Процесс - образование - связь
Cтраница 3
За последние два года область прикладной теоретической органической химии вышла из длительного периода застоя и переживает настоящую революцию. Второе достижение заключается в реальном понимании тонких процессов образования связей на квантовомеха-нической основе, что в свою очередь возникло из изучения большого числа факторов, ответственных за характеристические свойства отдельных связей. [31]
Получение эвтектических композитов за одну операцию вместо трех является весьма эффективным способом, так как при этом исключаются некоторые трудности, присущие каждой из трех операций. Так, например, отпадает необходимость манипулировать с отдельными волокнами, как это имеет место в ходе операции выкладки в процессе получения обычных композитов. Кроме того, удается избежать таких осложнений, связанных с процессом образования связи, как неполное смачивание или образование окислов на поверхности раздела. Важными особенностями направленной эвтектической структуры являются строение поверхности раздела, ее морфология, кристаллография, стабильность и поведение под воздействием внутренних и внешних полей напряжений. [32]
Для ионной адсорбции изменение работы выхода обычно связывается с изменением поверхностного двойного слоя под влиянием нанесенных диполей. Ясно, что для полного объяснения изменений работы выхода при адсорбции простых газов и радикалов необходим более строгий анализ процессов образования связи на поверхности металла. [33]
 |
Структуры регулярных сетчатых полимеров. [34] |
Очевидно, что предпочтительное образование упорядоченной сетки полимера по сравнению с беспорядочной зависит от структурной я етереохимичеекоя селективности реакции, исполъзоваттшй при его синтезе. Условия, необходимые для образования стереоре-гулярной сетки, не являются чем-то сверхестественным. Это становится понятным, если принять во внимание, что основным условием стереоселективности в любом химическом синтезе является наложение на реакционную систему геометрических ограничений в процессе образования связей на стадии, определяющей строение конечного продукта. Эти геометрические ограничения наиболее строги в жестких стерически затрудненных циклических или полициклических системах. Таким образом, в одном предельном случае следует ожидать, что сетчатая полимеризация нежесткого мономера с относительно низкой функциональностью в условиях необратимости реакции не будет селективной из-за малой вероятности циклизации и невысокой жесткости системы на стадии реакции, определяющей строение продукта. Можно считать, что в этом случае вероятность соединения функциональных групп друг с другом будет одинакова и что в результате образуется гель с беспорядочным распределением поперечных связей. [35]
Ионная ( электровалентная, или гетерополярная) связь. С помощью ионной связи построено большинство неорганических соединений. Эта связь возникает между атомами, которые сильно отличаются по электроотрииателыюсти. Процесс образования связи состоит в передаче электрона от одного атома к другому. Образовавшаяся при этом общая электронная пара затем переходит ( смешается) к одному из соединяющихся атомов - возникают два противоположно заряженных иона, которые связываются силами электростатического взаимодействия. [36]
Ионная ( электровалентная, или гетерополярная) связь. С помощью ионной связи построено большинство неорганических соединений. Эта связь возникает между атомами, которые сильно отличаются по электроотрицательности. Процесс образования связи состоит в передаче электрона от одного атома к другому. Отдавая электрон, атом превращается в положительный ион - катион, а второй атом, приобретая этот электрон, переходит в отрицательно заряженную частицу - анион. Образовавшиеся противоположно заряженные ионы связываются силами электростатического взаимодействия. [37]
Из предыдущего раздела следует, что исходные усы необходимо соответствующим образом очистить перед тем, как использовать в качестве высокотемпературного упрочнителя. Теперь нужно рассмотреть еще два вопроса: во-первых, совместимость очищенных усов с матрицей, например никелевой, и, во-вторых, эффективность связи между усами и матрицей. Когда усы с никелевым покрытием отжигают при температурах выше 1073 К, сплошной слой никеля разбивается на ряд сферических частиц, что позволяет непосредственно исследовать поверхность раздела никель - сапфир в электронном микроскопе. Этот способ эффективен в отношении проверки совместимости и исследования процесса образования связи; он будет подробнее рассмотрен в последующих разделах. [38]
 |
Две sp - орбитали атома ртути. [39] |
Поскольку эти новые орбитали представляют собой смесь двух исходных орбиталей, их называют гибридными. Так как для образования гибридной орбитали необходимо слияние s - и р-орбиталей, ее называют sp - орбиталью. Каждая sp - орбиталь состоит из двух долей: большой и очень маленькой. Все sp-op - битали являются атомными орбиталями, хотя они возникают только в процессе образования связи и не отражают возможную структуру свободного атома. Атом ртути образует две связи за счет перекрывания двух больших долей, показанных на рис. 1.3, с орбиталью внешнего атома. Это может быть s -, р -, d - или / - орбиталь или же другая гибридная атомная ор-биталь, но перекрываться могут только доли одного знака. В любом из этих случаев возникающая молекулярная орбиталь будет называться cr - орбиталыо, так как она удовлетворяет данному выше определению о-орбитали. [40]
В настоящем обзоре затрагиваются следующие основные вопросы: 1) вопросы, связанные с изучением поверхности металла и влияния адсорбированных частиц на поверхностные свойства; 2) экспериментальное определение работы выхода; 3) интерпретация результатов измерения работы выхода и 4) использование этих результатов. Вначале мы даем определение работы выхода для чистой металлической поверхности и рассматриваем влияние поверхностного дипольного слоя, возникающего вследствие присутствия адсорбата. Далее следует экспериментальный раздел, в котором рассматриваются способы получения чистых металлических поверхностей, определение изменений работы выхода и интерпретируются получаемые результаты. Затем изменения работы выхода обсуждаются с позиций современной теории адсорбции, причем особое внимание уделяется процессам образования связи при ван-дер-ваальсовом взаимодействии и при хемосорб-ции. [41]
Рассмотрим теперь наиболее интересный класс эксимерных лазеров, в которых атом инертного газа ( например, Аг, Кг, Хе) в возбужденном состоянии соединяется с атомом галогена ( например, F, C1), что приводит к образованию эксимера галоге-нидов инертных газов. В качестве конкретных примеров укажем ArF ( А, 193 нм), KrF ( А, 248 нм), ХеС1 ( К 309 нм) и XeF ( A, 351 нм), которые генерируют все в УФ-диапазоне. То, почему галогениды инертных газов легко образуются в возбужденном состоянии, становится ясным, если учесть, что в возбужденном состоянии атомы инертных газов становятся химически сходными с атомами щелочных металлов, которые, как известно, легко вступают в реакцию с галогенами. Эта аналогия указывает также на то, что в возбужденном состоянии связь имеет ионный характер; в процессе образования связи возбужденный электрон переходит от атома инертного газа к атому галогена, Поэтому подобное связанное состояние также называют состоянием с переносом заряда, Рассмотрим теперь подробнее KrF-лазер, так как он представляет собой один из наиболее важных лазеров данной категории. На рис, 6.26 приведена диаграмма потенциальной энергии молекулы KrF, Верхний лазерный уровень является состоянием с переносом заряда и ионной связью, которое при R оо отвечает состоянию 2Р положительного иона Кг и состоянию 1S отрицательного иона F. При больших межъядерных расстояниях кривая энергии подчиняется закону Кулона. Таким образом, потенциал взаимодействия между двумя ионами простирается на гораздо большее расстояние ( 5 - 10А), чем в случае, когда преобладает ковалентное взаимодействие ( ср. Таким образом, в основном состоянии атомные состояния инертного газа и галогена меняются местами. [42]
В устойчивой ковалентной связи электроны в равной мере притягиваются к общим ядрам. Если два атома первоначально имели разные электроотрицательности, то их связывающим орбиталям должны соответствовать различные энергии. Поэтому процесс образования связи должен сочетаться с выравниванием этих энергий. [43]
Просматривая указанные выше структуры электронных оболочек и подуровней, нетрудно заметить, что каждая из них в достроенном состоянии обладает четным числом электронов. Конечно, случайности здесь быть не может, и в этом проявляется влияние стабилизирующего действия спаривания электронов. Впрочем, пользуясь более обширным материалом, можно было бы установить, что оно проявляется все же не в одинаковой степени для разных групп электронов. В то же время р-электроны образуют р-подуровень обычно сначала в виде неспаренных электронов и лишь по исчерпании таких возможностей образуют электронные пары. Образование таких электронных пар играет значительную роль как в структурах атомов, так и в процессах образования связи между атомами - в образовании молекул. [44]
Просматривая указанные выше структуры электронных оболочек и подуровней, нетрудно заметить, что каждая из них в достроенном состоянии обладает четным числом электронов. Конечно, случайности здесь быть не может, и в этом проявляется влияние стабилизирующего действия спаривания электронов. Впрочем, пользуясь более обширным материалом, можно было бы установить, что оно проявляется все же не в одинаковой степени для разных групп электронов. В то же время р-электроны образуют / 7-подуро-вень обычно сначала в виде неспаренных электронов и лишь по исчерпании таких возможностей образуют электронные пары. Образование таких электронных пар играет значительную роль как в структурах атомов, так и в процессах образования связи между атомами - в образовании молекул. [45]
Страницы: 1 2 3 4