуктуации настолько мала, что процесс собственной ионизации становится незаметным на фоне процесса ионизации примесей. [3]
При температуре Т О К примесные атомы не ионизированы, все валентные электроны образуют ковалентные связи, валентная зона заполнена, а в зоне проводимости электроны отсутствуют. С повышением температуры развивается процесс ионизации примесей. [4]
При введении в детектор небольших количеств исследуемых соединений условия горения разряда изменяются. Сво -: бодные электроны, образовавшиеся в процессе ионизации примесей, взаимодействуют с введенными соединениями. Энергия электронов уменьшается и они не могут более эффективно ионизировать и возбуждать газ соударениями, что приводит к снижению разрядного тока. Одновременно с этим процессом в разряде происходит захват электронов, перезарядка и ионизация введенных примесей электронным ударом. При малых концентрациях примесей в гелии или увеличении разрядного тока в детекторе будет образовываться значительное количество метастабильных атомов, которые могут частично ионизировать введенные соединения, увеличивая разрядный ток. В этих случаях наблюдается инверсия пиков. [5]
 |
Сравнение концентраций собственных носителей в элементарных полупроводниках и концентрации ионов в воде ( я / s [ е - ] [ Л ] и J. [6] |
В следующем разделе мы количественно рассмотрим применение закона действующих масс к процессу ионизации примесей в твердом теле. [7]
Вообще в полупроводнике могут присутствовать как донорные, так и акцепторные примеси. Например, в n - полупроводнике может быть незначительная доля атомов - акцепторов. В этом случае даже при достаточно низких температурах наряду со свободными электронами появляется незначительное количество дырок. Кроме того, в любом примесном полупроводнике наряду с процессом ионизации примесей протекает также процесс генерации пар зарядов: в га-полупроводнике, например, помимо значительного числа свободных электронов всегда присутствует какое-то количество дырок, а в / ьполупро-воднике имеется также незначительная концентрация электронов. Принято электроны в га-полупроводнике и дырки в р-полупровод-нике называть основными носителями зарядов, а дырки в ге-полу-проводнике и электроны в р-полупроводнике - неосновными носителями. Концентрации основных носителей обозначают символами га и рр, а неосновных - символами пр и рп. [8]
Страницы: 1