Cтраница 1
Процесс эпитаксиального наращивания проводился сэндвич-методом при расстоянии между источником и подложкой 0 75 мм в вертикальном реакторе, аналогичном описанному в [13], через который пропускался поток водорода, насыщенный парами воды при нулевой температуре. [1]
Процесс эпитаксиального наращивания проводится в специальных установках, рабочим объемом в которых является кварцевая труба, а в качестве газа-носителя используются водород и азот. Водород перед поступлением в рабочий объем многократно очищается от кислорода, паров воды и других примесей. При установившейся рабочей температуре в поток газа-носителя добавляется хлористый водород и производится предварительное травление подложки. После этого вводятся в поток газа SiClj и соответствующие легирующие примеси. [2]
Процесс эпитаксиального наращивания может быть выполнен различными способами, например, вакуумным напылением кремния на соответ - ствующую подложку. [3]
Процессы эпитаксиального наращивания подразделяются на газофазную, жидкофазную и молекулярно-лучевую эпитаксию. Метод жидкофазной эпитаксии используется главным образом для наращивания GaP, а другие два метода применяются и для Si, и для многокомпонентных полупроводников. Методами газофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии изготовляются лазерные диоды, светодиоды, транзисторы на основе сверхрешеток, а также 2 -, 3 - и 4-компонентные полупроводники. В последнее время особо выделился метод газофазной эпитаксии с термическим разложением металлоорганических соединений. [4]
Сущность процесса эпитаксиального наращивания слоев полупроводника заключается в осаждении атомов полупроводника на подложку, в результате чего на ней вырастает слой, кристаллическая структура которого подобна структуре подложки. Эпитак-сиальный слой обладает теми же структурными дефектами, что и подложка, поэтому для получения надежных полупроводниковых приборов первостепенное значение имеют чистота и структурное совершенство материала подложек. [5]
При повторении процесса эпитаксиального наращивания пленок можно неоднократно получать структуры транзисторов и управляемых диодов. [6]
С каждым годом процессы эпитаксиального наращивания в сочетании с ионной имплантацией и импульсным радиационным воздействием на материал играют все большую роль в формировании активных элементов сложнейших приборных структур. А В 1 и др. В применении к полупроводниковым соединениям именно эпитак-сиальные процессы позволяют наиболее полно реализовать преимущества этих материалов, обеспечивая получение монокристаллических слоев со свойствами, которые, как правило, недостижимы при выращивании монокристаллов из расплава. Кроме того, в процессах эпитаксиального наращивания сравнительно просто решаются проблемы создания высококачественных многослойных гомо - и гетероэпитаксиальных структур разнообразной геометрии и состава. [7]
Ройер сформулировал ряд закономерностей процесса эпитаксиального наращивания и установил, что эпитаксия происходит при некотором несоответствии между осажденной пленкой и под ложкой. Несоответствие ( в процентах) выражается как 100 ( Ь - а) / а, где а и Ь являются параметрами решетки подложки и пленки соответственно. Это условие несущественно, поскольку эпитаксия осуществляется в широком диапазоне несоответствия параметров пленки и подложки. [8]
Теоретический анализ диффузионного перераспределения примеси в процессе эпитаксиального наращивания проведен в [1, 2], результаты этого анализа могут быть использованы для описания участка 1 профиля распределения. [9]
Применение паро-газовых смесей для легирования э.с. в процессе эпитаксиального наращивания из газовой фазы имеет существенные преимущества перед другими методами. [10]
Для улучшения кристаллографического совершенства эпи-таксиалышх слоев кремния перед процессом эпитаксиального наращивания проводят ту или иную термическую обработку подложек чаще всего при температуре 1150 - 1250 С. При получении эпитаксиальных структур со скрытым слоем, легированным As, такая обработка может сопровождаться переносом примеси с поверхности сильно легированных диффузионных областей на поверхность высокоомных участков пластины. При этом может образовываться тонкий паразитный слой, что ухудшает электрофизические характеристики эпитаксиально-диффузионной структуры. Наличие паразитного слоя на границе перехода пленка - подложка может приводить к увеличению времени разделительной диффузии, к снижению пробивных напряжений изолирующих р - - переходов. [11]
Для выяснения роли пьедестала как возможного источника автолегирования в процессе эпитаксиального наращивания был поставлен следующий эксперимент. [12]
Водород достаточно широко используют при сборке различных приборов ( например, полупроводниковых) и для раскисления поверхностей сплавляемых деталей в водородных печах, а также в процессах эпитаксиального наращивания. [13]
При отжиге источников, у которых диффузионный слой мышьяка был только с лицевой стороны пластины, уровень легирования приемников значительно ниже и не превышает 2 - Ю12 ат / см3 для приемника 6 ( см. рис. 2), причем в процессе эпитаксиального наращивания кремния количество примеси практически не изменялось. [14]
Рассмотрим процесс эпитаксиального наращивания слоя кремния при восстановлении газообразного тетрахлорида кремния 51СЦ водородом при температуре выше 11 00 С. [15]