Процесс - образование - пара
Cтраница 2
Так как ионы 0 - появляются здесь при энергиях электронов 17 36 0 4 и 21 22 0 05 эв, то очевидно, что первый и четвертый процессы диссоциации, приводящие к образованию ионов 0 на рис. 2, должны быть процессами образования пары ионов. [16]
 |
Свойства соединений AIVBVI в твердой фазе. [17] |
Резонансная связь, осуществляемая электронами в р-состояниях, значительно снижает энергию возбуждения электронов в зону проводимости, что, собственно, и объясняет малую ширину запрещенной зоны в соединениях этого типа. Дело в том, что в процессе образования пары дырка - - электрон от иона S2 - отщепляется один электрон и в связи с этим в гомео-полярной связи образовавшегося иона S - с ближайшими ионами РЬ2Г принимает участие меньшее число электронов. Поэтому ионы S2 - второй координационной сферы могут в большей степени участвовать своими валентными электронами в образовании гомеополярной связи с ионами РЬ 2г первой координационной сферы. В связи с этим перекрываются волновые функции р-электронов ионов S2 - второй координационной сферы с таковыми же иона S -, что приводит к определенному возмещению потерянного отрицательного заряда. Потеря электрона в системе валентных связей сказывается, таким образом, на целой области кристалла, а не только вблизи одного или двух атомов. В связи с этим процесс ионизации в кристаллах типа каменной соли должен происходить легче. С этим же связано и превышение на 4 % экспериментально найденной энергии решетки по сравнению с рассчитанной на основе представлений о ионной связи 732 вместо 705 ккалъ / молъ. [18]
Образование пары электрон позитрон должно происходить в соответствии с законами сохранения энергии и импульса. Закон сохранения импульса накладывает дополнительные ограничения на процесс образования пары. Поэтому i B системе фотон - электронно-позит-ронная пара закон сохранения импульса оказывается нарушенным. [19]
Ионизационный потенциал этой молекулы равен 11 2 эв. Предполагают, что ионы могут возникать в процессе образования пары. [20]
При освобождении электрона из ковалентной связи в последней возникает как бы свободное место, обладающее элементарным положительным зарядом, равным по абсолютной величине заряду электрона. Такое освободившееся в электронной связи место условно назвали дыркой, а процесс образования пары электрон - дырка получил название генерации зарядов. Дырка обладает положительным зарядом, поэтому она может присоединить к себе электрон соседней заполненной ковалентной связи. В результате этого восстанавливается одна связь ( этот процесс называют рекомбинацией) и разрушается соседняя или, другими словами, заполняется одна дырка и одновременно с этим возникает новая в другом месте. Такой генерационно-рекомбинационный процесс непрерывно повторяется, и дырка, переходя от одной связи к другой, будет перемещаться по кристаллу, что равносильно перемещению положительного заряда, равного по величине з-аряду электрона. [21]
 |
Полное сечение комптоновского раесешшя кванта на свободном электроне Т / Ф0 как. [22] |
При энергии & в, существенно превышающей энергию связи / ( - электрона, полное сечение комптоновского рассеяния на атоме можно считать пропорц. Z ядра для нейтральных атомов ( см. Комптона эффект ], В процессе образования электрон-позитропной пары ( е-е) в кулоновском поле ядра, как и в случае фотоэффекта, у-квант поглощается и его энергия распределяется гл. [23]
При достаточной энергии Y-КВЗНТЫ могут поглощаться веществом и другим способом. Если энергия у-кванта больше 2т0с2 1 022 УИэе, где / По - масса покоя электрона ( или позитрона), то возможен процесс образования пары, состоящей из электрона и позитрона. [24]
Процессом, в некотором омы ел о обратным тормозному излучению, является образование пары частиц фотоном. Если, например, тормозное излучение фотона электроном в кулоновском поле ядра представляет собой переход электрона из одного состояния с положительной энергией в другое состояние также с положительной энергией, сопровождающийся испусканием фотона, то образование электронно-позитронной пары фотоном в кулоновском поле ядра можно рассматривать как переход электрона из состояния с отрицательной энергией в состояние с положительной энергией, сопровождающийся поглощением фотона. Такой процесс образования пары частиц фотоном не требует, однако, обязательно наличия кулоновского поля ядра. Он может происходить также в присутствии нейтральной частицы ( или нуклона), обладающей свойством поглощать отдельные компоненты пары. И частности, может происходить образование фотоном я-мсзониых нар в присутствии поглощающего мезоны нуклона или образование фотоном протонно-антипротонных пар в присутствии поглощающего ядра. [25]
Поэтому, например, у-лучп полония с энергией 0 8 Мэв не создают пары, в то время как v-лучи, имеющие энергию 1 8 Мэв, образуют пары. Закон сохранения импульса накладывает дополнительные ограничения на процесс образования пары. Поэтому в системе фотон - электронно-позитронная пара закон сохранения импульса оказывается нарушенным. Это означает, что для образования пары нужно участие еще одной, третьей, частицы, принимающей на себя часть импульса фотона, превышающую суммарный импульс обеих частиц. Такой частицей обычно является атомное ядро, но может служить и один из электронов электронной оболочки атома вещества, в котором происходит торможение жестких у-лучей. [26]
 |
Образование дырки в чистом кристаллическом полупроводнике. [27] |
Образование дырки показано на потенциальной диаграмме рис. 2.6, которую легко получить из энергетической диаграммы для отдельного электрона, энергия которого измеряется в электрон-вольтах. В этом случае числовые значения энергии, выраженные в электрон-вольтах и вольтах совпадают. Потенциальная диаграмма ( см. рис. 2.6) иллюстрирует процесс образования пары: дырки и электрона. [28]
Эти коэффициенты в сильной степени зависят от энергии у-лучей, так как в зависимости именно от энергии изменяется механизм взаимодействия у-фотонов с атомами вещества. Например, если энергия у-лучей меньше, чем 1 02 МэВ, то процесс образования пары ( электрона и позитрона) не происходит; вероятность фотоэффекта и комптоновского рассеяния сильно убывает с ростом энергии фотонов. В силу сказанного, полный коэффициент ц весьма сложным образом зависит от энергии фотонов. На рис. 4.113 показаны эти зависимости. [29]
При добавлении в полупроводник примесей, относящихся к III группе периодической системы элементов ( например, галлия), в кристаллической решетке полупроводника атом примеси образует только три заполненные валентные связи. Четвертая связь остается вакантной. При сообщении кристаллу небольшой дополнительной энергии эта вакантная связь может быть заполнена электроном, перешедшим с одной из соседних заполненных валентных связей. В результате в той связи, откуда ушел электрон, нарушается нейтральность и образуется положительный заряд - дырка. При увеличении примесей возрастает концентрация дырок и они становятся основными носителями, а электроны - неосновными. Примеси, способные принимать на свои уровни валентные электроны, называются акцепторными или акцепторами. Процесс образования пары электрон - дырка называется генерацией. [30]
Страницы: 1 2