Процесс - образование - зона
Cтраница 1
 |
Схема хроматографическог разделения смеси двух компонентов. [1] |
Процесс образования зон при разделении компонентов 1 и 2 методом проявительной хроматографии иллюстрирует рис. 1.3, а. Слева изображено положение пробы после ввода ее в колонку, справа - после выхода ( элюирования) первого компонента. Пик 1 на нем соответствует первому компоненту, пик 2 - второму. [2]
 |
Схема хроматографическо го разделения смеси двух компонентов. [3] |
Процесс образования зон при разделении компонентов / и 2 методом проявительного анализа иллюстрирует рис. I, За. Слева изображено положение пробы после ввода ее в колонку, справа - после выхода ( элюирования) первого компонента. [4]
 |
Изменение длины зоны смеси ( от пройденного расстояния х при различных значениях у. а.| Зависимость длины зоны смеси от параметра. [5] |
На процесс образования зоны смеси влияют не только разность вязкостей и их соотношение, но и другие факторы и прежде всего соотношение перепада давления и молекулярной диффузии. [6]
В процессе образования зоны смеси контактирующих жидкостей происходит молекулярная диффузия частиц. [7]
Торпедирование скважин - процесс образования зоны с системой трещин в породах средней и высокой прочности с помощью специальных торпед диаметром, значительно меньшим диаметра обсадной колонны. Этот метод, первоначально предназначенный для вскрытия пласта, все в большей степени используют для повышения производительности скважин. Зарядами могут служить дешевые взрывчатые вещества на основе аммиачной селитры и других дешевых, достаточно безопасных в обращении и имеющих необходимую мощность взрывных веществ. [8]
 |
Образование энергетических зон у хлористого натрия.| Образование энергетических зон у бериллия. [9] |
Полупроводники германий и кремний имеют решетку типа решетки алмаза, поэтому процесс образования зон у них происходит так же, как и у алмаза. Различие заключается в ширине запрещенной зоны, лежащей между заполненной и свободной зонами. [10]
Второе из сделанных выше предположений оправдывается тем, что основное внимание уделяется влиянию инфильтрации на процесс образования зоны мокрого льда, хотя эта зона инициируется различием в скоростях теплового возмущения в минеральных частицах пласта и порового льда. [11]
 |
Проекция поверхностей ликвидуса на концентрационный треугольник системы алюминий-медь-магний.| Изменение механических свойств дуралюмина во время старения при комнатной температуре. [12] |
Зоны Гинье - Престона искажают кристаллическую решетку твердого раствора, что приводит к изменению его твердости и прочности. Процесс образования зон, насыщенных медью, идет в течение длительного времени и составляет сущность естественного старения дуралюмина. [13]
При контроле точечной сварки с помощью ультразвуковых колебаний ( УЗК) в одном из электродов машины установлен излучатель, в другом - приемник УЗК. В процессе образования зоны расплавления изменяется интенсивность прохождения УЗК через свариваемые детали. При достаточно большой зоне расплавления происходит почти полное затухание УЗК, при ядре малых размеров - частичное. Степень изменения прохождения УЗК через зону сварки контролируется соответствующей аппаратурой. [14]
Фен-нера, находится с помощью кругов Мора. Отмечается, что процесс образования зоны текучести в идеально пластических средах происходит в сравнительно короткий промежуток времени. Феннер считал, что для этого требуется промежуток времени, равный бесконечности) в связи с тем, что твердые породы приобретают пластические свойства очень медленно из-за постепенного проникновения воды или действия других факторов. Поэтому считается, что такой процесс невозможно выразить определенной формулой, Допускается, что движение породы продолжается и после образования зоны текучести. Это происходит потому, что горные породы в окрестности выработки под действием собственного веса оседают и выжимаются в ствол выработки. Смещение породы в глубине массива происходит не непосредственно за смещением стенок выработки и не соизмеримо с ним, а возникает на протяжении длительного времени. [15]
Страницы: 1 2