Cтраница 1
Процесс многократных отражений удобно наглядно изображать в виде так называемой сетки, позволяющей легко определять напряжения в узловых точках при любом числе отражений. [1]
![]() |
Сигнал на входе приемника. [2] |
При это-методе регистрируются ультразвуковые колебания, образующиеся в процессе многократного отражения волн от торцевых поверхностей образца. [3]
Образец исследуемого материала должен иметь плоскопараллельные поверхности, между которыми в процессе многократного отражения распространяется ультразвуковая волна. Применяемый авторами образец ( рис. 2 - 17) имеет головки для закрепления в захватах механической части установки, позволяющей прикладывать к образцу осевую нагрузку в статическом или динамическом режимах. Рабочая часть образца и головки имеют цилиндрическое сечение. Конические части головок обеспечивают надежное центрирование и крепление образца в захватах. [4]
Очевидно, что спектральная зависимость К определяется той частью лучей, которые в процессе многократных отражений проникли внутрь зерен вещества, способного поглощать в данной спектральной области лучистую энергию. [5]
Все это дает основание полагать, что для решения систем линейных алгебраических уравнений, описывающих процесс многократных отражений в замкнутом объеме, применение электрических моделей должно быть весьма эффективным. [6]
Этот вывод позволяет рассматривать приведенную выше электрическую схему в качестве математической ( электрической) модели, моделирующей процессы многократных отражений светового потока в замкнутом объеме и, следовательно, пригодной для решения задачи расчета осветительных установок с учетом многократных отражений. [7]
Это в свою очередь дает возможность упростить задачу определения светового потока, установившегося на расчетной плоскости, так как число поверхностей, участвующих в процессе многократных отражений, уменьшается с 6 до 3 и задача сводится к решению системы из трех линейных алгебраических уравнений. [8]
Проведенный нами анализ позволяет утверждать, что сравниваемые матрицы коэффициентов подобны, и, следовательно, физические процессы, протекающие в электрической схеме, приведенной на рис. 10 - 11, и процессы многократных отражений описываются одинаковыми математическими зависимостями. [9]
![]() |
Процесс прохождения электромагнитной. [10] |
В результате прохождения через экран величина энергии уменьшается с W до W - Здесь явление отражения представлено упрощенно. В действительности имеет место процесс многократного отражения энергии от границ диэлектрик - экран - диэлектрик. [11]
Поскольку для проведения измерений в образец наряду с датчиками вводятся прокладки изолирующего материала, показания датчиков могут иметь некоторую инерционность. Искажения определяются временем установления ( в процессе многократных отражений волн в прокладках) давления в изоляции, равного сжимающему напряжению в окружающей среде в направлении, перпендикулярном плоскости датчика. Инерционность особенно значительна при регистрации волн малой интенсивности. С ростом давления искажения регистрируемого профиля уменьшаются вследствие возрастания скорости звука в изолирующих прокладках. [12]
Поскольку для проведения измерений в образец наряду с датчиками вводятся прокладки изолирующего материала, показания датчиков могут иметь некоторую инерционность. Искажения определяются временем установления ( в процессе многократных отражений волн в прокладках) давления в изоляции, равного сжимающему напряжению в окружающей среде в направлении, перпендикулярном плоскости датчика. Инерционность особенно значительна при регистрации волн малой интенсивности. С ростом давления искажения регистрируемого профиля уменьшаются вследствие возрастания скорости звука в изолирующих прокладках. [13]
![]() |
Падение плоской электромагнитной волны под произвольным углом. [14] |
Реальный способ создания неотражающих покрытий заключается в использовании эффекта многократных отражений. При наклонном падении плоской электромагнитной волны внутри ребристой структуры происходит процесс многократных отражений, причем каждое отражение сопровождается потерей части энергии волны. В результате амплитуда отраженного поля значительно меньше, чем амплитуда падающего. [15]