Процесс - фракционная кристаллизация
Cтраница 1
 |
Технологическая схема разделения ксилолов. [1] |
Процесс фракционной кристаллизации с целью разделения о - и ле-ксилолов проводится при пониженных температурах. На процесс роста кристаллов оказывают влияние вязкость среды, скорость охлаждения, интенсивность перемешивания и другие факторы. Поскольку кристаллизация проводится при пониженных температурах, вязкость среды может сильно повышаться, что замедляет образование кристаллов. [2]
 |
Принципиальная схема двухступенчатого разделения ксилолов. [3] |
Процесс фракционной кристаллизации с целью разделения о - и ж-ксилолов проводят при пониженных температурах. На процесс роста кристаллов оказывают влияние вязкость среды, скорость охлаждения, интенсивность перемешивания и другие факторы. Поскольку кристаллизация проводится при пониженных температурах, вязкость среды может сильно повышаться, что замедляет образование кристаллов. Поэтому для снижения вязкости иногда приходится применять растворители, например изо-пентан. При большой скорости охлаждения образуются мелкие, трудно отделяемые кристаллы. [4]
Процесс фракционной кристаллизации при непосредственном контакте с жидким хладоагентом пока исследован недостаточно. [5]
Процессы фракционной кристаллизации в настоящее время уже почти не используются, поскольку они слишком трудоемки и ие позволяют разделять сколько-нибудь значительные количества веществ. Иногда при получении циркония для реакторов и гафниевого концентрата проводят фракционную кристаллизацию гексафторидных комплексных солей. [6]
Процесс фракционной кристаллизации в движущемся тонком слое можно провести также на поверхности горизонтального барабана, периодически поворачивающегося на определенный угол относительно неподвижного нагревателя ( а. Предложен аппарат ( 221 ], в котором процесс кристаллизации осуществляется в тонком слое, находящемся на внутренней поверхности охлаждаемого цилиндра. После очистки продукт снимается со стенок специальными скребками. [7]
Процесс фракционной кристаллизации разработан и запатентован швейцарской фирмой Metalwerk AG. Его основными достоинствами являются легкость управления скоростью роста кристаллов, большие градиенты температуры и концентрации при малых толщинах гидродинамических и диффузионных пограничных слоев. Кроме того, к его характерным свойствам относятся простота геометрии потоков, а также возможность обеспечить заданную степень переохлаждения и требуемую разность температур между твердой стенкой и ядром жидкой фазы. [8]
Процессы фракционной кристаллизации расплава путем непосредственного контакта с хладоагентами осуществляются обычно при интенсивном перемешивании системы. Этим достигается равномерное распределение хладоагента по всему объему расплава, а также создается большая удельная межфазная поверхность в результате диспергирования одной из фаз гетерогенной смеси. [9]
На процесс фракционной кристаллизации, естественно, влияет масса охлажденного тела, с увеличением которой количество образующейся кристаллической фазы закономерно возрастает, а эффективность разделения, соответственно, понижается. [10]
В процессах фракционной кристаллизации существенную роль играет форма получаемых кристаллов. [11]
 |
Схема однократной кристаллизации бинарной смеси, обладающей неограниченной растворимостью в твердом состоянии. о - в координатах ( / ( С. б - в координатах CK / ( См. [12] |
Теоретическим называется процесс фракционной кристаллизации, завершающийся при кристаллизации достижением фазового равновесия, а при разделении кристаллизата - полным отделением маточника от кристаллической фазы. [13]
На эффективность процесса фракционной кристаллизации сильное влияние оказывает захват маточной жидкости кристаллической фазой. При этом механизм захвата может быть разным. Маточник может удерживаться на поверхности кристаллов адсорбционными силами в виде тонкого слоя, удаление которого при фильтрации практически не происходит. [14]
В известной мере процесс фракционной кристаллизации на охлаждаемой твердой поверхности сходен с направленной кристаллизацией. Однако, в отличие от последней, перемещение фронта кристаллизации здесь происходит не за счет принудительного движения контейнера или холодильника, а за счет направленного отвода тепла от расплава к агенту, охлаждающему рабочие поверхности. Скорости образования кристаллической фазы на охлаждающей поверхности, как правило, значительно выше, чем при направленной кристаллизации. [15]
Страницы: 1 2