Процесс - кристаллизация - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Длина минуты зависит от того, по какую сторону от двери в туалете ты находишься. Законы Мерфи (еще...)

Процесс - кристаллизация

Cтраница 1


1 Зависимость растворимости S бензола от концентрации водных растворов бутирата ( а, капроната ( б, наирината ( в, лаурата ( г и миристата натрия ( д при различных температурах ( в С. 1 - 20. 2 - 30. 6 - 40. Штрихпунктирные линии на рисунках обозначают ККМ ( На 4, 5 и 6 значения концентраций по оси абсцисс следует в случае лаурата натрия уменьшить з 10 раз, а миристата натрия-увеличить в 10 раз. [1]

Процессы кристаллизации в таких системах могут развиваться очень медленно и сопровождаться потерей высокоэластичности и тиксотроп-ной обратимости при резком повышении прочности и хрупкости структуры.  [2]

Процессы кристаллизации и фильтрации составляют основу технологии обезмасливания парафина. Поэтому нх интенсификация является важным резервом в увеличении выработки парафинов, В последнее время в процессах кристаллизации парафина применяют модификаторы, способствующие получению крупных кристаллических образований. Промывка их растворителем более эффективна, качество парафина лучше.  [3]

Процесс кристаллизации не происходит и имеет место только смешение исходного и циркулирующего растворов.  [4]

Процесс кристаллизации в аппарате, показанном на рис. 5.20, б происходит на внутренней поверхности горизонтального вращающегося контейнера, по оси которого расположен трубчатый нагревающий элемент. При вращении расплав перетекает по поверхности раздела фаз. В аппарате, представленном на рис. 5.20, в, процесс проводится на сферической поверхности.  [5]

6 Разделяющая способность горизонтального кристаллизатора ( п-ксилол - о-ксилол, С /. - 80 % га-ксилола, пш20 об / мин. [6]

Процесс кристаллизации происходит при незначительных переохлаждениях смеси. В результате образуются достаточно крупные, хорошо сформировавшиеся кристаллы с малой межфазной поверхностью. Такие кристаллы хорошо отмываются от окклюдированного маточника.  [7]

8 Схема кристаллизации металлов. [8]

Процесс кристаллизации, как впервые установил Д. К. Чернов, начинается с образования кристаллических зародышей ( центров кристаллизации) и продолжается в процессе роста их числа и размеров.  [9]

Процесс кристаллизации обычно начинается от стенок формы, которые играют ту же роль, что и включения.  [10]

Процесс кристаллизации протекает в результате образования центров кристаллизации ( зародышей) и последующего их роста в виде дендритных или полногран-ных кристаллов.  [11]

Процесс кристаллизации состоит из двух последовательных стадий: образование зародышей кристаллов и рост кристаллов. Образование зародышей кристаллов происходит в пересыщенных растворах, когда пересыщение достигает определенной величины. Разность между концентрацией раствора, при которой начинают образовываться зародыши, и концентрацией насыщенного раствора называют максимальным пересыщением.  [12]

Процесс кристаллизации начинается с возникновения в жидкой фазе центров кристаллизации и последующего их роста.  [13]

Процесс кристаллизации связан с применением низких ( до - 70 С) температур и характеризуется невысоким выходом мезитилена. Окислительная и дегидрогенизационная очистка - не обеспечивает глубокого удаления этилтолуолов. Способ гидрирования - дегидрирования сложен в аппаратурном и технологическом оформлении. Клатрация дает очень невысокий выход продукта при большом числе ступеней разделения. Определенный интерес могут представить методы каталитической очистки мезитиленовых фракций с применением хлористого алюминия, характеризующиеся отсутствием отработанной серной кислоты и достаточно высокой степенью чистоты получаемого продукта. Но они не лишены недостатков, связанных с коррозией оборудования, образованием сточных вод и пр. Большинство описанных предложений находится в стадии исследований или технологической проработки и не получило промышленного применения.  [14]

15 Распределение кристаллов по размерам при постоянной скорости роста ( а и при диффузионной кинетике роста ( б индивидуальных кристаллов в аппарате полного смешения. [15]



Страницы:      1    2    3    4