Процесс - термическое окисление
Cтраница 4
Так как формальдегид в интервале температур, при которых происходит достаточно быстрое окисление метана, легко разлагается под действием, кислорода или свободных радикалов, то концентрация его в реакционной смеси всегда остается низкой и, следовательно, процесс термического окисления метана непригоден для получения формальдегида. [46]
Ингибиторы в радиационно-химических процессах окисления не могут полностью затормозить процесс окисления, а могут снизить выходы гидроперекисей до постоянных значений, определяемых воздействием излучения. В процессах термического окисления, где скорость термического инициирования ниже скорости радиационного инициирования, воздействие ингибиторов приводит практически к полному прекращению процесса окисления. [47]
Были опубликованы данные о смесях стабилизаторов, эффективность которых значительно больше, чем можно было бы ожидать от суммарного эффекта отдельных компонентов. Синергетическое сочетание поглотителей ультрафиолетовых лучей с антиоксидантами процессов термического окисления было использовано [64] для повышения устойчивости полимеров к атмосферным воздействиям. Недавно были эффективно использованы смеси типичных агентов обрыва цепи с веществами, разлагающими перекиси. [48]
 |
Изменение статических характеристик передачи и по.| Выходные статические характеристики ( а и стати. [49] |
Он может возникнуть из-за перераспределения примесей вблизи поверхности полупроводниковой подложки в процессе термического окисления ее поверхности. Наконец, проводящий канал может появиться под затвором из-за фиксированного заряда в подзатворном слое диоксида кремния, на поверхностных энергетических уровнях, а также из-за контактной разности потенциалов между металлом затвора и полупроводником подложки. [50]
Проводящий канал под затвором МДП-транзистора может быть создан в результате локальной диффузии или ионной имплантации соответствующих примесей в приповерхностный слой подложки. Он может возникнуть из-за перераспределения примесей вблизи поверхности полупроводниковой подложки в процессе термического окисления ее поверхности. Наконец, проводящий канал может появиться под затвором из-за фиксированного заряда в подзатворном слое диоксида кремния, на поверхностных энергетических уровнях, а также из-за контактной разности потенциалов между металлом затвора и полупроводником подложки. [52]
С помощью этой методики можно изготовить все элементы схем, применяя несколько последовательных процессов диффузии в полупроводниковую пластинку. Исходным образцом служит, например, диск из кремния с Проводимостью - типа толщиной от 0.2 до 0 3 мм, поверхность которого в процессе термического окисления в кислороде или атмосфере водяных паров при температуре около 1 000 С покрывается слоем SiO2 толщиной 1 мкм, не пропускающим примеси. В этом оксидном слое фотолитографическим методом вытравливаются отверстия определенной формы и размера. Затем на него проецируется уменьшенное изображение фотопластинки, зачерненные части которой соответствуют местам, где в оксидном слое необходимо создать отверстия. После экспозиции и последующего травления фо-тлак удаляется с неосвещенных мест. [53]
Преобразования в химическом строении полимера, обусловленные облучением, являются необратимыми и, следовательно, привнесенные вследствие радиационного сшивания свойства остаются его неотъемлемым атрибутом. Если ограничить рассмотрение областью температур, не превышающих температуры термического разложения, и исключить те редкие случаи, когда полимер эксплуатируется в отсутствие кислорода, то основным фактором, определяющим изменение всех свойств радиационно-моди-фицированных полиолефинов, следует считать процесс термического окисления. [54]
Таким образом, из опыта находят величину скорости расщепления. Наряду с этим измеряют скорость потребления кислорода; отсюда получают величины соотношений ( а) между числом прореагировавших молекул Оа и количеством разрывов. В процессе термического окисления при 50 при одном расщеплении поглощается примерно 15 молекул кислорода [364], тогда как при фотохимическом окислении, когда реакция протекает с максимальной скоростью, а равно единице. [55]
 |
Блок-схема двумерного процесса моделирования. [56] |
Программа моделирования ориентирована на определение данных в допустимой области изменения параметров. Наиболее важными входными данными являются трехмерная форма элементов и распределение примеси. В этом разделе описывается пример двумерного моделирования процесса термического окисления после ионной имплантации, что позволяет в этом случае решить вопрос о расширении профиля распределения примеси В. [57]
 |
Зависимость сопротивления отрыву стальных образцов, склеенных полика-проамидом, от температуры предварительного нагревания подложки. [58] |
Термогравиметрические исследования процесса образования адгезионной связи в системе полиэтилен-железо четко выявляют роль термоокислительных процессов при формировании адгезионного контакта в этой системе. Кроме того, наблюдается [53] некоторое смещение пика окисления в сторону низких температур, что свидетельствует о каталитическом действии железа на процесс термического окисления полиэтилена. В работах [152, 154, 197] показано, что в процессе формирования клеевых соединений полиэтилена с металлами имеет место каталитическое действие металлов на окисление полимера. Так, энергия активации процесса термического окисления полиэтилена [154] понижается в присутствии стали, титана, никеля, меди и дюралюмина с 27 до 17 - 18 ккал / моль. [59]
Исследование спектров поглощения и люминесценции показало, что ( парамагнитный полиантрацен образует с антраценом и его гомологами прочные комплексы. Дальнейшее увеличение концентрации приводит к тушению флуоресценции. Примечательно, что именно в области концентраций ПМЦ 1016 - 1018 спин / г происходит резкое возрастание ингибирующей способности антрацена в процессах термического окисления низкомолекулярных ( веществ и полимеров. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5