Процесс - перемагничивание - сердечник
Cтраница 2
Вторая часть посвящена логическим и запоминающим магнитным элементам цифровых устройств, для которых определяющим является процесс импульсного перемагничивания сердечников, обладающих прямоугольной петлей гистерезиса, с учетом магнитной вязкости, а также устройствам с записью информации на подвижный магнитный носитель. [16]
 |
Схема И на.| Схема ИЛИ. [17] |
В феррит-транзисторные ячейки вводится дополнительная обмотка WK положительной обратной связи, создающая добавочное магнитное поле, ускоряющее процесс перемагничивания сердечника. [18]
 |
Однотактный сдвигающий регистр с управляемой цепью разряда. [19] |
Для получения достаточной амплитуды блокирующих импульсов приходится выбирать сопротивление R достаточно большой величины, что приводит к замедлению разряда емкости и затягиванию процесса перемагничивания сердечников, а значит ограничивает частоту работы сдвигающего регистра. [20]
Нс, Вг, Вт, / Спр - являются основными статическими параметрами сердечника, характеризующими состояние сердечника во время хранения информации. Динамические параметры характеризуют процесс перемагничивания сердечника под действием возбуждающих полей. [21]
Отсюда можно заключить, что для ускорения процесса перемагничивания сердечника желательно по возможности повысить напряженность накладываемого на него магнитного поля. Практически постоянная времени магнитного сердечника выражается в микросекундах, а напряженность магнитного поля Я и Я0 - в эрстедах. [22]
На рис. 6.30 представлены схемы транзисторных формирователей, включенных между выходами ЗУ и входами дешифратора. Если сопротивление RK выбрано много больше ди-яамичеокого сопротивления шины Ш, ток в ней будет всегда равен Е № к независимо от процессов перемагничивания пронизываемых сердечников. Для обеспечения этого условия требуется повысить напряжение питания Е, которое в закрытом состоянии транзистора Tz оказывается полностью приложенным к промежутку эмиттер - коллектор. [23]
В качестве примера схемы на ферротранзисторных элементах на рис. 11 - 22 показана схема регистра сдвига. Его работа основана на том, что длительность импульса коллекторного тока элемента, переключающегося из состояния 1 в состояние О, больше длительности тактового импульса питания, который только начинает этот процесс перемагничивания сердечника. [24]
Определение двух первых величин является однозначным, величина времени т зависит от того, какие моменты времени считаются за начало и конец перемагничивания. Результаты измерений при различных Н оформляют в виде графиков зависимостей Вт Д ( Н) и т 1 / 2 ( Щ В плоскости этих же графиков располагают предельную петлю гистерезиса В ( НСТ) ( ось Н этого графика для компактности всего рис. 7.5, б смещена вверх), что значительно облегчает анализ процессов перемагничивания сердечника в различных полях. [25]
 |
Физические процессы в импульсно-комму-тируемом ферромагнитном элементе с искусственной коммутацией. [26] |
В гаком состоянии схема находится на участке ак2 - я. Когда ток нагрузки переходит через нуль и изменяет знак, тиристор TI запирается, и далее, в отрицательный полупериод, тиристоры Ti и Т2 вновь закрыты. Начинается процесс обратного перемагничивания сердечников: при а л аК1 насыщается сердечник ФМЭ2, а при а я акз - сердечник ФМЭг с одновременным насыщением сердечника ФМЭ2 - В начале последующего периода описанные процессы повторяются. Подобные стабилизаторы имеют малые массо-габаритные показатели, высокие значения коэффициентов мощности и полезного действия. [27]
 |
Эквивалентные схемы ждущего блокинг-генератора для стадий формирования выходного импульса ( а и восстановления ( б. [28] |
В состоянии устойчивого равновесия благодаря отрицательному базовому смещению Е6 транзистор закрыт и напряжение на его коллекторе равно Ек. В момент tQ транзистор открывается и блокинг-генератор выходит из состояния равновесия. Под действием тока / к начинается процесс перемагничивания сердечника ИТр, и на обмотках появляются ЭДС. Базовая обмотка шб включена так, что возникающая на ней ЭДС ее способствует дальнейшему открыванию транзистора. Когда ее превысит Еъ, в схеме независимо от действия импульса г вх за счет положительной обратной связи происходит процесс нарастания коллекторного тока. Фронт импульса получается тем более коротким, чем больше запускающий импульс тока гвх. [29]
Страницы: 1 2 3