Процесс - образование - пленка
Cтраница 2
Изучение самого процесса образования пленок показывает, что он происходит и при температуре выше точки росы. Это связано с конденсацией водяных паров на пористых участках поверхности металла, поскольку давление водяных паров в порах, где вода имеет вогнутый мениск, меньше, чем в воздухе. Кроме того, сами продукты коррозии вследствие своей гигроскопичности в большой мере способствуют появлению влажных пленок на металлической поверхности. [16]
Предложенный механизм процесса образования пленки А12О3 подтверждается косвенно в работах других исследователей, однако и эти представления следует считать лишь вероятными. [17]
Предложенный механизм процесса образования пленки А12О3 подтверждается косвенно в работах других исследователей, однако и эти представления следует считать лишь вероятными. Так, И. В. Кротов отрицает возможность непосредственного образования А12О3 на аноде, полагая, что пленка, полученная при анодировании алюминия в серной кислоте, состоит из А1 ( ОН) 3 и АЮОН. [18]
Предложенный механизм процесса образования пленки А12О3 подтверждается косвенно в работах других исследователей, одна-ко и эти представления следует считать лишь вероятными. [19]
При увеличении скорости процесс образования пленки сопровождается всплыванием движущегося тела ( ползуна) на слое смазки, т.е. смещением, перпендикулярным направлению скольжения. После этого сила трения будет увеличиваться прямо пропорционально вязкости смазочного материала. [20]
При коммутации тока процессы образования пленок значи - тельно усложняются вследствие воздействия электрической искры или дуги на поверхность металла и разложения органических паров. [21]
Одновременно с исследованием процесса образования пленки сцепления изучалось влияние окислов некоторых металлов на прочность сцепления грунта с металлом. [22]
Наибольшую роль в процессах образования адгезионной пленки играет коротковолновое излучение, которое, как правило, наиболее сильно поглощается реакционным раствором. [23]
 |
Последовательные стадии изготовления. [24] |
Эпитаксиальное наращивание представляет собой процесс образования пленки за счет химического взаимодействия исходного полупроводника с веществами, входящими в газовую смесь, в поток которой помещается обрабатываемая пластинка. Чаще всего эпитаксиальное наращивание используют для получения тонкого слоя с тем же типом проводимости, что и проводимость исходной пластинки, но с более высоким удельным сопротивлением. Полупроводниковые приборы, у которых р-п переходы созданы в эпитаксиальном слое, отличаются улучшенными значениями ряда параметров. [25]
Как установил С. Г. Красиков, процесс образования сервовит-ной пленки на стальной поверхности происходит дискретно. Затем происходит постепенное сползание накопившейся меди во впадины неровностей. [26]
Летучесть пластификатора может проявиться в процессе образования пленки во время испарения растворителя, поэтому рекомендуется проверить возможность испарения пластификатора последующим анализом пленки. [27]
Выделяемое тепло оказывает большое влияние на процесс образования пленки, так как увеличивает скорость ее растворения, разрыхляет ее, замедляет, а иногда и вовсе прекращает рост. Кривые над нулевой линией характеризуют прирост толщины анодируемого листа, а под ней - врастание пленки в металл. [28]
 |
Зависимость прочности пленок ПЭАУ от содержания структурирующих добавок. [29] |
Когда изменение веса растворов ПЭАУ в процессе образования пленки становится постоянным, в пленке остается разное количество остаточного растворителя. Увеличение содержания низкокипящего растворителя в растворе исходного полимера приводит к снижению содержания остаточного ДМФА, что и подтверждено газо-хроматографическим анализом. [30]
Страницы: 1 2 3 4