Cтраница 4
Процесс осаждения происходит постепенно. Сначала образуются очень мелкие кристаллы - зародыши, которые постепенно вырастают в кристаллы большого размера или группу кристаллов. Время с момента смещения растворов до образования зародышей - мелких кристаллов называют индукционным периодом. Продолжительность этого периода зависит от индивидуальных свойств осадка. Так, в случае образования хлорида серебра это время очень мало, в случае образования сульфата бария этот период значительно больше. [46]
Процесс осаждения сильно усложняется в случае полидисперсной твердой фазы, так как крупные частицы оседают быстрее мелких, концентрируясь в донной части отстойника, по высоте которого порозность слоя разделяемой суспензии возрастает снизу вверх. Соответственно различным размерам и концентрациям твердых частиц изменяются закономерности осаждения по высоте отстойника. Скорость осветления жидкой фазы полидисперсной суспензии ( скорость полного осаждения) рекомендуется определять экспериментальным путем, а ее приближенное значение можно найти, ориентируясь на размеры и объемную концентрацию самых мелких частиц. [47]
Процесс осаждения распылением производится в атмосфере газа низкого давления или частичного вакуума с использованием либо постоянного электрического тока ( DC, или катодное распыление) либо высокочастотных ( RF) напряжений в качестве источника высокой энергии. При распылении ионы инертного газа аргона вводятся в вакуумную камеру после достижения нужного уровня вакуума с помощью форвакуумного насоса. Электрическое поле создается подачей высокого напряжения, обычно 5000 В, между двумя противоположно заряженными пластинами. Разряд высокой энергии ионизирует атомы газа аргона и заставляет их двигаться и ускоряться в направлении одной из пластин в камере, которая называется мишенью. Когда ионы аргона бомбардируют мишень из осаждаемого материала, они выбивают или распыляют эти атомы или молекулы. Выбитые атомы материала металлизации затем осаждаются тонкой пленкой на кремниевых подложках, которые повернуты к мишени. [48]
Процесс осаждения под действием сил тяжести называется отстаиванием. [49]
Процессы осаждения и создания рисунка диэлектрической пленки конденсатора не должны разрушать резистивных пленок. [50]
Процессы осаждения и флотации твердых включений в большей степени проявляются при очистке в вертикальных контейнерах. Процессы испарения, сублимации и дегазации легколетучих и газообразных примесей характерны для горизонтального расположения. [51]
Процесс осаждения проводится с целью очистки ( осветления) сплошной и сгущения твердой фазы. Тогда не ставится задача разделения частиц по размерам. [52]
Процесс осаждения под действием силы тяжести в химической технологии широко применяется для разделения как жидких, так и газовых неоднородных систем. [53]
Процесс осаждения может происходить под действием различных сил. [54]
Процессы осаждения применяют в различных методах количественного анализа. При гравиметрическом определения, которое основано на измерении массы, обычно необходимо провести два взвешивания: первое - исходной пробы и второе - чистого осадка, который содержит определяемый компонент пробы. В осадятельном титровании аналитический результат основан на Стехиометрии реакции между титран-том и титруемым соединением. Применяют реакции осаждения и для отделения одного химического соединения от другого перед фактическим определением одного из них. Кроме того, осаждение используют во многих процессах химического производства. [55]