Процесс - образование - кристалл
Cтраница 1
Процессы образования кристаллов в узлах ячеек протекают более интенсивно, размеры кристаллов более крупные, чем в обычных золях. О более интенсивном протекании процессов кристаллообразования свидетельствуют также электронографические исследования. Кристаллические частицы золя гидроксида алюминия при магнитно-электрической активации представляют собой гидраргиллит. [1]
На процесс образования кристаллов льда, их размеры и эффективность разделения существенно влияет содержание солей в исходной воде. С увеличением CF средний размер получаемых кристаллов понижается, а количество захватываемой соли кристаллической фазой возрастает [53], в результате чего приходится увеличивать затраты опресненной воды на промывку кристаллов льда на стадии сепарации. [2]
Рассмотрим процесс образования кристаллов льда в живой и мертвой ткани. [3]
В процессе образования кристалла происходит перекрывание внешних электронных орбиталей атомов по аналогии с образованием химической связи в молекулах. В соответствии с методом МО при взаимодействии двух атомных орбиталей образуются две молекулярные орбитали: связывающая и разрыхляющая. При одновременном взаимодействии N микрочастиц образуется УУ молекулярных орбиталей. Поэтому и число электронных орбиталей в твердом теле чрезвычайно велико. При этом разность между энергиями соседних орбиталей будет ничтожно мала. Таким образом, в кристалле металла образуется энергетическая зона с почти непрерывным распределением энергии, называемая зоной проводимости. Каждая орбиталь в этой зоне охватывает кристалл по всем его трем измерениям. Заполнение орбиталей зоны проводимости электронами происходит в соответствии с положениями квантовой механики. Так, из условий минимума энергии электроны будут последовательно заполнять все орбитали, начиная с наинизшей, причем на каждой орбитали в соответствии с запретом Паули может располагаться лишь два электрона с антипараллельными спинами. С повышением температуры за счет теплового возбуждения электроны будут последовательно перемещаться на более высокие энергетические уровни, передавая тепловую энергию с одного конца кристалла на другой и обеспечивая таким образом его теплопроводность. [4]
В процессе образования кристалла атомы сближаются и их валентные электроны образуют парноэлектрон-ные ( ковалентные) связи. Электрон можно оторвать от парной связи, если сообщить ему дополнительную энергию. При нормальной температуре некоторые связи нарушаются за счет теплового движения атомов кристалла. При столкновении атомов электрон получает дополнительную энергию, переходит на более удаленную орбиту от своего ядра, попадает в поле действия сил притяжения ядра соседнего атома и отрывается от своего ядра. [5]
В процессе образования кристалла происходит разделение спаренных s электронов, и один из них переходит на р-уровень. В результате все четыре электрона становятся идентичными, с одинаковым видом электронного облака. В пространстве эти облака направлены таким образом, что сводят к минимуму потенциальную энергию системы. Этому требованию отвечает образование тетраэдрических связей: каждый атом решетки находится в центре тетраэдра, валентные связи направлены к его углам. Каждый атом взаимодействует с четырьмя другими, поэтому Ковалентная связь является насыщенной. Направление валентных связей не совпадает с направлением ребер элементарной ячейки. Межатомное равновесное расстояние между ближайшими атомами ( постоянная решетки) в решетках алмаза, кремния и германия равно 0 356, 0 235 и 0 245 нм, а кратчайшее расстояние между атомами составляет соответственно 0 1542, 0 235 и 0 245 нм. Различные величины этих параметров говорят о том, что степень перекрытия электронных оболочек у алмаза наибольшая, следовательно, самая прочная Ковалентная связь образуется у алмаза. Благодаря направленности связи, ковалентные кристаллы упакованы менее п лотио, чем ионные. [6]
В процессе образования кристалла происходит перекрывание внешних электронных облаков атомов по аналогии с образованием химической связи в молекулах. В соответствии с методом МО при взаимодействии двух атомных электронных орбиталей образуются две молекулярные орбитали: связывающая и разрыхляющая. При одновременном взаимодействии N микрочастиц образуется N молекулярных орбиталей. Поэтому и число электронных орбиталей в твердом теле чрезвычайно велико. При этом разность между энергиями соседних орбиталей будет ничтожно мала. Так, в кристалле натрия разность энергетических уровней двух соседних орбиталей имеет порядок 10 - 28 Дж. Таким образом, в кристалле металла образуется энергетическая зона с почти непрерывным распределением энергии, называемая зоной проводимости. Каждая орбиталь в этой зоне охватывает кристалл по всем его трем измерениям. Заполнение орбиталей зоны проводимости электронами происходит в соответствии с положениями квантовой механики. Так, из условий минимума энергии электроны будут последовательно заполнять все орбитали, начиная с наинизшей, причем на каждой орбитали в соответствии с запретом Паули может располагаться лишь два электрона с антипараллельными спинами. С повышением температуры за счет теплового возбуждения электроны будут последовательно перемещаться на более высокие энергетические уровни, передавая тепловую энергию с одного конца кристалла на другой и обеспечивая таким образом его теплопроводность. [7]
КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, процесс образования кристаллов из паров, р-ров, расплавов, из в-ва в другом кристаллич. Кристаллики растут, присоединяя атомы или молекулы из жидкости или пара. [8]
Кристаллизацией называют процесс образования кристаллов. Различают первичную и вторичную кристаллизацию: первичная - образование кристаллов из жидкости в процессе затвердевания металла; вторичная - изменение кристаллического строения металла в твердом состоянии. [9]
Кристаллизацией называется процесс образования кристалла из раствора, расплава либо пара путем перегруппировки молекул, находящихся в беспорядочном состоянии. Несмотря на кажущееся различие, процессы кристаллизации из расплава и из раствора имеют много общего; начало кристаллизации и дальнейший ее ход g обоих случаях подчиняются одним и тем же общим законам. [10]
Кристаллизацией называют процесс образования кристаллов. Различают первичную и вторичную кристаллизацию: первичная - образование кристаллов из жидкости в процессе затвердевания металла; вторичная - изменение кристаллического строения металла в твердом состоянии. [11]
 |
Кривые охлаждения жидкого металла. [12] |
Кристаллизацией называют процесс образования кристаллов из жидкой или газообразной фазы. Форма, величина, а также ориентировка кристаллов влияют на все свойства металлов и сплавов. [13]
 |
Кривая охлаждения жидкого металла. [14] |
Кристаллизацией называют процесс образования кристаллов из жидкой или газообразной фазы. Форма, величина и направление кристаллов влияют на все свойства металлов и сплавов. [15]
Страницы: 1 2 3 4